- 在全球固态电池装车落地的竞速赛中，很少有人会看好爱沙尼亚的两家小型企业 —— 这两家公司此前以创新的无轮毂轮毂电机及电动摩托车产品为人所知。但如今，这两家初创企业却完成了特斯拉、比亚迪等电动汽车与电池巨头尚未实现的目标。Verge Motorcycles TS Pro 的固态电池组根据车型可存储 20.2 或 33.3 千瓦时。公平地说，为一辆低容量摩托车制造相对少量电池，与丰田必须验证并支持成千上万甚至数百万块汽车电池的保修完全不同。尽管如此，Verge Motorcycles及其技术衍生品牌Donut
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Verge Motorcycles Donut Lab 固态电池 2026 CES 电动摩托车
- 2026 年 1 月 5 日（周一），芬兰公司 Donut Lab 在 2026 CES上发布了一款 “全固态电池”，其性能参数十分亮眼：400-Wh/kg能量密度五分钟满电设计支持长达10万次循环非常安全由全球丰富的材料制成在−30°C下保持超过99%的容量成本低于锂离子自发布之日起，这款宣称已具备量产条件且可供应整车厂的全固态电池，在电池领域专家群体中引发了广泛热议，同时也伴随着诸多质疑之声。固态电池（SSB）被视为电池技术领域的 “圣杯”，众多企业都投身于该技术的研发，但迄今为止，没有任何一家企业的
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2026 CES Donut Lab 固态电池 固体电解质 纳米材料
- 尽管台积电在亚利桑那的扩张迅速推进，但其日本业务进展较慢，吸引了密切关注。不过，熊本Fab 2的计划可能正在发生变化。日经新闻曾建议转向4nm——最初计划为6nm和7nm——但Mirror Media现在报道了一个更大胆的计划：晶圆厂可以完全跳过6nm，直接转向2nm。据镜媒报道，台积电已向董事长魏志昌提交了内部评估。如报告所述，若实施，熊本制造2将从主要服务日本汽车客户转向专注于NVIDIA和AMD等主要AI芯片客户。亚利桑那利润，熊本流血原因很明确：台多电的财务报告显示，2025年前三个季度，亚利桑那
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台积电 熊本 Fab 2 6nm 2nm
- 12 月 14 日消息，参考媒体 Light Reading 报道，NXP 恩智浦已做出了关闭亚利桑那州钱德勒 ECHO Fab 晶圆厂的决定，该企业也将退出氮化镓 (GaN) 半导体 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投产的 ECHO Fab 当时是最先进的同类生产设施。而在 2027 年第一季度，这座生命周期不到七年的 6 英寸晶圆厂将完成最后一片晶圆的生产。恩智浦在一份邮件中表示：近年来，由于移动运营商投资回报不足，5G 部署进程放缓，全球 5G 基站部署数量远低于最初预期。鉴
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恩智浦 ECHO Fab 晶圆厂 氮化镓 5G PA 芯片制造
- 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180纳米XH018半导体工艺平台中推出新的隔离等级，旨在支持更紧凑、更高效的单光子雪崩二极管（SPAD）应用。新隔离等级能够实现更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子，从而减少芯片面积。采用全新紧凑型25V隔离等级模块ISOMOS1（左）和先前所需的模块ISOMOS2（右）的4×3 SPAD像素示例设计SPAD是众多新兴应用中的关键组件，涵盖应用于自动驾驶汽车的激光雷达（LiDAR）、
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X-FAB 180纳米 XH018 SPAD
- ● 新一期厂内实验室合作项目包括与新加坡科技研究局属下材料研究与工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡国立大学 (NUS)的合作项目● 此为新加坡半导体行业迄今为止最大的公私研发合作项目之一● 专注于推进压电 微电机系统（MEMS） 技术产品在个人电子产品、医疗设备等领域的应用服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)日前宣布与新加坡科技研究局微电子研究所 (
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意法半导体 Lab-in-Fab 厂内实验室 压电MEMS
- 据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解，Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点，每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示，该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产，2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍，英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外，该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示：基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
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英特尔 3nm Fab 34 14A
