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外媒:台积电今年10月份开始安装3nm芯片生产设备

  • 据国外媒体报道,在芯片制造工艺方面走在行业前列的芯片代工商台积电,在2018年率先量产7nm芯片之后,今年将大规模量产5nm芯片,外媒此前的报道显示,台积电今年4月份就将开始为相关客户大规模生产5nm芯片。在7nm投产已两年、5nm工艺即将大规模量产的情况下,台积电也将注意力放在了更先进的3nm工艺上。在最新的报道中,外媒就提到了台积电3nm工艺方面的消息,其表示今年10月份,台积电就将开始安装生产3nm芯片的设备。3nm工艺是5nm之后,芯片制造工艺的一个重要节点。在2019年第四季度的财报分析师电话会
  • 关键字: 台积电  3nm  

面向3nm及以下工艺,ASML新一代EUV光刻机曝光

  • 很快,台积电和三星的5nm工艺即将量产,与此同时,台积电和三星的3nm工艺也在持续的研发当中。而对于5nm及以下工艺来说,都必须依靠EUV(极紫外)光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应EUV光刻机,那就是荷兰的ASML。很快,台积电和三星的5nm工艺即将量产,与此同时,台积电和三星的3nm工艺也在持续的研发当中。而对于5nm及以下工艺来说,都必须依靠EUV(极紫外)光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应EUV光刻机,那就是荷兰的ASML。目前ASML出货的EUV光刻机主要是NXE:340
  • 关键字: 3nm  EUV  

Intel最新制程路线图曝光:10nm+++得到证实、2029年上马1.4nm

  • 原文流传年的幻灯片并非出自Intel官方,而是荷兰光刻机巨头ASML在Intel原有幻灯片基础上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm规划均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路线图。Intel官方原始幻灯片如下:在IEDM(IEEE国际电子设备会议上),有合作伙伴披露了一张号称是Intel 9月份展示的制造工艺路线图,14nm之后的节点一览无余,甚至推进到了1.4nm。让我们依照时间顺序来看——目前,10nm已经投产,7nm处于开发阶段,5nm处于技术指标定义阶段,3nm处于探索、先导阶
  • 关键字: 英特尔  10nm  7nm  5nm  3nm  

三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能大涨35%

  • 尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完成开发了。三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些,导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单,三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上,预计2021年量产。在3nm节点,三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺,其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管
  • 关键字: CPU处理器,3nm  

台积电:3nm工艺进展顺利 已有客户参与

  • 如今在半导体工艺上,台积电一直十分激进,7nm EUV工艺已经量产,5nm马上就来,3nm也不远了。台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露,台积电的N3 3nm工艺技术研发非常顺利,已经有早期客户参与进来,与台积电一起进行技术定义,3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。目前,3nm工艺仍在早期研发阶段,台积电也没有给出任何技术细节,以及性能、功耗指标,比如相比5nm工艺能提升多少,只是说3nm将是一个全新的工艺节点,而不是5nm的改进版。台积电只是说,已经评估了3n
  • 关键字: 台积电  3nm  

国产3nm半导体来了?只是学术进展

  • 今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展,香港《南华早报》称中科院微电子所团队的殷华湘等人研究出了3nm晶体管,相当于人类DNA链条宽度,这种晶体管解决了玻尔兹曼热力学的限制。
  • 关键字: 3nm  半导体  

台积电Q1净利润暴跌32% 今年砸80亿美元研发7/5/3nm工艺

  • 作为全球晶圆代工市场的一哥,台积电一家就占了全球50-60%的份额,几乎吃下所有7nm先进订单。不过今年遇到了半导体市场熊市,台积电Q1季度营收、盈利也不免受影响下滑,净利润暴跌了32%。不过台积电今年依然要砸钱研发新工艺,预计会在7nm、5nm及3nm工艺研发上投资80亿美元之多。
  • 关键字: 台积电  Q1  7/5/3nm  

