财联社4月23日讯（编辑 马兰）据媒体报道，英特尔正委托台积电使用其2纳米制程生产Nova Lake CPU。考虑到英特尔自己拥有18A工艺，且一直宣传该工艺胜过台积电的2纳米技术，这份代工合同可能透露出一些引人深思的讯号。英特尔声称将为客户提供最好的产品，而这可能是其将Nova Lake生产外包给台积电的一个原因。但业内也怀疑，既然18A工艺已经投入了试生产，英特尔将生产外包可能是由于产能需求的驱动，而不是性能或回报等方面的问题。还有传言称，英特尔可能采取双源战略：既使用台积电的2纳米技术生产旗舰产品，
关键字：
英特尔 18A 工艺 2纳米芯片 台积电
随着半导体制造复杂性的不断增加，相关的排放量正在以惊人的速度增长。TechInsights Manufacturing Carbon Module 数据显示，位于俄勒冈州的下一代 2nm 晶圆厂将生产 ~30 万 MtCO2e 每年消耗超过 400 GWh 的电力。鉴于对电力和范围 2 排放的依赖，晶圆厂选址也起着重要作用，位于台湾的同等晶圆厂每年产生的排放量几乎是其三倍。有胜利。具有高晶体管密度的精细工艺可以大大减少每个晶体管的辐射。半导体制造的碳中和是可能的，但正如我们将要展示的那样，这需要
关键字：
2nm 工艺 202504
半导体芯片制程技术的创新突破，是包括英特尔在内的所有芯片制造商们在未来能否立足AI和高性能计算时代的根本。年内即将亮相的Intel 18A，不仅是为此而生的关键制程技术突破，同时还肩负着让英特尔重回技术创新最前沿的使命。那么Intel 18A为何如此重要？它能否成为助力英特尔重返全球半导体制程技术创新巅峰的“天命人”？RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术两大关键技术突破，会给出世界一个答案。攻克两大技术突破 实力出色RibbonFET全环绕栅极晶体管技术，是破除半
关键字：
英特尔 EDA 工艺
据外媒报道，近日，英特尔投资者关系副总裁John Pitzer在公开澄清了关于基于Intel 18A制程的首款产品——Panther Lake推迟发布的传闻。他表示，Panther Lake仍按计划于今年下半年发布，发布时间并未改变，且英特尔对于目前的进展非常有信心。报道中称，John Pitzer表示当前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake开发阶段的表现还要略胜一筹。几周前有技术论文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表现已与台积电N2工艺相当。“虽然技术比较存在多
关键字：
英特尔 芯片支撑 工艺
1 月 22 日消息，半导体互联 IP 企业 Blue Cheetah 美国加州当地时间昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶对裸晶互联 PHY 物理层芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先进制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高级 2.5D 和标准 2D 芯粒封装，总吞吐量突破 100 Tbps 大关，同时在面积和功耗表现上处于业界领先水平，将于 2025 年第二季度初在封装应用中接受硅特性分析。Blue Che
关键字：
三星 SF4X 工艺 Blue Cheetah 流片 D2D 互联 PHY
11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平台发布推文，曝料称高通第二代骁龙 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 单核成绩突破 4000 分，多核性能比初代骁龙 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代骁龙 8 至尊版芯片（高通骁龙 8Gen 5）将混合使用三星的 SF2 代工和台积电的 N3P 工艺。消息源还透露高通第二代骁龙 8 至尊版芯片和联发科天玑 9500 芯片均支持可扩展矩阵扩展（Scalable Matrix Extensio
关键字：
高通 骁龙 单核 多核 三星 SF2 代工 台积电的 N3P 工艺
IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日发布博文，宣布在美国加州成功交付首批 NuLink™-2.0 芯粒互连 PHY，该芯片采用 3nm 工艺制造。这项技术不仅实现了 64Gbps / bump 的行业最高性能，还在多芯粒架构中提供了卓越的带宽和低功耗解决方案，标志着半导体互连领域的一次重大突破。IT之家注：芯粒互连 PHY 是一种用于连接多个芯片小块（chiplet）的物理层接口，旨在实现高带宽、低延迟和低功耗的数据传输。Eliyan 的芯片互连 P
关键字：
芯片 芯片设计 工艺
多年来持续试跨越芯片制造工艺代差的华为公司29日表示，通过系统的设计和工程建设能解决算力与分析能力的问题，从而消除在芯片上的代差。未来芯片创新不应只在单点的芯片工艺上，而是应该在系统架构上，要用空间、带宽、能源来换取芯片工艺上的缺陷。据《快科技》报导，在今天的数据大会上，华为常务董事张平安就芯片技术发展发言指出，「通过系统的设计和工程建设可以解决我们整体数字中心的能力、算力和分析能力问题，可以消除我们在芯片上的代差。」张平安说，「在华为看来，AI数据中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要数能结合。」在这之
