据韩国媒体报道，三星的4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，标志着该技术正式进入成熟阶段。这一进展显著增强了三星在晶圆代工领域的竞争力，使其能够与中国台湾半导体厂商台积电展开正面对决，同时更好地满足全球科技巨头尤其是AI领域对高性能芯片的需求。三星平泽园区是此次技术突破的核心阵地。该园区目前不仅生产5nm和7nm芯片，还已具备供应4nm芯片的能力。这些芯片可广泛应用于AI加速器、汽车电子及移动设备领域，甚至可用作第六代HBM4内存芯片的基底芯片。业内人士分析，此次良率的提升将帮助三星晶圆代工业务
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三星 4nm 制程良率
据韩国至顶网（ZDNET Korea）2月4日报道，三星电子旗下晶圆代工业务拟对部分制程价格进行调整，主要涉及4nm与8nm工艺，预计涨幅约在10%左右。业内人士透露，这两项工艺已进入成熟阶段，良率趋于稳定，且被认为接近“实际产能极限”。其中，注重性能的客户更倾向于选择4nm工艺，而对价格敏感的客户则偏向8nm工艺。具体涨幅可能因客户类型和工艺不同而有所差异。通过此次价格调整，三星电子晶圆代工部门有望为自身工艺研发提供资金支持，同时提升中长期盈利能力。与此同时，台积电此前已多次上调工艺价格，主要原因是AI
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经济新闻日报》道，台积电将于 10 月破土动工，耗资 490 亿美元的 Fab 25 工厂用于其 1.4 纳米工艺。1.4nm 的试生产计划于 2027 年底在构成 Fab 25 的四个晶圆厂中的第一个进行。Fab 25 将在台中市附近的台湾中部科学园区举行。所有四个晶圆厂都将运行 1.4nm 工艺，能够生产 50k wpm。该工厂将容纳四家工厂，最初的晶圆厂计划于 2027 年底开始试生产，并于 2028 年下半年量产。台积电的第二代 GAA 工艺 1.4nm 工艺与 20nm 工艺相比，逻辑密度超过
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据报道，随着主要竞争对手台积电和英特尔的目标是在 2025 年下半年实现 2nm 和 18A 的量产，三星也在调整其业务战略。据 ZDNet 称，它现在专注于提高和优化其当前先进节点的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，虽然没有给出修改后的时间表，但该报告表明，三星的 1.4nm 生产现在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前开始。据 ZDNet 称，该更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高级代工生态系统）论坛 2025”期间发布的。据报道，在此次活动中，三星透
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据韩媒etnews于6月18日报道，三星电子近期在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe（统一芯粒互联接口）是一种通用的芯粒互联标准，能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信，从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化，以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行，表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
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据台媒报道，台积电位于美国亚利桑那州的晶圆厂已经完成了为苹果、英伟达（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，数量达到了2万片晶圆，目前这些芯片已经送往中国台湾进行封装。这批在台积电亚利桑那州晶圆厂生产的4nm制程晶圆，其中包括了英伟达Blackwell AI GPU、苹果公司面向iPhone的A系列处理器和AMD第五代EPYC数据中心处理器。由于台积电目前在美国没有封装厂，因此这些晶圆还需要发送到中国台湾的台积电的先进封装厂利用CoWoS技术进行先进封装。虽然台积电也计划在美国建设两座先进封装厂，但是目
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台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其对下一代高数值孔径 EUV 光刻工具的长期立场。该公司的下一代工艺技术不需要这些最高端的光刻系统，包括 A16（1.6 纳米级）和 A14（1.4 纳米级）工艺技术。为此，TSMC 不会为这些节点采用 High-NA EUV 工具。“当台积电使用 High-NA 时，人们似乎总是很感兴趣，我认为我们的答案非常简单，”副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁 Kevin Zhang 在活动中说。“每当我们看到 High-NA 将提供有意义、可衡
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4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为PowerDirect。陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚
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台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
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移动处理器大厂高通（Qualcomm）计划推出一款新的4纳米高端芯片组，虽然定位低于旗舰级的Snapdragon 8 Elite，但性能依然备受市场关注。 最新消息指出，这款可能命名为Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍倾向于与老伙伴台积电合作，而非选择三星代工。追踪三星相关消息的南韩科技媒体SamMobile报导，尽管三星的4纳米制程已经通过测试，也经过市场验证，看似有抢单的机会，然而高通似乎仍对三星持保留态度，最终还是决定交由台积电独家代工这款新芯片。其实三星早在2021年就以第
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3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平台发布推文，分享了高通骁龙 8s 至尊版芯片的更多细节，并透露该芯片的各项配置更接近于骁龙 8s Gen 3 芯片。援引博文介绍，高通骁龙 8s 至尊版采用 4nm 制程工艺，没有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：骁龙8s Gen 38s Elite8 Elite节点4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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知情人士称，苹果在台积电美国亚利桑那州工厂（Fab 21）生产的4nm芯片已进入最后的质量验证阶段，英伟达和AMD也在该厂进行芯片试产。不过，台积电美国厂尚不具备先进封装能力，因此芯片仍需运回台湾封装。有外媒在最新的报道中提到，去年9月份就已开始为苹果小批量代工A16仿生芯片的台积电亚利桑那州工厂，目前正在对芯片进行认证和验证。一旦达到质量保证阶段，预计很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度开始向苹果设备供货。▲ 台积电亚利桑那州晶圆厂项目工地，图源台积电官方台积电位于亚利桑那州的在美晶圆厂项目
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据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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12月30日消息，据国外媒体报道称，台积电亚利桑那工厂将于2025年下半年开始量产4nm工艺，苹果、英伟达、AMD 和高通等客户将成为主要受益者。不过，对于消费者来说就不那么友好了，因为如果真是这样的话，那么大家要承担30%涨价。为什么这么说？报道中提到，台积电的4nm工艺将在亚利桑那州工厂的一期（1A）厂区投产，但生产成本预计将比现有的高出30%，这是美国客户需要考虑的问题。据悉，该工厂将负责4nm生产，但这是第一阶段的计划，因为在第二阶段，台积电计划在2028年量产2nm，尽管目前这还有点不确定。按照
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据彭博社援引消息称，台积电美国亚利桑那州晶圆厂项目首座工厂4nm产线的试产良率已与台积电位于台湾地区的南科厂良率相近。台积电在回应彭博社报道的电子邮件中表示，其亚利桑那州项目“正在按计划进行，进展良好”。根据此前的信息显示，台积电美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月中旬完成了第一条生产线的架设，并开始接电并投入基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，而根据彭博社最新的报道来看，基于该生产线的第一批试产的4nm晶圆良率如果与南科厂良率相当，那么表明其后续如果量产，良率将不是问题。根据规划，台积电将在美国亚利
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