据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解，Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点，每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示，该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产，2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍，英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外，该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示：基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
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英特尔 3nm Fab 34 14A
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式数据存储
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上，现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择，强化了X-FAB广泛的产品组合。2×2光电二极管排列布局示例图此次推出的四款新产品中，两款为响应增强型光电二极管doafe和dobfpe，其灵敏度在紫外、可见光和红外波长（全光谱）上均有所提升；另外还有两款先进的紫外线专用光电二极管dosuv和dosu
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X-FAB 光电二极管 传感灵敏度
6月6日消息，据媒体报道，英特尔近期宣布，已同意以110亿美元的价格将其位于爱尔兰的Fab 34芯片工厂49%的股份出售给阿波罗全球管理公司。这一举措旨在为英特尔的大规模扩张计划引入更多外部资金，同时缓解公司的财务压力。根据英特尔的声明，通过此次交易，英特尔将出售Fab 34芯片工厂相关实体中49%的股份，而保留51%的股份，保持对工厂的控股权。Fab 34工厂是英特尔在欧洲唯一一家使用极紫外线（EUV）光刻技术的芯片制造工厂，对采用Intel 4和Intel 3制程的晶圆提供支持，迄今为止，英特尔已在该
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英特尔 Fab
Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模拟/混合信号和专业晶圆代工厂X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高压互补型金属氧化物半导体（CMOS）制造平台的更新。5月16日发布的一篇新闻稿表示，该平台现在包括全新的40 V和60 V高压基础器件，可提供可扩展的安全工作区（安全工作区）以提高运行稳健性。这些第二代器件在RDSon数据上也有显著降低，与此前版本相比降低
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X-Fab 180纳米 高压CMOS代工
据联电（UMC）官网消息，5月21日，联电在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批设备到厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。据悉，联电曾表示新加坡Fab12i P3旨在成为新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物联网和车用电子等领域需求，总投资金额为50亿美元。据了解，联电早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3厂的扩建计划。当时消息称，新厂第一期月产能规划30,000片晶圆，2024年底开始量产，后又在2022年底称，在过程中因缺工缺料及
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联电 Fab 设备
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案，基于低掩模数5V单栅极核心模块，支持-40°C
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X-FAB 180纳米 高压CMOS 代工
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求，X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018（180纳米）上开放了背照（BSI）功能。BSI工艺截面示意图通过BSI工艺，成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被后端工艺的金属层所遮挡，从而大幅提升传感器的填充比，最高可达100%。由于其能够获得更高的像素感光灵敏度，因而在暗
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X-FAB 图像传感器 背照技术 CMOS传感器
12月22日，科创板上市公司格科微（688728.sh）成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式，及2023年产品推介会暨CEO交流会。图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式.JPG以让世界看见中国的创新为使命，格科微经过二十年的发展，成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型，迎来了历史最佳的经营局面。值此良机，格科微高端产品再传佳讯，公司推出三款全新单芯片高阶产品，为未来加速核心技术产品化，迈向崭新的发展阶段奠定了基础。整个活动，政府领
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Fab-Lite 格科微 5000万像素 图像传感器
据临港新片区管委会官网披露文件显示，日前，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目城镇污水排入排水管网许可顺利获批。据悉，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目由中芯国际和中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会合作规划建设。根据协议，双方共同成立合资公司，规划建设产能为10万片/月的12英寸晶圆代工生产线项目，聚焦于提供28纳米及以上技术节点的集成电路晶圆代工与技术服务。据中芯国际发布的公告显示，该项目计划投资约88.7亿美元（折合人民币约573亿元），这也是中芯国际在上海的第一个按照Twin Fa
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中芯国际 12英寸晶圆 代工厂 Twin Fab
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保持同样低的本底噪声水平的同时，显著增强信号，而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。X-FAB通过推出这一最新版本的产品，成功丰富了其SPAD产品的选择范围，提升了解决众多视近红外
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X-FAB 近红外 SPAD
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后，现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。这是X-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活，从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。XA035基于350纳米工艺节点，非常适合制造车用传感器和高压工
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X-FAB 电隔离解决方案
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，进一步增强其在射频（RF）领域的广泛实力。公司在欧洲微波展（9月17至22日，柏林）举办前夕推出XIPD工艺；参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员（位于438C展位）就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层，让客户能够在其器
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X-FAB 无源器件 晶圆代工厂
中国北京，2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牵头发起一项战略倡议，旨在推
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X-FAB 硅光电子 PhotonixFab 光电子
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
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