- 台积电在其 2025 年北美技术研讨会上透露，该公司按计划于 2024 年第四季度开始采用其性能增强型 N3P（第 3 代 3nm 级）工艺技术生产芯片。N3P 是 N3E 的后续产品，面向需要增强性能同时保留 3nm 级 IP 的客户端和数据中心应用程序。该技术将在今年下半年由 N3X 接替。TSMC 的 N3P 是 N3E 的光学缩小版，它保留了设计规则和 IP 兼容性，同时在相同漏电流下提供 5% 的性能提升，或在相同频率下提供 5% –
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台积电 N3P N3X
- 创意2日宣布，自主研发的HBM4控制器与PHY IP完成投片，采用台积电最先进N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装，成为业界首个实现12 Gbps数据传输速率之HBM4解决方案，为AI与高效能运算（HPC）应用树立全新里程碑。HBM4 IP以创新中间层（Interposer）布局设计优化信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保在CoWoS系列封装技术下稳定运行于高速模式。 创意指出，相较前代HBM3，HBM4 PHY（实体层）效能显著提升，带宽提升2.5倍，满足巨量数据传输需求、功耗效率提升1
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创意 HBM4 IP 台积电 N3P
- 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平台发布推文，曝料称高通第二代骁龙 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 单核成绩突破 4000 分，多核性能比初代骁龙 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代骁龙 8 至尊版芯片（高通骁龙 8Gen 5）将混合使用三星的 SF2 代工和台积电的 N3P 工艺。消息源还透露高通第二代骁龙 8 至尊版芯片和联发科天玑 9500 芯片均支持可扩展矩阵扩展（Scalable Matrix Extensio
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高通 骁龙 单核 多核 三星 SF2 代工 台积电的 N3P 工艺
- IT之家 5 月 17 日消息，台积电近日举办技术研讨会，表示其 3nm 工艺节点已步入正轨，N3P 节点将于 2024 年下半年投入量产。N3P 基于 N3E 工艺节点，进一步提高能效和晶体管密度。台积电表示 N3E 节点良率进一步提高，已经媲美成熟的 5nm 工艺。IT之家查询相关报道，台积电高管表示 N3P 工艺目前已经完成质量验证，其良品率可以接近于 N3E。作为一种光学微缩工艺，N3P 在 IP 模块、设计规则、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此台积电表示整个过渡过程非常顺利。N
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