- 据麦姆斯咨询报道，美国系统级芯片厂商Skorpios Technologies近日宣布收购了半导体集成厂商Novati Technologies及其位于美国德州奥斯汀的Fab，本次交易的具体金额暂未披露。
Novati闻名于其在2.5D/3D集成、光子学、MEMS传感器以及医疗应用微流控领域的创新研究。Skorpios则拥有一套独有的晶圆级工艺，能够实现硅和III-V族材料的单片集成，并作为工作介质(active medium)制造硅光子IC。
在此次并购交易之
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Skorpios Fab
- 影响工厂成本的主要因素有哪些? 答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material间接材料，例如气体… Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧，维修，研究费用……等 Production Support其它相关单位所花费的费用 在FAB内，间接物料指哪些? 答：Gas 气体 Chemical 酸，碱化学液&nbs
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FAB
- 当下的华夏大地，正被一股天翻地覆的英雄气概所笼罩。半导体集成电路正成为仅次于互联网机器人的热词。没有几个人能说得清，有多少条8吋、12吋生产线在运筹帷幄之中，又有多少大佬背着钱袋在这个“金矿”边上徘徊。中国历来的传统是，党指向哪里我们就冲向哪里。今天国家确定的目标，就是今后我们为之奋斗的战场。最近我们的行业领军人士已经开始注意到潜在的风险，我们在去“传统产能”的同时，会不会带来新的“高科技产能过剩”风险?这是我们每个行业从业者要认
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Fab GlobalFoundries
- Silicon Laboratories今日宣布以Si530 和 Si550 系列的振荡器 (XOs) 和压控振荡器 (VCXOs) 进入频率控制市场，这些振荡器m用於频率高达 1.4 GHz的用。这些产品系列包括业界首例四频 XO 和 VCXO 器件系列。应用该
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Silicon Lab 四频XO VCXO器件
- 模拟、混合讯号晶圆代工厂X-Fab集团于9月30日宣布，将收购日前已进入破产程序的法国专业晶圆代工业者Altis Semiconductor，借此将可让Altis Semiconductor免于进入破产程序。实际收购价格方面，X-Fab未进一步对外透露。
根据外媒报导，Altis Semiconductor前身为美国IBM位于巴黎以南约40公里处的晶圆代工厂房，制程包含从8吋(200mm)晶圆产线到约130纳米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收购Altis Semiconductor将有助增
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X-Fab 晶圆
- 模拟、混合讯号晶圆代工厂X-Fab集团于9月30日宣布，将收购日前已进入破产程序的法国专业晶圆代工业者Altis Semiconductor，借此将可让Altis Semiconductor免于进入破产程序。实际收购价格方面，X-Fab未进一步对外透露。
根据EETimes等外媒报导，Altis Semiconductor前身为美国IBM位于巴黎以南约40公里处的晶圆代工厂房，制程包含从8吋(200mm)晶圆产线到约130纳米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收购Altis Semicondu
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X-Fab Altis
- 网络连接、监控和管理领域的领导者Emulex公司日前宣布，其最新一代的OneConnect® OCe14000-E万兆以太网融合网络适配器(10GbE CNA)现已通过EMC E-Lab的测试和认证，并获批与EMC VNX®和VMAX®存储阵列等业界领先的EMC®企业存储解决方案搭配使用。Emulex OCe14000-E 10GbE CNA设计用于采用存储协议卸载(以太网上光纤通道FCoE，iSCSI)的网络连接、存储、大数据、混合云、数据备份和恢复。这款产品使用Em
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Emulex E-Lab VMAX
- 1前言汽车噪声、振动及因其而引发的车辆乘坐舒适性问题，即NVH（Noise,VibrationHarshness）问题，是衡量汽...
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车内声振 传递路径 LMS Test. Lab
- 全球Fab前道设备支出额预计在2013年将持平，大约在317亿美元,2014年会有24%的增长，至393亿美元,见2013年2月底出版的《SEMI全球设备预报》。该预报还指出，2013年全球fab厂设备支出增长点在于技术节点的更新，同时FAB厂建方面的支出会增加6.7%且主要集中在中国。该预报参考了2013年超过180家机构的设备支出。
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Fab 电子制造
- 全球Fab前道设备支出额预计在2013年将持平，大约在317亿美元,2014年会有24%的增长，至393亿美元,见2013年2月底出版的《SEMI全球设备预报》。该预报还指出，2013年全球fab厂设备支出增长点在于技术节点的更新，同时FAB厂建方面的支出会增加6.7%且主要集中在中国。该预报参考了2013年超过180家机构的设备支出。
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Fab 设备
- X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018，世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- X-FAB Silicon Foundries 宣布，已经增加在总部位于德国的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，从25.5%提高到51%，成为后者的最大股东，并将MFI重新命名为X-FAB伊策霍微机电系统晶圆厂(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。
上述动向反映了X-FAB对MEMS制造服务与技术的重视。伊策霍(Itzehoe)厂补强了X-FAB 微机电系统晶圆厂最近在艾尔福特宣布的MEMS功能与资源，增添微感测器、致动器、微光学结构与
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X-FAB 微感测器 MEMS
- X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德国MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，从25.5%提高到51%，成为其大股东，同时将MFI更名为X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
此举表明X-FAB注重于MEMS生产服务与技术。Itzehoe工厂补充了最近公布的埃尔福特X-FAB MEMS晶圆厂的MEMS的生产能力及资源，添加了微感应器、制动器、微光学结构与密封晶片级封装工艺的相关技术。
X-FAB MEMS Found
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X-FAB 微感应器 MEMS
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