据台湾地区媒体《工商时报》报道，台积电刚刚在其亚利桑那州Fab 21晶圆厂采用4nm制程制造了部分首批英伟达GB300 AI GPU。这是近代美国历史上首次在本土制造如此重要的芯片，意味着台积电的亚利桑那州工厂已具备生产如此复杂芯片的能力且良率达标，表明该厂的生产能力已与台湾地区厂区相当。英伟达首席执行官黄仁勋在庆祝活动上表示：“这是一个具有历史意义的时刻，这是近代美国历史上第一次在美国本土由最先进的晶圆厂——台积电生产最重要的芯片。这也是特朗普总统关于工业重振的愿景——将制造业带回美国，创造就业岗位。同
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英伟达
GB300
台积电
Fab 21
晶圆厂
在全球固态电池装车落地的竞速赛中，很少有人会看好爱沙尼亚的两家小型企业 —— 这两家公司此前以创新的无轮毂轮毂电机及电动摩托车产品为人所知。但如今，这两家初创企业却完成了特斯拉、比亚迪等电动汽车与电池巨头尚未实现的目标。Verge Motorcycles TS Pro 的固态电池组根据车型可存储 20.2 或 33.3 千瓦时。公平地说，为一辆低容量摩托车制造相对少量电池，与丰田必须验证并支持成千上万甚至数百万块汽车电池的保修完全不同。尽管如此，Verge Motorcycles及其技术衍生品牌Donut
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Verge Motorcycles
Donut Lab
固态电池
2026 CES
电动摩托车
2026 年 1 月 5 日（周一），芬兰公司 Donut Lab 在 2026 CES上发布了一款 “全固态电池”，其性能参数十分亮眼：400-Wh/kg能量密度五分钟满电设计支持长达10万次循环非常安全由全球丰富的材料制成在−30°C下保持超过99%的容量成本低于锂离子自发布之日起，这款宣称已具备量产条件且可供应整车厂的全固态电池，在电池领域专家群体中引发了广泛热议，同时也伴随着诸多质疑之声。固态电池（SSB）被视为电池技术领域的 “圣杯”，众多企业都投身于该技术的研发，但迄今为止，没有任何一家企业的
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2026 CES
Donut Lab
固态电池
固体电解质
纳米材料
尽管台积电在亚利桑那的扩张迅速推进，但其日本业务进展较慢，吸引了密切关注。不过，熊本Fab 2的计划可能正在发生变化。日经新闻曾建议转向4nm——最初计划为6nm和7nm——但Mirror Media现在报道了一个更大胆的计划：晶圆厂可以完全跳过6nm，直接转向2nm。据镜媒报道，台积电已向董事长魏志昌提交了内部评估。如报告所述，若实施，熊本制造2将从主要服务日本汽车客户转向专注于NVIDIA和AMD等主要AI芯片客户。亚利桑那利润，熊本流血原因很明确：台多电的财务报告显示，2025年前三个季度，亚利桑那
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台积电
熊本
Fab 2
6nm
2nm
12 月 14 日消息，参考媒体 Light Reading 报道，NXP 恩智浦已做出了关闭亚利桑那州钱德勒 ECHO Fab 晶圆厂的决定，该企业也将退出氮化镓 (GaN) 半导体 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投产的 ECHO Fab 当时是最先进的同类生产设施。而在 2027 年第一季度，这座生命周期不到七年的 6 英寸晶圆厂将完成最后一片晶圆的生产。恩智浦在一份邮件中表示：近年来，由于移动运营商投资回报不足，5G 部署进程放缓，全球 5G 基站部署数量远低于最初预期。鉴
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恩智浦
ECHO Fab
晶圆厂
氮化镓
5G PA
芯片制造
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180纳米XH018半导体工艺平台中推出新的隔离等级，旨在支持更紧凑、更高效的单光子雪崩二极管（SPAD）应用。新隔离等级能够实现更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子，从而减少芯片面积。采用全新紧凑型25V隔离等级模块ISOMOS1（左）和先前所需的模块ISOMOS2（右）的4×3 SPAD像素示例设计SPAD是众多新兴应用中的关键组件，涵盖应用于自动驾驶汽车的激光雷达（LiDAR）、
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X-FAB
180纳米
XH018
SPAD
● 新一期厂内实验室合作项目包括与新加坡科技研究局属下材料研究与工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡国立大学 (NUS)的合作项目● 此为新加坡半导体行业迄今为止最大的公私研发合作项目之一● 专注于推进压电 微电机系统（MEMS） 技术产品在个人电子产品、医疗设备等领域的应用服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)日前宣布与新加坡科技研究局微电子研究所 (
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意法半导体
Lab-in-Fab
厂内实验室
压电MEMS
据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解，Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点，每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示，该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产，2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍，英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外，该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示：基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
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英特尔
3nm
Fab 34
14A
在智能家居、工业自动化、智慧城市等场景快速发展的今天，物联网设备正面临着三大核心挑战：多协议兼容性、超低功耗设计以及数据安全防护。传统单频段芯片难以满足设备在复杂环境中的通信需求，而日益增长的网络攻击风险则对硬件级安全提出了更高要求。Silicon Labs（芯科科技）推出的EFR32ZG28系列无线SoC正是为破解这些难题而生。这款芯片创造性地将Sub-1GHz频段与2.4GHz BLE双频通信集成于单晶圆，支持从169MHz到960MHz的广域Sub-GHz通信，以及蓝牙5.2标准。这种架构不仅解决了