- 在智能家居、工业自动化、智慧城市等场景快速发展的今天，物联网设备正面临着三大核心挑战：多协议兼容性、超低功耗设计以及数据安全防护。传统单频段芯片难以满足设备在复杂环境中的通信需求，而日益增长的网络攻击风险则对硬件级安全提出了更高要求。Silicon Labs（芯科科技）推出的EFR32ZG28系列无线SoC正是为破解这些难题而生。这款芯片创造性地将Sub-1GHz频段与2.4GHz BLE双频通信集成于单晶圆，支持从169MHz到960MHz的广域Sub-GHz通信，以及蓝牙5.2标准。这种架构不仅解决了
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芯科科技 Silicon Lab 无线通信
- 技术背景：物联网时代的无线通信挑战与突破在万物互联的时代背景下，智能家居、工业自动化、智慧城市等场景对无线通信技术提出了更高要求。设备需要同时满足低功耗、多协议兼容、高安全性以及强大的边缘计算能力，这对传统无线芯片架构构成了巨大挑战。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列无线SoC（系统级芯片）正是针对这些需求应运而生的创新解决方案。作为专为物联网终端设备设计的无线通信平台，EFR32MG26在单芯片内集成了ARM Cortex-M33处理器、高性能射频模块和AI加速单元，支持Matter、
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芯科科技 Silicon Lab 智能家居 Wi-Fi
- 在万物互联的时代浪潮下，物联网设备正朝着更智能、更节能、更安全的方向演进。传统无线通信技术受限于功耗、协议兼容性及安全性等问题，难以满足智能家居、工业传感、医疗健康等场景的严苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917无线模组，以Wi-Fi 6与蓝牙5.4双协议融合为核心，结合Matter标准支持，重新定义了超低功耗物联网设备的可能性。技术突破：重新定义无线通信的能效边界SiWG917的技术革新始于其独特的双核架构设计。模组内部集成ARM Cortex-M4应用处理器与多线程网络无线处理器（NWP
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芯科科技 Silicon Lab 无线通信
- 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式数据存储
- 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上，现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择，强化了X-FAB广泛的产品组合。2×2光电二极管排列布局示例图此次推出的四款新产品中，两款为响应增强型光电二极管doafe和dobfpe，其灵敏度在紫外、可见光和红外波长（全光谱）上均有所提升；另外还有两款先进的紫外线专用光电二极管dosuv和dosu
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X-FAB 光电二极管 传感灵敏度
- 6月6日消息，据媒体报道，英特尔近期宣布，已同意以110亿美元的价格将其位于爱尔兰的Fab 34芯片工厂49%的股份出售给阿波罗全球管理公司。这一举措旨在为英特尔的大规模扩张计划引入更多外部资金，同时缓解公司的财务压力。根据英特尔的声明，通过此次交易，英特尔将出售Fab 34芯片工厂相关实体中49%的股份，而保留51%的股份，保持对工厂的控股权。Fab 34工厂是英特尔在欧洲唯一一家使用极紫外线（EUV）光刻技术的芯片制造工厂，对采用Intel 4和Intel 3制程的晶圆提供支持，迄今为止，英特尔已在该
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英特尔 Fab
- Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模拟/混合信号和专业晶圆代工厂X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高压互补型金属氧化物半导体（CMOS）制造平台的更新。5月16日发布的一篇新闻稿表示，该平台现在包括全新的40 V和60 V高压基础器件，可提供可扩展的安全工作区（安全工作区）以提高运行稳健性。这些第二代器件在RDSon数据上也有显著降低，与此前版本相比降低
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X-Fab 180纳米 高压CMOS代工
- 据联电（UMC）官网消息，5月21日，联电在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批设备到厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。据悉，联电曾表示新加坡Fab12i P3旨在成为新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物联网和车用电子等领域需求，总投资金额为50亿美元。据了解，联电早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3厂的扩建计划。当时消息称，新厂第一期月产能规划30,000片晶圆，2024年底开始量产，后又在2022年底称，在过程中因缺工缺料及
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联电 Fab 设备
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