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ARM发布基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP

  • ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP Velocity DDR存储器接口获得TSMC IP质量认证 ARM公司发布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的9
  • 关键字: 90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存储器  单片机  工艺  接口  纳米  嵌入式系统  存储器  

LIN及混合信号工艺的发展提升汽车传感器与传动装置性能

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