- 据韩媒《首尔经济》援引业界消息透露，三星电子第六代高带宽存储器（HBM4）的良品率近期已接近80%。在半导体制造领域，80%的良品率通常被视为“黄金良率”，这意味着产品不良率被控制在极低水平，企业具备了稳定交付的成熟量产能力，从而实现利润最大化。2026年2月该产品刚开始量产出货时，其良品率尚不足60%。业界此前普遍预测，三星需等到2026年年底才能将良品率提升至80%的水平。然而，随着下半年生产规模的扩大，其工艺改进速度大幅超出市场预期，仅用约半年时间便实现了良品率的稳定。分析人士指出，这一突破主要得益
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- 三星电子在2026年第二季度业绩电话会上表示，已与全球五家最大的数据中心企业签署供应协议，并接近与另外五家大型客户达成合作。公司计划让长期协议覆盖约三分之二内存产出，并预计第三季度HBM4收入增长至上一季度的三倍以上。五年期合同含预付款和价格下限三星存储业务执行副总裁Jaejune Kim在电话会上透露，几乎所有客户都在要求多年期供应合同，合同期限通常至少五年，并包含预付款和价格下限条款。预付款和价格下限的设计，旨在对冲大额资本投资的下行风险——存储芯片制造需要巨额的建厂和设备投入，而半导体周期波动可能导
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长期供应协议
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- 近日，三星电子公布2026年第二季度业绩，存储业务继续刷新季度纪录。公司表示已扩大HBM4销售，并向主要客户送出首批HBM4E样品。三星在业绩公告中确认，HBM4已进入扩大销售阶段，意味着该产品已通过主要客户认证并在量产爬坡中。与此同时，公司向客户送出了首批HBM4E样品，表明下一代HBM技术的研发已推进至客户测试环节。HBM4E是HBM4的演进版本，在带宽和容量上进一步提升，面向更高端的AI训练和推理需求。样品送交客户是量产前认证流程的起点，通常需要经历数个季度的验证和优化才能进入规模出货。在HBM产品
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- 混合键合一直是下一代存储芯片主流堆叠方案的热门技术，但韩国媒体报道称，联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽相关标准后，三星与 SK 海力士或将在 HBM4 产品中放弃搭载这项工艺。旧版规范规定下一代 HBM 存储堆叠总厚度上限为 900 微米，新标准则将厚度放宽至 1000 微米。报道：行业标准放宽，存储厂商下一代 HBM 或跳过混合键合早在今年 4 月就有消息传出 SK 海力士有意布局混合键合技术，当时报道称这家韩企已完成 12 层堆叠 HBM 芯片的混合键合验证，原计划在 HBM4 量产阶段落地该
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混合键合
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- 随着全球人工智能（AI）算力需求迎来爆发式增长，SK 海力士、三星电子与美光科技三大存储器巨头的技术博弈，已悄然转移至散热战场。不再只拼层数 内存三大巨头打响HBM散热战。 （图：shutterstock）随着英伟达证实三家芯片制造商均已通过认证并投产，可为最新 AI 平台「Vera Rubin」供应最先进的高带宽内存（HBM），意味着 HBM4 的大规模量产已箭在弦上。然而，在HBM4走上台前的同时，下一代HBM5的研发竞速也已拉开序幕，而这一次，决定胜负的关键指标不再仅是堆叠层数与传输速度，而是「芯片
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- AI算力竞赛持续升级，高带宽记忆体（HBM）正式迈入新一轮技术分水岭。 随AMD与三星半导体宣布扩大策略合作，锁定HBM4与下一代AI存储器解决方案开发，市场关注焦点已不再局限于DRAM堆叠本身，而是转向「Base Die（逻辑基底芯片）」设计能力。 创意近期完成HMB4 PHY及控制IC之测试片（Testchips），可对标「首家内存厂HBM4样品」; 半导体业界推测，随着Base Die往先进制程推进，内存大厂将越发依赖ASIC业者奥援。AMD与三星合作，核心在于下一代Instinct MI455X
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- 2026 年 3 月 16 日，美光科技在英伟达 GTC 2026 大会上正式发布重磅消息：旗下HBM4 高带宽内存、SOCAMM2 内存模块以及业内首款 PCIe 第六代数据中心固态硬盘，均已实现大规模量产并开启批量出货，全系列产品均为英伟达 Vera Rubin AI 平台量身打造，将为智能体 AI、高性能计算等负载提供核心存储算力支撑。核心产品量产信息HBM4 高带宽内存首批量产的为 36GB 12 层堆叠版本，已于 2026 年第一季度出货，引脚速率超 11Gb/s，可提供超 2.8TB/s 的内
