三星最新推出的Galaxy Watch 7，继续重新定义可穿戴技术的极限。这款最新型号承袭了其前身产品的成功之处，同时在性能、健康追踪和用户体验方面实现了重大突破。TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在对其进行拆解和详细的技术分析。敬请期待我们对Galaxy Watch 7内部结构的深入分析，我们将揭示这款设备在智能手表领域脱颖而出的原因。 Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000处理器。这款最新的Exyn
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三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 处理器 3nm GAA
7月14日消息，据媒体报道，三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行，这一频率不仅超越了此前的预期，而且比苹果A15 Bionic更省电，效率表现更为出色。此前，有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心，特别是在Galaxy S25系列手机的稳定首发方面。不过三星在月初的声明中，对外界关于3nm工艺良率不足20%的传闻进行了否认，强调其3nm GAA工艺的良率和性能已经稳定，产
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三星 3nm Exynos 2500 3.20GHz
据外媒报道，台积电的2nm制程工艺将开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产，生产设备已进驻厂区并安装完毕，相较市场普遍预期的四季度提前了一个季度。芯片制程工艺的风险试产是为了确保稳定的良品率，进而实现大规模量产，风险试产之后也还需要一段时间才会量产。在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家是多次提到在按计划推进2nm制程工艺在2025年大规模量产。值得一提的是，台积电在早在去年12月就首次向苹果展示了其2nm芯片工艺技术，预计苹果将包下首批的2nm全部产能。台积电2nm步入GAA时代作为3n
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7月8日消息，业内人士手机晶片达人爆料，台积电6nm、7nm产能利用率只有60%，明年1月1日起台积电会降价10%。与之相反的是，因3nm、5nm先进制程工艺产能供不应求，台积电明年将涨价5%-10%。业内人士表示，台积电3nm涨价底气在于，苹果、高通、英伟达与AMD等四大厂包揽台积电3nm家族产能，甚至出现了排队潮，一路排到2026年。受此影响，采用台积电3nm制程的高通骁龙8 Gen4价格将会上涨，消息称骁龙8 Gen4的最终价格将超过200美元，也就是说单一颗芯片的价格在1500元左右，相关终端价格
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《科创板日报》8日讯，联发科、高通新一波5G手机旗舰芯片将于第四季推出，两大厂新芯片都以台积电3nm制程生产，近期进入投片阶段。台积电再添大单，据了解，其3nm家族制程产能客户排队潮已一路排到2026年。在台积电3nm制程加持之下，天玑9400的各面向性能应当会再提升，成为联发科抢占市场的利器。高通虽尚未公布新一代旗舰芯片骁龙8
Gen 4亮相时间与细节，外界认为，该款芯片也是以台积电3nm制程生产，并于第四季推出。价格可能比当下的骁龙8 Gen
3高25％~30％，每颗报价来到220美元~240
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7月3日消息，三星今天正式发布了其首款3nm工艺芯片——Exynos W1000。这款芯片专为可穿戴设备设计，预计将应用于即将推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工艺，搭载了1个Cortex-A78大核心和4个Cortex-A55小核心，其中大核心的主频达到1.6GHz，小核心主频为1.5GHz。与前代产品Exynos W930相比，W1000在单核性能上实现了3.4倍的提升，在多核性能上更是达到了3.
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IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）发布声明，否认“三星代工业务 3nm 晶圆缺陷”的报道，认为这则传闻“毫无根据”。此前有消息称三星代工厂在量产第二代 3nm 工艺过程中发现缺陷，导致 2500 个批次（lots）被报废，按照 12 英寸晶圆计算，相当于每月 65000 片晶圆，损失超过 1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 52.34 亿元人民币）。三星驳斥了这一传言，称其“毫无根据”，仍在评估受影响生产线的产品现状。业内人士认为，报道中的数字可能被夸大了，并指出三星的
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三星 3nm 晶圆代工
英特尔周三表示，其名为Intel 3的3nm级工艺技术已在两个工厂进入大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的电压，适用于超高性能应用。该节点针对的是英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内发展。英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示：“我们的英特尔3正在俄勒冈州和爱尔兰的工厂进行大批量生产，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'处理器
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Intel 3 3nm 工艺
此前有报道称，明年谷歌可能会改变策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更换代工厂，改用台积电代工，至少在制造工艺上能与高通和联发科的SoC处于同一水平线。为了更好地进行过渡，谷歌将扩大在中国台湾地区的研发中心。随后泄露的数据库信息表明，谷歌已经开始与台积电展开合作，将Tensor
G5的样品发送出去做验证。据Wccftech报道，谷歌与台积电已达成了一项协议，后者将为Pixel系列产品线生产完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困扰，而Tenso
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6月23日消息，据媒体报道，Exynos 2500的良品率目前仅为20%，远低于量产标准，但三星仍在积极寻求解决方案，以期在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC，该工艺相较于前代4nm FinFET工艺，在能效和密度上预计有20%至30%的提升。然而，低良品率的问题可能导致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平台，这将增加成本并可能影响产品定价。三星对Exynos 2500寄予厚望，该芯片在性能测试中显示出超越高通第三代骁龙8的潜力
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据外媒报道，英特尔周三表示，其名为“Intel 3”的3nm制程技术已在俄勒冈州和爱尔兰工厂开始大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。据介绍，新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的超高性能应用电压。该节点既针对英特尔自己的产品，也针对代工客户，将在未来几年不断发展。英特尔一直将Intel 3制造工艺定位于数据中心应用，这些应用需要通过改进的晶体管（与Intel 4相比）、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持<0.6V低压以及&g
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英特尔 3nm
6月17日，据台媒《工商时报》报道，在产能供不应求的情况下，台积电将针对3nm/5nm先进制程和先进封装执行价格调涨。其中，3nm代工报价涨幅或在5%以上，而2025年度先进封装报价也将上涨10~20%。
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台积电 制程 封装 3nm 5nm 英伟达 CoWoS
6月16日消息，据媒体报道，随着台积电3纳米供不应求，预期台积电3纳米订单满至2026年，NVIDIA、苹果、AMD和高通等都在考虑提高AI硬件价格。在AI服务器、HPC应用与高阶智能手机AI化驱动下，苹果、高通、英伟达、AMD等四大厂传大举包下台积电3纳米家族制程产能，并涌现客户排队潮，一路排到2026年。业界认为，在客户抢着预订产能下，台积3纳米家族产能持续吃紧，将成为近二年常态。由于供不应求的局面，台积电正在考虑将部分5纳米设备转换为支持3纳米产能，预计月产能有望提升至12万片至18万片。尽管台积电
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芯片设计公司Arm今日发布了针对旗舰智能手机的新一代CPU和GPU IP（设计方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新产品均使用了其最新的Armv9架构，基于台积电3nm制程工艺方案，针对终端设备在AI应用上的性能进行设计优化。此外还将提供软件工具，让开发人员更容易在采用Arm架构的芯片上运行生成式AI聊天机器人和其他AI代码。预计搭载最新内核设计的手机将于2024年底上市。据官方介绍，新的CPU与GPU IP是目前旗下同类产品中性能最强的一代，新CPU性能提升3
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IT之家 5 月 27 日消息，X 平台消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料，表示英伟达有望于明年推出的首款 AI PC 处理器将采用英特尔“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回应另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文时发表这一看法的：@XpeaGPU 认为英伟达的 WoA SoC 将搭载 Arm Coretex-X5 架构 CPU 内核、英伟达 Blackwell 架构 GPU，封装下一代 LPDDR6 内存，并基于台积电 N3P 制程。
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