- 3nm，是半导体市场的「热搜关键词」。光刻机，是众人争抢的「香饽饽」。第三代半导体，一出现就在资本市场掀起波澜。而现在，这类技术的突破，给半导体赛道开启新一轮热潮。全球首颗 8 英寸氧化镓单晶，中国造今年 3 月，杭州镓仁半导体有限公司发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录。这一成果，也标志着中国氧化镓率先进入 8 英寸时代。镓仁半导体成立于 2022 年 9 月，其创始人张辉来自于浙江大学，一直深耕晶体生长及半导体材料研究。该项目最早源自于浙江大学硅材料国家重点实验室。
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氧化镓
- 当隐形战机愈来愈普遍后，使用新材料制作具备探测隐形战机能力的雷达也迅速发展，中国企业最近发布全球首枚氧化镓8英寸单晶并宣布进入量产，能让配备这类先进技术的雷达对飞翼式隐身战机探测距离达到200km，F-22这类5代战机探测距离更扩大到400km。据《腾讯网》报道，10年前，当中国大力发展氮化镓雷达的时候，其它各国还在上一代砷化镓技术上打转转，中国已居于领先地位的技术研究进程并未停歇。 本月5日，杭州镓仁半导体公司率先发布世界第一颗「氧化镓8英寸单晶」，号称可让中国在下一代半导体领域再次占据优势地位。报道说
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氧化镓 雷达 F22
- 在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓（Ga2O3）晶相异质结（Phase Heterojunction）的新研究发表在《Advanced Materials》上。论文第一作者为陆义博士。文章首次在实验中展示了β相和κ相Ga2O3之间的清晰的、明确的、原子排列有序的、并具有II型能带对齐的晶相异质结，为研究Ga2O3/Ga2O3晶相异质结提供了新的见解，并证明利用晶相异质结可以极
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超宽禁带 氧化镓 晶相异质结
- _____氧化镓（Ga2O3）探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器，主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约，例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、可靠性和灵敏度等需要权衡和折中。对于性能表征也是如此，高响应度一定无法和高精度电流表征同时进行。Tektronix提供了多种性能、架构的测试仪器仪表，满足探测器在不同极限维度下测试的需求。氧化镓的
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氧化镓 Ga2O3 氧化镓探测器 光电探测器 泰克 Tektronix
- 新能源汽车大势之下，以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时，第四代半导体也在蓄势待发，其中，氧化镓（Ga2O3）基于其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料。鸿海入局氧化镓近期媒体报道，鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作，双方研究团队在第四代半导体的关键技术上取得重大突破，提高了氧化镓在高压、高温应用领域的高压耐受性能。本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造，并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二极体，结果展
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第四代半导体 氧化镓
- 近日，厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展，为β-Ga2O3异质外延薄膜的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。在β-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长。并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3
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第四代半导体 氧化镓 科研
- 3月26日，在三菱电机举办的主题为可持续发展倡议在线会议上，三菱电机宣布将对有望成为下一代半导体的氧化镓（Ga2O3）进行投资研发。与主要用于电动汽车（xEV）的碳化硅（SiC）功率半导体相比，三菱电机称这一布局是“为扩大更高电压的市场”。三菱电机表示，2024年~2030年，公司将投入约9000亿日元（折合人民币约430亿元）用于碳化硅、氧化镓等下一代功率半导体、材料和产品的回收利用、可再生能源等绿色领域的研发。据了解，2023年7月，该公司宣布已投资Novel Crystal Technology（N
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功率半导体 氧化镓
- 近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体
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碳化硅 氧化镓
- IT之家 12 月 12 日消息，据中国科大发布，第 68 届 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 国际电子器件大会) 近期在美国旧金山召开。IEEE IEDM 是年度微电子和纳电子学术会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛，其与 ISSCC、VLSI 并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧
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氧化镓 光电探测器 肖特基二极管
- 可以说，人类在20世界下半叶开始，绝大部分的科技成果都建立在电子计算机之上，而半导体材料，就是各类现代信息技术的基石。自上世纪50年代，以硅和锗为代表的第一代半导体材料为人类信息技术的高速发展走出了第一步；时间来到20世纪90年代，第二代半导体横空出世，以砷化镓、磷化铟为代表的材料为人类在无线电通讯、微波雷达及红光 LED方面起到了举足轻重的作用；而近十年来，也被称为宽禁带半导体材料的氮化镓和碳化硅、氧化锌等第三代半导体，直接推动了功率器件、短波长光电器件、光显示、光存储、 光探测、透明导电等领域的高速发
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- 一般来说，半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。迄今为止，半导体材料主要分为：基于Ⅳ族硅Si、锗Ge元素的第一代半导体；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化镓、磷化铟的第二代半导体以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化镓、Ⅳ族碳化硅的第三代半导体等。过去一年里，我们看到随着市场对半导体性能的要求不断提高，及各种利好政策相继出台，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势崭露头角，迎来了产业爆发风口。在第三代半导体万众瞩目的时刻， 第四代半导体也正逐渐进入我们的视线 。半导体材料的发展之路· 第
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第四代半导体材料 氧化镓
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
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功率半导体 氧化镓
- 与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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