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180纳米 文章 进入180纳米技术社区

X-Fab增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

  • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模拟/混合信号和专业晶圆代工厂X-Fab Silicon Foundries SE(X-Fab)日前推出了其XP018高压互补型金属氧化物半导体(CMOS)制造平台的更新。5月16日发布的一篇新闻稿表示,该平台现在包括全新的40 V和60 V高压基础器件,可提供可扩展的安全工作区(安全工作区)以提高运行稳健性。这些第二代器件在RDSon数据上也有显著降低,与此前版本相比降低
  • 关键字: X-Fab  180纳米  高压CMOS代工  

X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高压CMOS半导体制造平台,增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA,提高运行稳健性。与上一代平台相比,此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%,为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案,基于低掩模数5V单栅极核心模块,支持-40°C
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微捷码加大对台积电工艺的支持力度

  •   芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布,Quartz™ DRC和Quartz LVS规则集现可应用于台积电(TSMC)180纳米工艺技术。通过这种支持力度的加大,设计师现在能够从TSMC-Online(SM)网站下载到Quartz DRC和Quartz LVS的40纳米、65纳米、90纳米、130纳米和180纳米规则集(rule decks)。   “多年来,我们一直采用微捷码的Quartz DRC和Quartz LVS进行先进工艺节点设计。我们
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180纳米介绍

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