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lab-in-fab 文章 进入lab-in-fab技术社区

ST宣布扩大新加坡"厂内实验室"项目,推进"压电MEMS"开发应用

  • ●   新一期厂内实验室合作项目包括与新加坡科技研究局属下材料研究与工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡国立大学 (NUS)的合作项目●   此为新加坡半导体行业迄今为止最大的公私研发合作项目之一●   专注于推进压电 微电机系统(MEMS) 技术产品在个人电子产品、医疗设备等领域的应用服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)日前宣布与新加坡科技研究局微电子研究所 (
  • 关键字: 意法半导体  Lab-in-Fab  厂内实验室  压电MEMS  

英特尔将在爱尔兰工厂大批量生产3nm芯片

  • 据外媒报道,英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解,Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点,每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示,该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产,2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍,英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外,该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示:基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
  • 关键字: 英特尔  3nm  Fab 34  14A  

芯科科技EFR32ZG28 SoC技术解析与应用展望

  • 在智能家居、工业自动化、智慧城市等场景快速发展的今天,物联网设备正面临着三大核心挑战:多协议兼容性、超低功耗设计以及数据安全防护。传统单频段芯片难以满足设备在复杂环境中的通信需求,而日益增长的网络攻击风险则对硬件级安全提出了更高要求。Silicon Labs(芯科科技)推出的EFR32ZG28系列无线SoC正是为破解这些难题而生。这款芯片创造性地将Sub-1GHz频段与2.4GHz BLE双频通信集成于单晶圆,支持从169MHz到960MHz的广域Sub-GHz通信,以及蓝牙5.2标准。这种架构不仅解决了
  • 关键字: 芯科科技  Silicon Lab  无线通信  

物联网无线通信技术的革新者:EFR32MG26无线SoC深度解析

  • 技术背景:物联网时代的无线通信挑战与突破在万物互联的时代背景下,智能家居、工业自动化、智慧城市等场景对无线通信技术提出了更高要求。设备需要同时满足低功耗、多协议兼容、高安全性以及强大的边缘计算能力,这对传统无线芯片架构构成了巨大挑战。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列无线SoC(系统级芯片)正是针对这些需求应运而生的创新解决方案。作为专为物联网终端设备设计的无线通信平台,EFR32MG26在单芯片内集成了ARM Cortex-M33处理器、高性能射频模块和AI加速单元,支持Matter、
  • 关键字: 芯科科技  Silicon Lab  智能家居  Wi-Fi  

新一代物联网无线通信模组的技术革新与应用蓝图

  • 在万物互联的时代浪潮下,物联网设备正朝着更智能、更节能、更安全的方向演进。传统无线通信技术受限于功耗、协议兼容性及安全性等问题,难以满足智能家居、工业传感、医疗健康等场景的严苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917无线模组,以Wi-Fi 6与蓝牙5.4双协议融合为核心,结合Matter标准支持,重新定义了超低功耗物联网设备的可能性。技术突破:重新定义无线通信的能效边界SiWG917的技术革新始于其独特的双核架构设计。模组内部集成ARM Cortex-M4应用处理器与多线程网络无线处理器(NWP
  • 关键字: 芯科科技  Silicon Lab  无线通信  

X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术:基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台,X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP,并配备额外的4Kbit EEPROM。此外,从2025年起,X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
  • 关键字: X-FAB  BCD-on-SOI  嵌入式数据存储  

X-FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上,现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择,强化了X-FAB广泛的产品组合。2×2光电二极管排列布局示例图此次推出的四款新产品中,两款为响应增强型光电二极管doafe和dobfpe,其灵敏度在紫外、可见光和红外波长(全光谱)上均有所提升;另外还有两款先进的紫外线专用光电二极管dosuv和dosu
  • 关键字: X-FAB  光电二极管  传感灵敏度  

Intel出售爱尔兰工厂49%股份:获110亿美元缓解财务压力

  • 6月6日消息,据媒体报道,英特尔近期宣布,已同意以110亿美元的价格将其位于爱尔兰的Fab 34芯片工厂49%的股份出售给阿波罗全球管理公司。这一举措旨在为英特尔的大规模扩张计划引入更多外部资金,同时缓解公司的财务压力。根据英特尔的声明,通过此次交易,英特尔将出售Fab 34芯片工厂相关实体中49%的股份,而保留51%的股份,保持对工厂的控股权。Fab 34工厂是英特尔在欧洲唯一一家使用极紫外线(EUV)光刻技术的芯片制造工厂,对采用Intel 4和Intel 3制程的晶圆提供支持,迄今为止,英特尔已在该
  • 关键字: 英特尔  Fab  