三星2021年量产3nm工艺 性能提升35%

  • 在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时,三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国分会上,三星宣布四种FinFET工艺,涵盖了7nm到4nm,再往后则是3nm GAA工艺了,通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面积缩小45%。
  • 关键字: 三星  3nm  

三星即将宣布3nm以下工艺路线图 挑战硅基半导体极限

  • 在半导体晶圆代工市场上,台积电TSMC是全球一哥,一家就占据了全球50%以上的份额,而且率先量产7nm等先进工艺,官方表示该工艺领先友商一年时间,明年就会量产5nm工艺。在台积电之外,三星也在加大先进工艺的追赶,目前的路线图已经到了3nm工艺节点,下周三星就会宣布3nm以下的工艺路线图,紧逼台积电,而且会一步步挑战摩尔定律极限。
  • 关键字: 三星  台积电  3nm  

3nm争夺战已打响

  • 科技的发展有时超出了我等普通人的想象,今年台积电才开始量产7nm,计划明年量产5nm,这不3nm又计划在2022年实现量产,这样的大踏步前进可以说是竞争争夺激烈的结果、也是科技快速发展的结果。
  • 关键字: 3nm  台积电  

三星已成全球芯片霸主,规划芯片制程路线:2022年要上3nm

  •   5月28日,三星电子在位于美国的 2018 年三星半导体代工论坛上,公布其全面的芯片制程技术路线图,目前已经更新至 3nm 工艺。  据介绍,三星的 7nm LPP 将成为该公司首款使用EUV(极紫外光刻)方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为 LPE 和 LPP 两代,不过 7nm 算是个例外,没有 LPE。之前已公布,三星 7nm LPP 将于 2018 年下半年量产,2019 年的高通和三星芯片有望采用该制造工艺。  三星表示,在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 将为 So
  • 关键字: 三星  芯片  3nm  

从7nm到3nm GAA,三星为何激进地采用EUV?

  • 半导体业界为EUV已经投入了相当庞大的研发费用,因此也不难理解他们急于收回投资。虽然目前还不清楚EUV是否已经100%准备就绪,但是三星已经迈出了实现大规模量产的第一步。
  • 关键字: 三星  EUV  3nm   

台积电计划2022年量产3nm芯片

  •   台积电在8月14日宣布,公司董事会已批准了一项约45亿美元的资本预算。未来将会使用该预算来修建新的晶圆厂,而现在中国台湾媒体报道称,台积电计划2020年开始建造3nm制程的晶圆厂,希望能够在2022年实现3nm制程芯片的量产。  根据台湾《经济日报》的报道,台湾相关部门通过了「台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计划环差案」,这项议案主要是为了台积电全新的晶圆制造厂而打造。  据悉,台积电计划2020年开始建造最新的3nm制程的晶圆厂,同时最快可以在2022年实现对于3nm制程芯片的量产。目前台积
  • 关键字: 台积电,3nm,芯片  

aveni S.A. 运用创新电镀化学,将铜互连扩展至5nm及以下节点以实现BEOL集成

  •   为2D互连和3D硅穿孔封装提供颠覆性湿沉积技术与化学材料的开发商与生产商aveni S.A.今日宣布,其已获得成果可有力支持在先进互连的后段制程中,在5nm及以下技术节点可继续使用铜。  「值此铜集成20周年之际,我们的研究结果证实了IBM研究员Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主题演讲中所表达的意见:『铜集成可持续使用』。」aveni执行长Bruno Morel指出。  由于器件要满足(和创
  • 关键字: aveni  3nm  

暗流涌动 晶圆市场强者生存

  • 目前晶圆代工市场三强分立,Intel、三星、台积电都在积极备战之中。而中国市场也是这些大佬的兵家必争之地,拥有了中国市场便拥有了全世界。晶圆市场暗流涌动,鹿死谁手犹未可知。
  • 关键字: 晶圆  3nm  
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