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芯科科技
Silicon Lab
无线通信
技术背景：物联网时代的无线通信挑战与突破在万物互联的时代背景下，智能家居、工业自动化、智慧城市等场景对无线通信技术提出了更高要求。设备需要同时满足低功耗、多协议兼容、高安全性以及强大的边缘计算能力，这对传统无线芯片架构构成了巨大挑战。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列无线SoC（系统级芯片）正是针对这些需求应运而生的创新解决方案。作为专为物联网终端设备设计的无线通信平台，EFR32MG26在单芯片内集成了ARM Cortex-M33处理器、高性能射频模块和AI加速单元，支持Matter、
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芯科科技
Silicon Lab
智能家居
Wi-Fi
在万物互联的时代浪潮下，物联网设备正朝着更智能、更节能、更安全的方向演进。传统无线通信技术受限于功耗、协议兼容性及安全性等问题，难以满足智能家居、工业传感、医疗健康等场景的严苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917无线模组，以Wi-Fi 6与蓝牙5.4双协议融合为核心，结合Matter标准支持，重新定义了超低功耗物联网设备的可能性。技术突破：重新定义无线通信的能效边界SiWG917的技术革新始于其独特的双核架构设计。模组内部集成ARM Cortex-M4应用处理器与多线程网络无线处理器（NWP
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芯科科技
Silicon Lab
无线通信
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
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X-FAB
BCD-on-SOI
嵌入式数据存储
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上，现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择，强化了X-FAB广泛的产品组合。2×2光电二极管排列布局示例图此次推出的四款新产品中，两款为响应增强型光电二极管doafe和dobfpe，其灵敏度在紫外、可见光和红外波长（全光谱）上均有所提升；另外还有两款先进的紫外线专用光电二极管dosuv和dosu
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X-FAB
光电二极管
传感灵敏度
6月6日消息，据媒体报道，英特尔近期宣布，已同意以110亿美元的价格将其位于爱尔兰的Fab 34芯片工厂49%的股份出售给阿波罗全球管理公司。这一举措旨在为英特尔的大规模扩张计划引入更多外部资金，同时缓解公司的财务压力。根据英特尔的声明，通过此次交易，英特尔将出售Fab 34芯片工厂相关实体中49%的股份，而保留51%的股份，保持对工厂的控股权。Fab 34工厂是英特尔在欧洲唯一一家使用极紫外线（EUV）光刻技术的芯片制造工厂，对采用Intel 4和Intel 3制程的晶圆提供支持，迄今为止，英特尔已在该
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英特尔
Fab
Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模拟/混合信号和专业晶圆代工厂X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高压互补型金属氧化物半导体（CMOS）制造平台的更新。5月16日发布的一篇新闻稿表示，该平台现在包括全新的40 V和60 V高压基础器件，可提供可扩展的安全工作区（安全工作区）以提高运行稳健性。这些第二代器件在RDSon数据上也有显著降低，与此前版本相比降低
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X-Fab
180纳米
高压CMOS代工
据联电（UMC）官网消息，5月21日，联电在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批设备到厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。据悉，联电曾表示新加坡Fab12i P3旨在成为新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物联网和车用电子等领域需求，总投资金额为50亿美元。据了解，联电早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3厂的扩建计划。当时消息称，新厂第一期月产能规划30,000片晶圆，2024年底开始量产，后又在2022年底称，在过程中因缺工缺料及
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联电
Fab
设备
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案，基于低掩模数5V单栅极核心模块，支持-40°C
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X-FAB
180纳米
高压CMOS
代工
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求，X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018（180纳米）上开放了背照（BSI）功能。BSI工艺截面示意图通过BSI工艺，成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被后端工艺的金属层所遮挡，从而大幅提升传感器的填充比，最高可达100%。由于其能够获得更高的像素感光灵敏度，因而在暗
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背照技术
CMOS传感器
霍尔效应磁性传感器，也称为霍尔传感器，是一种基于霍尔效应原理制作而成的磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，由美国物理学家Edvin Hall于1879年发现。霍尔传感器具有工作频带宽、响应快、体积小、灵敏度高、无触点、便于集成化、多功能化等优点，而且便于与计算机等其他设备连接。霍尔传感器的工作原理是，当一个有电流的物体被放置在磁场中时，如果电流方向和磁场方向相互垂直，则在同时垂直于磁场和电流方向的方向上会产生横向电位差，这个现象就是霍尔效应，由此产生的电位差称为霍尔电压。霍尔传感器就是基于这个原理制作的
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芯科科技
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霍尔效应磁性传感器
