铠侠将开发新型 CXL 接口存储器：功耗、位密度优于 DRAM、读取快于 NAND

 11 月 7 日消息，铠侠日本当地时间昨日表示，其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划采纳。

铠侠表示，在后 5G 信息和通信系统时代，AI 普及等因素产生的数据量预计将变得极其庞大，从而导致数据中心的数据处理和功耗增加。因此数据中心使用的存储器必须能够在高性能处理器之间高速传输数据，提高容量并降低功耗。

铠侠计划开发新型 CXL 接口存储，目标打造出较 DRAM 内存功耗更低且位密度更高的同时较 NAND 闪存读取速度更快的新型存储器。这不仅可提高存储器利用效率，还有助于节能。

据《日本经济新闻》报道，铠侠计划未来 3 年斥资 360 亿日元（IT之家备注：当前约 16.77 亿元人民币）用于新型 CXL 存储器开发，日本经济产业省将提供 180 亿日元（当前约 8.39 亿元人民币）补贴，相关产品有望于 21 世纪 30 年代早期实现商业化。