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第六代固态硬盘
- 美光科技股价在 3 月 9 日（周一）上涨约 2.3%，花旗与萨斯奎汉纳两家机构也上调了其目标股价，此番变动正值该芯片制造商即将于 3 月 18 日发布财报之际。韩国媒体上周末报道称，英伟达的 Vera Rubin 人工智能系统将采用三星电子和海力士的 HBM4 芯片，并未选择美光。截至当日午后交易时段，美光股价报 378.78 美元。美光将于 3 月 18 日公布 2026 财年第二季度业绩，这也让相关争议有了新的讨论意义，投资者正密切关注美光能在新一轮人工智能存储芯片周期中占据多少市场份额。高带宽内存
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- 当三星在HBM4时代弯道超车，重新获得英伟达的青睐并可能承接最大份额订单，低利润的2D NAND就成为产能重构下的弃子。 2026 年 2 月末，三星电子宣布将关停其韩国华城工厂 12 号线的 2D NAND 闪存生产 —— 这是三星最后一条 2D NAND 产线，此举标志着自 2002 年开启的平面闪存量产时代正式落幕。这座月产能达 8 万至 10 万片 12 英寸晶圆的产线，将于 2026 年 3 月正式停工并改造为 1C DRAM 后道封测厂，聚焦 DRAM 布线等核心后道工序。这场产能调
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- JEDEC制定的第四代高带宽内存（HBM4）标准，以及新兴的第四代片上封装高带宽内存（SPHBM4）标准，实现了带宽提升与封装方案的拓展，助力人工智能和高性能计算系统突破内存与输入输出壁垒。过去二十年，高性能计算（HPC）和人工智能（AI）系统所使用处理器的原始计算能力实现了跨越式增长。图 1 展示了这一发展趋势：同一时期内，异构处理器（XPU）的浮点运算性能提升了逾 9 万倍，而动态随机存取存储器（DRAM）的带宽和互连带宽仅提升了约 30 倍。图1 20 年间 XPU 性能与互连带宽的增长情
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- 综合韩国媒体《首尔经济》、New Daily等报道，2026年2月12日清晨，三星天安园区使用大型低震动运输车，完成全球首批HBM4量产产品的出货。三星表示，本次出货的HBM4最高运行速率达13Gbps，远超行业此前预期的11.7Gbps，相较JEDEC标准的8Gbps快46%，也较前一代HBM3E的9.6Gbps提升超过35%。由于实际性能超出英伟达的规格要求，市场消息显示：在HBM3E阶段对三星产品持谨慎评估态度的英伟达，在测试三星HBM4样品后，反而主动要求提前量产进度。有分析认为，这批HBM4将搭
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- 总部位于美国的第三大DRAM供应商美光可能会被排除在英伟达的首批第六代高带宽内存（HBM4）供应链之外，预计英伟达、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供应将由韩国企业三星、SK海力士瓜分。但也有观点认为美光被排除在初始供应链之外的可能性很低，因为英伟达正在寻求使其HBM4市场的供应商多元化。半导体分析公司SemiAnalysis将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市场份额下调至0%，“目前没有迹象表明英伟达向美光订购HBM4”，并预测SK海力士将占据英伟达HBM4供应的70%份额，
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- 综合韩媒报道，三星电子和SK海力士在第六代高带宽内存（HBM4）领域均已掌握16层堆叠封装技术，并具备量产能力。不过，两家企业的技术路线存在差异：三星采用非导电薄膜热压缩（TC-NCF）技术，而SK海力士则选择了Advanced MR-MUF（先进模塑底部填充）技术。三星存储器事业部副社长金载俊（音译）在2025年第4季法说会上透露，三星已实现基于TC-NCF技术的16层HBM4堆叠封装技术达到可量产水准，能够及时满足客户需求。韩媒分析称，这意味着三星在10纳米级第六代1c DRAM的16层HBM4封装工
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- 2 月 2 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，高带宽内存（HBM）的量产节奏正在被重新改写。传统半导体产品一般都是先用样品完成客户的质量认证测试，通过之后才进入正式量产，但在 HBM 供应链上，为了紧跟核心客户需求，厂商开始在认证结束前就提前投产。当地时间 2 月 1 日的业内消息称，三星电子与 SK 海力士为了满足英伟达的 HBM 需求，在测试尚未完全结束的情况下，已经提前启动 HBM4 量产。SK 海力士在业绩说明中明确表示：“HBM4 自去年 9 月建立量产体系以来，正在按照客户要求的数