随着2023年的波折逐渐平息，2024年的半导体市场正迎来更加充满不确定性的挑战。电子产品世界有幸采访到了芯科科技家居和生活业务高级营销总监Tom Nordman，就公司的发展状况、市场波动、技术应用及未来展望等方面进行了深入探讨。 芯科科技家居和生活业务高级营销总监，Tom NordmanTom Nordman首先回顾了芯科科技在2023年的整体发展。他表示，近年来物联网蓬勃发展，并且在未来很长一段时间内保持向上发展的态势。智能家居作为物联网的重要应用领域之一，虽然因地产行业近期相对低迷，导致
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芯科科技
Silicon Lab
智能家居
Matter
12月22日，科创板上市公司格科微（688728.sh）成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式，及2023年产品推介会暨CEO交流会。图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式.JPG以让世界看见中国的创新为使命，格科微经过二十年的发展，成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型，迎来了历史最佳的经营局面。值此良机，格科微高端产品再传佳讯，公司推出三款全新单芯片高阶产品，为未来加速核心技术产品化，迈向崭新的发展阶段奠定了基础。整个活动，政府领
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Fab-Lite
格科微
5000万像素
图像传感器
据临港新片区管委会官网披露文件显示，日前，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目城镇污水排入排水管网许可顺利获批。据悉，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目由中芯国际和中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会合作规划建设。根据协议，双方共同成立合资公司，规划建设产能为10万片/月的12英寸晶圆代工生产线项目，聚焦于提供28纳米及以上技术节点的集成电路晶圆代工与技术服务。据中芯国际发布的公告显示，该项目计划投资约88.7亿美元（折合人民币约573亿元），这也是中芯国际在上海的第一个按照Twin Fa
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中芯国际
12英寸晶圆
代工厂
Twin Fab
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保持同样低的本底噪声水平的同时，显著增强信号，而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。X-FAB通过推出这一最新版本的产品，成功丰富了其SPAD产品的选择范围，提升了解决众多视近红外
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近红外
SPAD
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后，现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。这是X-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活，从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。XA035基于350纳米工艺节点，非常适合制造车用传感器和高压工
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电隔离解决方案
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，进一步增强其在射频（RF）领域的广泛实力。公司在欧洲微波展（9月17至22日，柏林）举办前夕推出XIPD工艺；参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员（位于438C展位）就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层，让客户能够在其器
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无源器件
晶圆代工厂
为物联网设备制造商模拟真实世界的操作性和连接性测试 中国，北京 - 2023年6月27日 - 致力于以安全、智能无线连接技术，建立更互联世界的全球领导厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布，芯科科技波士顿办公室开设全新的Connectivity Lab（”连接实验室”）。”连接实验室”模拟现代智能家居场景，其中包含一系列的物联网（IoT）设备、应用软件、生态系统和网络，为开发人员提供一个理想的环境，从而支持他们在包含各种协议和设备品牌的真实场景中测试其M
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芯科科技
Connectivity Lab
中国北京，2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牵头发起一项战略倡议，旨在推
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硅光电子
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光电子
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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BCD-on-SOI
近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出，按照计划，瑞萨电子拟在目
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X-FAB
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布，将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台，进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所（IHP）的长期合作关系。作为新协议的一部分，X-FAB将获得IHP的尖端SiGe技术授权，将这一技术的性能优势带给大批量市场的客户群体。130纳米SiGe BiCMOS平台新创建的130纳米平台显著加强了X-FAB的技术组合，提供了独特的解决方案，达到满足下一代通信要求所需的更高
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