X-Fab增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

  • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模拟/混合信号和专业晶圆代工厂X-Fab Silicon Foundries SE(X-Fab)日前推出了其XP018高压互补型金属氧化物半导体(CMOS)制造平台的更新。5月16日发布的一篇新闻稿表示,该平台现在包括全新的40 V和60 V高压基础器件,可提供可扩展的安全工作区(安全工作区)以提高运行稳健性。这些第二代器件在RDSon数据上也有显著降低,与此前版本相比降低
  • 关键字: X-Fab  180纳米  高压CMOS代工  

联电新加坡Fab 12i P3新厂首批设备到厂

  • 据联电(UMC)官网消息,5月21日,联电在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼,首批设备到厂,象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。据悉,联电曾表示新加坡Fab12i P3旨在成为新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一,提供22/28nm制程,以支持5G、物联网和车用电子等领域需求,总投资金额为50亿美元。据了解,联电早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3厂的扩建计划。当时消息称,新厂第一期月产能规划30,000片晶圆,2024年底开始量产,后又在2022年底称,在过程中因缺工缺料及
  • 关键字: 联电  Fab  设备  

X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高压CMOS半导体制造平台,增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA,提高运行稳健性。与上一代平台相比,此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%,为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案,基于低掩模数5V单栅极核心模块,支持-40°C
  • 关键字: X-FAB  180纳米  高压CMOS  代工  

X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求,X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018(180纳米)上开放了背照(BSI)功能。BSI工艺截面示意图通过BSI工艺,成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被后端工艺的金属层所遮挡,从而大幅提升传感器的填充比,最高可达100%。由于其能够获得更高的像素感光灵敏度,因而在暗
  • 关键字: X-FAB  图像传感器  背照技术  CMOS传感器  

芯科科技Si7210系列霍尔效应磁性传感器

  • 霍尔效应磁性传感器,也称为霍尔传感器,是一种基于霍尔效应原理制作而成的磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,由美国物理学家Edvin Hall于1879年发现。霍尔传感器具有工作频带宽、响应快、体积小、灵敏度高、无触点、便于集成化、多功能化等优点,而且便于与计算机等其他设备连接。霍尔传感器的工作原理是,当一个有电流的物体被放置在磁场中时,如果电流方向和磁场方向相互垂直,则在同时垂直于磁场和电流方向的方向上会产生横向电位差,这个现象就是霍尔效应,由此产生的电位差称为霍尔电压。霍尔传感器就是基于这个原理制作的
  • 关键字: 芯科科技  Silicon Lab  霍尔效应磁性传感器  

芯科科技:推动Matter标准,引领智能家居未来

  • 随着2023年的波折逐渐平息,2024年的半导体市场正迎来更加充满不确定性的挑战。电子产品世界有幸采访到了芯科科技家居和生活业务高级营销总监Tom Nordman,就公司的发展状况、市场波动、技术应用及未来展望等方面进行了深入探讨。 芯科科技家居和生活业务高级营销总监,Tom NordmanTom Nordman首先回顾了芯科科技在2023年的整体发展。他表示,近年来物联网蓬勃发展,并且在未来很长一段时间内保持向上发展的态势。智能家居作为物联网的重要应用领域之一,虽然因地产行业近期相对低迷,导致
  • 关键字: 芯科科技  Silicon Lab  智能家居  Matter  

格科微发布系列5000万像素图像传感器

  • 12月22日,科创板上市公司格科微(688728.sh)成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式,及2023年产品推介会暨CEO交流会。图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式.JPG以让世界看见中国的创新为使命,格科微经过二十年的发展,成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型,迎来了历史最佳的经营局面。值此良机,格科微高端产品再传佳讯,公司推出三款全新单芯片高阶产品,为未来加速核心技术产品化,迈向崭新的发展阶段奠定了基础。整个活动,政府领
  • 关键字: Fab-Lite  格科微  5000万像素  图像传感器  
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