AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
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存储器 DRAM TrendForce
AI浪潮正持续改变各行各业，此前历经下行周期的PC市场也开始迎来新的机会。今年以来，无论是美国消费电子展（CES）还是巴塞罗那世界移动通信大会（MWC），AI
PC都成为了当之无愧的焦点，包括英特尔、AMD、英伟达等芯片大厂，以及联想、戴尔、宏碁、华硕、荣耀等下游厂商纷纷推出相关产品，布局AI
PC。业界直言，2024年或是AI PC元年，这一风口下，半导体领域NPU以及存储器等有望持续受益。一 AI PC一触即发，半导体大厂瞄准NPUChatGPT的横空出世，让人见识到了AI大模型的威力，随后，
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AI PC 存储器 NPU
DMA，全称Direct Memory Access，即直接存储器访问。DMA传输将数据从一个地址空间复制到另一个地址空间，提供在外设和存储器之间或者存储器和存储器之间的高速数据传输。我们知道CPU有转移数据、计算、控制程序转移等很多功能，系统运作的核心就是CPU.CPU无时不刻的在处理着大量的事务，但有些事情却没有那么重要，比方说数据的复制和存储数据，如果我们把这部分的CPU资源拿出来，让CPU去处理其他的复杂计算事务，是不是能够更好的利用CPU的资源呢？因此：转移数据（尤其是转移大量数据）是可以不需要
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DMA CPU 存储器
近日，国产主控芯片厂商英韧科技宣布量产其第九款主控芯片——YRS820。这也是继去年9月宣布量产PCIe 5.0 SSD企业级主控YRS900后，英韧科技官宣量产的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”据英韧科技联合创始人、数据存储技术副总裁陈杰介绍，YRS820主控芯片具备四“高”二“低”的技术亮点，即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延时。陈杰表示，YRS820主控芯片采用RISC-V（开源指令架构），配备4通道PCIe 5.0接口，8个NAND闪存通道，支持NVM
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存储器 AI
近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，从而实现数据存储功能，具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，属于下一代信息存储技术，近年来在信息存储领域备受关注
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存储器 存储技术
存储器是电子信息处理系统中不可或缺的组成部分。在过去，依靠CMOS工艺的不断进步，存储器的性能得以不断提高。但近年来，一方面，尺寸微缩导致的晶体管漏电问题越来越严重，在增大存储器功耗的同时，恶化了存储单元的保持特性，存储器的发展遇到较为明显的瓶颈；另一方面，人工智能和物联网等领域的快速发展又对存储器的容量速度以及功耗等性能指标提出了更高的要求。在这样的背景下，由于嵌入式铁电随机存取存储器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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存储器 存储技术
韩国存储器大厂SK海力士透露，因市况好转，考虑在第一季增产部分特殊DRAM，市场担心稼动率回升，破坏以往存储器大厂减产提价共识，恐不利后续DRAM涨势。观察16日存储器族群股价，包括钰创、华邦电、南亚科、点序、十铨、品安、晶豪科等，股价跌幅逾2％，表现较大盘弱势。惟业界人士认为，包括三星、SK海力士及美光等三大原厂产能，多往1-alpha／beta先进制程升级，以满足获利较佳DDR5及高带宽存储器（HBM）需求，预期利基型DRAM后市仍呈正向趋势。SK海力士执行长郭鲁正先前在2024年拉斯韦加斯消费性电子
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存储器 DRAM TrendForce
1 沉重的社会话题几年前，王女士朋友的70多岁婆婆患了阿尔兹海默症，朋友的老公后来无法外出工作，在家全职照顾她。这使王女士开始关注这类病症，了解到如果尽早地发现和干预，可使病症发展减缓。同时，患者需要大量的康复训练，但患者因为脑部疾病会难以融入社区、社会，同时因为昂贵的康复费用等因素，为康复带来一定的难度。在不久前的CNCC2023（中国计算机大会）上，王女士了解到精神健康已是一个重要的社会话题，相关的医学电子正向数据驱动型、精准诊疗方向发展，而生成式AI /大模型是推进其进化的加速器。生成式A