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- 1 月 28 日消息，据韩联社报道，在今年围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4 供应的竞争让半导体行业持续升温之际，业内消息称，SK 海力士已拿下最大客户英伟达超过三分之二的订单量。消息称英伟达今年用于下一代 AI 平台“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，约三分之二已分配给 SK 海力士，拿下了接近整体 70% 的供货份额。这一数据相比此前市场预计 SK 海力士将供应英伟达 50% 以上 HBM4 的水平，明显有所提升。去年年底，市场调研机构 Counterpoint 预测，今年全球 HBM
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- HBM4的量产最早推迟到第一季度末，TrendForce也因英伟达将其Rubin平台的引脚速度提升至超过11Gbps，海力士、三星和美光对引脚速度进行了重新设计。据称，这三家公司都提交了重新设计的样品。据称三星采用了比其他公司更先进的工艺，有望在供应Rubin发电产品方面抢占领先推迟上线的原因是对Blackwell持续强劲的需求。据说英伟达提高了B300/GB300的产量，并增加了HBM3e的订单。
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- 随着整体内存价格飙升和HBM4的临近，2026年可能成为存储巨头的又一个里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）发布的新年致辞中指出，即使HBM4在提升产能，HBM3E今年仍将成为主导产品，预计其将在2026年占HBM总出货量的约三分之二，而HBM4则逐渐获得市场支持。SK海力士强调，随着英伟达推出“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌和AWS等大型科技公司扩展基于ASIC的AI芯片内部开发，HBM3E正日益成为首选记忆。援引瑞银的言论，公司也表达了信心，有望成为谷歌最新TPU——v7p和v7
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- 最近，SK海力士完成了与英伟达的HBM4供应价格谈判。根据双方协议，HBM4的最终供应价格定在每颗约560美元，较上一代HBM3E（约370美元）涨幅超过50%。不过，由于HBM4采用更复杂的堆叠技术（如混合键合技术），以实现更高的互连密度和更小的节距，因此SK海力士在台积电生产的HBM4芯片总成本比上一代产品增加了30%。HBM4价格暴涨今年5月，集邦咨询曾在报告中预测，HBM4溢价幅度将突破30%，但SK海力士与英伟达的这场谈判超过了行业最初的预期。SK海力士向英伟达提出的HBM4报价为每颗540~5
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- HBM4！SK 海力士又赢了。
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- 市场传闻称，英伟达已开始开发自己的 HBM 基板晶圆，这一举动正在供应链中引起涟漪，因为它可能重塑下一代 HBM 格局。据《商业时报》报道，该芯片预计将基于 3 纳米工艺节点，小批量试生产计划于 2027 年下半年进行。英伟达的策略和 HBM4 路线图根据 TrendForce 的分析，这一举措表明英伟达正朝着定制化 HBM 基板晶圆的方向发展，将 GPU 部分功能集成到基板层中，旨在提升 HBM 和 GPU 系统的整体性能。值得注意的是，根据 TrendForce 的观察，英伟达将在 2027 年上半年
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- 美光本周宣布，该公司已开始向主要客户运送其下一代 HBM4 内存的样品。适用于下一代 AI 和 HPC 处理器的新内存组件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的带宽。美光的首批样品是 12 层高器件，具有 36 GB 内存，具有 2048 位宽接口以及约 7.85 GT/s 的数据传输速率。这些样品依赖于采用该公司 1ß （1-beta） DRAM 工艺技术制造的 24GB DRAM 器件，以及台积电使用其 12FFC+（2nm 级）或 N5（5nm 级）逻辑工艺技术生产的逻辑基础芯片。美光最新一代
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- 生成式AI持续爆发，推升高带宽记忆体（HBM）需求急遽攀升。 全球三大内存厂—美光、SK海力士与三星电子全面投入HBM4战局，争抢AI加速器内存主导权。 其中，美光抢先宣布送样，技术领先态势明显。美光12日宣布，已将最新12层堆叠、容量达36GB的HBM4，送样给多家全球客户。 该产品采用先进的1β DRAM制程，搭配2048位宽高速接口，单堆叠传输速率突破2.0 TB/s，效能较前一代HBM3E提升超过60%，能源效率亦提升逾20%，预计2026年正式量产。美光指出，HBM4具备内存内建自我测试（MBI
