台积电重申1.4nm级工艺技术不需要高数值孔径EUV

台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其对下一代高数值孔径 EUV 光刻工具的长期立场。该公司的下一代工艺技术不需要这些最高端的光刻系统，包括 A16（1.6 纳米级）和 A14（1.4 纳米级）工艺技术。为此，TSMC 不会为这些节点采用 High-NA EUV 工具。

“当台积电使用 High-NA 时，人们似乎总是很感兴趣，我认为我们的答案非常简单，”副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁 Kevin Zhang 在活动中说。“每当我们看到 High-NA 将提供有意义、可衡量的好处时，我们就会这样做。对于 A14，我之前谈到的增强在不使用 High-NA 的情况下非常显着。因此，我们的技术团队继续寻找一种方法来延长当前 EUV 的使用寿命，同时获得扩展优势。

台积电的 A14 工艺依赖于该公司的第二代纳米片栅极全环绕晶体管，以及新的标准单元架构。据台积电称，A14 在相同的功率和复杂性下提供高达 15% 的性能提升，或者在相同频率下降低 25% 至 30% 的功耗。在晶体管密度方面，A14 在混合逻辑/SRAM/模拟配置方面比 N2 提高了 20%，在纯逻辑方面提高了 23%。

这种性能、功率和晶体管密度的增加代表了所谓的“全节点优势”，然而，台积电不需要下一代高数值孔径 EUV 光刻工具，即可在其 A16 和 A14 工艺技术上生产具有可预测良率和所需性能和功率特性的芯片。应该记住，台积电的 A16 本质上是 N2P，具有超级电源轨 （SPR） 背面供电网络。由于台积电不需要用于 N2 和 N2P 的高数值孔径 EUV 工具，因此 A16 也不需要它们。相比之下，A14 是一个全新的节点，将在 2028 年用于量产，因此台积电不需要 High-NA 这一事实是相当了不起的。

当被问及 A14 是否严重依赖多重图形化时，张先生回答说他无法就具体细节发表评论，但表示台积电的技术团队已经找到了一种在 1.4nm 节点上生产芯片的方法，而无需使用高数值孔径 EUV 工具，与低数值孔径 EUV 系统的 13.5nm 分辨率相比，该工具可提供 8nm 分辨率。

“这是我们技术团队的一项伟大创新，”Zhang 说。“只要他们继续找到方法，显然，我们就不必使用 High-NA EUV。最终，我们将在某个时候使用它。因此，我们需要找到一个正确的拦截点，提供最大的收益，最大的投资回报。

值得注意的是，台积电的 A14 将在 2029 年被具有 SPR 背面供电的 A14 取代，而且代工厂似乎也不会在这次迭代中需要高 NA EUV 工具。为此，与英特尔不同，英特尔将在 2027 年至 2028 年开始使用采用其 14A 制造技术的下一代 EUV 光刻机来减少 EUV 曝光（阅读：多重图形化）和工艺步骤的数量，台积电至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都没有计划使用 High-NA EUV 进行大规模生产。