根据TrendForce集邦咨询最新报告《2024全球GaN Power
Device市场分析》显示，随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源，功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。AI应用普及，GaN有望成为减热增效的幕后英雄AI技术的演进，带动算力需求持续攀升，C
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CAGR GaN 功率元件
8月15日消息，根据TrendForce集邦咨询最新报告显示，随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源，功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。报告显示，非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。
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据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨询分析，2024年来自AI服务器等领域的需求则显著大增，然而，纯电动汽车销量成长速度的明显放缓和工业需求走弱正在影响SiC供应链，预计2024年全球SiC功率元件产业营收年成长幅度将较过去几年显著收敛。作为关键的车用SiC
MOSFE
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氮化镓 (GaN) 半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管 (LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓目前是半导体行业增长最快的细分市场之一，复合年增长率估计在 25% 至 50% 之间，其驱动力来自对能效更高设备的需求，以期实现可持续发展和电气化目标。与硅晶体管相比，氮化镓晶体管可以设计出体积更小、效率更高的器件。氮化镓最初
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TrendForce集邦咨询表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲。其中，以GaN功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源车20
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与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
日立制作所在“PCIMEurope2016”并设的会议上发表了使用烧结铜的功率元件封装技术。该技术的特点是，虽为无铅封装材料，但可降低材料成本并提高可靠性。
对作为可靠性指标的“功率循环耐受量”实施测定的结果显示，循环次数达到了以往含铅焊锡的10倍以上。具体来说，在功率元件最大结温(Tjmax)为175℃、ΔTj为125℃的条件下实施功率循环试验时，以往的含铅焊锡最高为5万次，而使用烧结铜时达到55万次。在实施-40℃至+200℃的热循
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步骤2——构建
构建系统的第一个步骤是创建一个电源系统的方框图，从输出开始，然后向输入后向推进。从最低功率级别开始它的运作更好，并从那里继续工作，以便可以审查功率元件类别，并随功率级别的增加在必要时做出改变。
根据适当功率级别选择正确的元件类别非常重要。例如，在低功耗条件下，系统级封装产品(SiP)，如Vicor ZVS降压稳压器是最好的解决方案。在较高功率级别，更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
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Vicor 电源系统 功率元件 SELV 稳压器
摘要：现在，高性能电源系统已经有了长足进展，设计人员正在使用多个输入电压，驱动种类繁多应用的多路电压轨。为了确保PoL稳压器尽可能靠近负载的需求，设计人员需要在一个非常小的范围实现大量功率转换功能。与此同时，企业资源正趋于扩展到工程师，常常是由多面手，而不是电源专家来负责设计电源系统。因此，当今复杂的电源要求可能令设计人员非常头痛：如何利用不同资源为多样化的负载提供高性能电源，从而保证架构的所有部分都在其功率和散热范围内运行，同时还可优化效率和成本目标。
工程师如何充分利用现在可用的高性能构建模
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Vicor 电源系统 功率元件 SELV 稳压器 201412
微控制器(MCU)厂商正积极补强功率半导体元件战力，强攻直流变频马达市场。无论是直流无刷马达(BLDC)或永磁同步马达(PMSM)，其与交流感应马达最大的不同之处，就在于变频电路的设计，因此MCU厂为了直攻变频马达市场，除了提升MCU的控制性能之外，亦戮力强化与MCU搭配的功率元件战力。
德州仪器(TI)马达事业部现场应用工程师刘俊男表示，欧盟在2015年时预计将7.5千瓦(kW)以上之马达最低能效标准(MEPS)提升至IE3，到2017年时，才将IE3管制范围向下探至0.75kW以上，从这
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GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
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GaN.功率元件
随着美国电动车大厂Tesla在电动车市场开始突破重围后，全球电动车市场也开始弥漫着一股相当乐观的气氛。不过， ...
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碳化硅（SiC）功率元件正快速在太阳能（PV）逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传...
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与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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