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ST(意法半导体)的型号STM32F103RET7属于32位MCU微控制器，采用集成高性能Arm®Cortex®-M3 32位RISC核心，在72MHz频率下工作，高速嵌入式存储器(闪存高达512千字节，SRAM高达64千字节)，以及广泛的增强I/ o和连接到两个APB总线的外设。STM32F103RET7提供3个12位adc，4个通用16位定时器加上两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个i²c，三个spi，两个I²Ss，一个SDIO, 5个usart，一个USB和一个CAN。STM32F10
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前言1946年2月15日，第一台电子数字计算机 ENIAC问世，这标志着计算机时代的到来。ENIAC 是电子管计算机，时钟频率虽然仅有 100 kHz，但能在1s 的时间内完成 5000 次加法运算。与现代的计算机相比，ENIAC有许多不足，但它的问世开创了计算机科学技术的新纪元，对人类的生产和生活方式产生了巨大的影响。在研制 ENIAC 的过程中，匈牙利籍数学家冯·诺依曼担任研制小组的顾问，并在方案的设计上做出了重要的贡献。1946年6月，冯·诺依曼又提
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单片机 计算机 存储器 微处理器 仿真器
在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断提高，这一挑战不容忽视。在常嵌入闪存存储器的微控制器 (MCU) 中，存储器的容量也在快速增加。除了宏观趋势外，MCU 中的一些特定发展趋势（包括更高的计算带宽、功能集成以及包含额外的大型通信栈）也决定了需要更大容量的闪存。当出现无线更新的需求时，由于原始图像和备份图像都需要存储，上述的这
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今年以来，ChatGPT持续推动生成式AI需求上涨，加上PC与服务器领域平台不断推陈出新，HBM与DDR5等高附加值DRAM芯片备受市场青睐，存储器大厂不约而同积极布局上述产品。DDR5：美光发布新品、三星计划扩大产线当前DDR5制程已经来到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达 7200
MT/s，现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。此外，该款DDR5内存采用先进的High-K
CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高
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存储器 DDR5 HBM
半导体行业的不断发展是由一个基本原则驱动的：存储器。内存技术是数字时代背后的无名英雄，支撑着从智能手机的数据存储到超级计算机的效率的一切。随着对更快、更可靠、更节能的存储器的需求激增，新一波新兴的非易失性存储器技术有望重塑半导体工厂并增强我们的数字体验。半导体存储器的现状要了解新兴存储技术的重要性，了解其前辈至关重要。传统的半导体存储器分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器，如动态随机存取存储器 (DRAM)，可提供快速数据访问，但需要持续供电才能保留信息。非易失性存储器，例如 NAND 闪存，可以在没
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存储器
三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接续举行法说，释出对存储器产业看法，两大厂商均表示，PC、手机终端库存去化已告一段落、传统服务器需求依然疲弱，而AI服务器需求则较为强劲。业界人士认为，存储器原厂减产以求获利的决心不容小觑，在获利数字翻正前，应会持续减产策略，预期2024年上半年内存报价向上趋势不变。台系存储器相关厂商包括南亚科、华邦电、群联、威刚、创见、十铨、宇瞻等有望受惠。时序进入第四季，三星认为，市场复苏将加速，在旺季带动之下，市场DRAM、NAND Flash位出货量，可望分别
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存储器 三星 海力士
近日，第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳隆重开启。兆易创新存储器事业部产品市场经理张静受邀出席，以“持续开拓，兆易新一代存储产品助力行业创新”为题，分享了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局，以及面向产业技术变革浪潮的创新思考，共同探讨“半导体产业波动周期”下的存储器市场发展趋势。GD Flash的开拓之路：十四载达成212亿颗出货成就众所周知，Flash是一种非易失性的存储器，在断电和掉电的情况下，存储的内容不会发生丢失，是绝大多数电子系统必备的元器件。作为一家以存
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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