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- 三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽内存 （HBM） 将多个存储器件堆叠在基础芯片上。目前，HBM 堆栈中的内存芯片通常使用微凸块（在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用模塑底部填充质量回流 （MR-MUF） 或使用非导电膜 （TC-NCF） 的热压缩等技术进行键合。这些晶粒还使用嵌入在每个晶粒内的硅通孔
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- 4月16日，微电子行业标准制定者JEDEC固态技术协会正式发布了备受业界期待的HBM4标准。HBM4标准作为先前HBM3标准的升级版，将进一步提升数据处理速率，同时保持更高带宽、更高能效及每颗芯片/堆叠的容量等基本特征。HBM4带来的改进对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要，例如生成式人工智能(AI)、高性能计算、高端显卡和服务器。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。具体来看：●增加带宽：通过2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将
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- 据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。其中，HBM4采用2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将总带宽提高至2TB/s。 还支持 4 / 8 / 12 / 18 层 DRAM 堆栈和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，单堆栈容量可达 64GB。此外，HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（
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- 创意2日宣布，自主研发的HBM4控制器与PHY IP完成投片，采用台积电最先进N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装，成为业界首个实现12 Gbps数据传输速率之HBM4解决方案，为AI与高效能运算（HPC）应用树立全新里程碑。HBM4 IP以创新中间层（Interposer）布局设计优化信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保在CoWoS系列封装技术下稳定运行于高速模式。 创意指出，相较前代HBM3，HBM4 PHY（实体层）效能显著提升，带宽提升2.5倍，满足巨量数据传输需求、功耗效率提升1
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N3P
- AI 的火热，令 HBM 也成了紧俏货。业界各处都在喊：HBM 缺货！HBM 增产！把 DDR4/DDR3 产线转向生产 DDR5/HBM 等先进产品。数据显示，未来 HBM 市场将以每年 42% 的速度增长，将从 2023 年的 40 亿美元增长到 2033 年的 1300 亿美元，这主要受工作负载扩大的 AI 计算推动。到 2033 年，HBM 将占据整个 DRAM 市场的一半以上。可即便行业全力增产，HBM 供应缺口仍然很大，芯片巨头也急的「抓耳挠腮」。当下，
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- 据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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4nm
- 据媒体报道，日前，台积电11月欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，其有望在2027年认证超大版本的CoWoS（晶圆上芯片）封装技术，该技术将提供高达9个掩模尺寸的中介层尺寸和12个HBM4内存堆栈，推测它将在2027年至2028年被超高端AI处理器采用。据悉，这一全新封装方法将解决性能要求最高的应用，并让AI（人工智能）和HPC（高性能计算）芯片设计人员能够构建手掌大小的处理器。报道称，完全希望采用台积电先进封装方法的公司也能使用其系统级集成芯片（SoIC）先进封装技术垂直堆叠其逻辑，以进一步提高晶体管
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- 7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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