关键字：
工艺 华为 系统设计 芯片代差
近日，台积电业务发展高级副总裁张晓强博士在接受采访时被问到，如何看待“摩尔定律已死”的说法，而他的回答非常直接：“很简单，不在乎。只要我们能继续推动工艺进步，我就不在乎摩尔定律是活着，还是死了。”在张晓强看来，台积电的优势在于，每年都能投产一种新的制程工艺，为客户改进性能、功耗和面积 （PPA）指标进。比如说最近十年来，苹果一直是台积电的头号客户，而苹果A/M系列处理器的演进，正好反映了台积电工艺的变化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
关键字：
台积电 摩尔定律 工艺
英特尔周三表示，其名为Intel 3的3nm级工艺技术已在两个工厂进入大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的电压，适用于超高性能应用。该节点针对的是英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内发展。英特尔代工技术开发副总裁Walid Hafez表示：“我们的英特尔3正在俄勒冈州和爱尔兰的工厂进行大批量生产，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'处理器
关键字：
Intel 3 3nm 工艺
此前有报道称，明年谷歌可能会改变策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更换代工厂，改用台积电代工，至少在制造工艺上能与高通和联发科的SoC处于同一水平线。为了更好地进行过渡，谷歌将扩大在中国台湾地区的研发中心。随后泄露的数据库信息表明，谷歌已经开始与台积电展开合作，将Tensor
G5的样品发送出去做验证。据Wccftech报道，谷歌与台积电已达成了一项协议，后者将为Pixel系列产品线生产完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困扰，而Tenso
关键字：
谷歌 台积电 Tensor G5 3nm 工艺
IT之家 6 月 19 日消息，名为 Flow Computing 的芬兰公司宣布新的研究成果，成功研发出全新的芯片，可以让 CPU 性能翻倍，而且可以通过软件优化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行处理单元（PPU），该公司联合创始人兼首席执行官 Timo Valtonen 认为这项技术有着广泛的应用前景：“CPU 是计算中最薄弱的环节。它无法胜任自己的任务，这一点需要改变。”该芯片技术涉及一个配套芯片，不产生额外功耗或者更多热量的情况下，能实时优化处理任务
关键字：
CPU 工艺 荷兰
近日，三星电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于面向嵌入式领域的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM相比，eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像DRAM一样刷新数据，同时写入速度是NAND的1000倍数。基于上述特性，业界看好eMRAM未来前景，尤其是在对性能、能效以及耐用性较高的场景中，eMRAM被寄予厚望。三星电子是eMRAM主要生产商之一，致力于推动eMRAM在汽车领域的应用。三
关键字：
存储 工艺 三星
在 HBM4 内存带来的几大变化中，最直接的变化之一就是内存接口的宽度。随着第四代内存标准从已经很宽的 1024 位接口升级到超宽的 2048 位接口，HBM4 内存堆栈将不会像以前一样正常工作；芯片制造商需要采用比现在更先进的封装方法，以适应更宽的内存。作为
2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4
制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4
制造工艺中占据有
关键字：
台积电 12nm 5nm 工艺 HBM4 基础芯片
5 月 10 日消息，韩媒 ZDNet Korea 援引业内人士的话称，三星电子的 AI 推理芯片 Mach-1 即将以 MPW（多项目晶圆）的方式进行原型试产，有望基于三星自家的 4nm 工艺。这位业内人士还表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工艺的可能。三星已为 Mach-1 定下了时间表：今年下半年量产、今年底交付芯片、明年一季度交付基于该芯片的推理服务器。同时三星也已获得了 Naver 至高 1 万亿韩元（当前约 52.8 亿元人民币）的预订单。虽然三星电子目前能提供 3nm 代工，但在 M
关键字：
三星 AI Mach-1 原型试产 4nm 工艺
工艺介绍
您好，目前还没有人创建词条工艺!
欢迎您创建该词条，阐述对工艺的理解，并与今后在此搜索工艺的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473