- 在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓（Ga2O3）晶相异质结（Phase Heterojunction）的新研究发表在《Advanced Materials》上。论文第一作者为陆义博士。文章首次在实验中展示了β相和κ相Ga2O3之间的清晰的、明确的、原子排列有序的、并具有II型能带对齐的晶相异质结，为研究Ga2O3/Ga2O3晶相异质结提供了新的见解，并证明利用晶相异质结可以极
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超宽禁带 氧化镓 晶相异质结
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