- 快科技3月25日消息，据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，用于光刻设备。中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，由自制的Yb:YAG晶体放大器
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DUV光刻机 3nm
- 3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工程学会（SPIE）的官网上。目前，全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氩（ArF）准分子激光技术。这种技术通过氩（Ar）和氟（F）气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193纳米波长的光子。这些光子以短脉冲、高能量形式发射，输出功
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制程 DUV光刻机
duv光刻机介绍
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