- 4月24日消息，韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1营业利润同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和营业利润均创历史新高。作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。
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- 三星对此消息表示，无法确认。 但法人认为，HBM市场年复合成长率超过45%，三星传停产旧规格的HBM，应有助于三星加快技术迭代，并巩固其与SK海力士、美光的「三强争霸」地位。与此同时，陆厂加快进攻高阶存储器市场。 长鑫存储宣布16nm DDR5 DRAM已量产，性能超越SK海力士12nm产品，并计划2025年将产能扩至每月18万片晶圆，目标2026年切入LPDDR5与车用DRAM，为未来进军HBM铺路。长江存储则靠Xtacking混合键合技术快速追赶，量产全球首款270层3D NAND Flash，与三星
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- 4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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- 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未来三代AI服务器，不但规格、性能越来越强，HBM内存也是同步升级，容量、频率、带宽都稳步前进。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；而到了2028年的Feynman全新架构有望首次采用HBM5内存。与此同时，SK海力士、三星、美光三大原厂也纷纷展示
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- 自SK海力士官网获悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。据悉，此次提供的12层HBM4样品，兼具了面向AI的存储器必备的世界最高水平速率，其容量也是12层堆叠产品的最高水平。该产品首次实现了最高每秒可以处理2TB（太字节）以上数据的带宽，相当于在1秒内可处理400部以上全高清（Full-HD，FHD）级电影（5GB=5千兆字节）的数据，运行速度与前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同时，公司通过在该产品上采用已在前一代产
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- 2月17日消息，据BK最新报道，NVIDIA正与包括三星电子、SK海力士在内的主要内存半导体公司进行秘密谈判，合作开发新型内存标准SOCAMM，并推动其商业化。16日，业内人士证实了这一消息。此举标志着内存半导体领域的重大转转变，对B2B服务器市场和蓬勃发展的设备端AI领域都有潜在影响。据悉，SOCAMM被誉为新一代HBM（高带宽存储器），是系统级芯片高级内存模块的缩写，这是一种尖端的DRAM内存模块，可极大增强个人AI超级计算机的性能。与小型PC和笔记本电脑中使用的现有DRAM模块相比，SOCAMM的性
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- Micron Technology 已开始在新加坡建设其价值数十亿美元的高带宽内存 （HBM） 封装设施。该公司将向该工厂投资 70 亿美元，因为预计在 AI 热潮中，未来几年对 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的需求将猛增。该设施将于 2026 年开始运营。美光的高带宽内存 （HBM） 封装设施位于美光在新加坡现有的生产 3D NAND 和 DRAM 的晶圆厂旁边。新的 HBM 装配厂将于 2026 年投产，并计划在 2027 年大幅提高产能。该设施将使用先进的人工智能驱动的自动化来
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- HBM（高带宽内存）技术是即将到来的“内存内计算/处理”时代的一种“近内存计算（Near Memory Computing）/处理”阶段。由于人工智能/机器学习的高需求，三星、SK海力士和美光这三大内存制造商正在HBM技术的开发上竞相角逐。HBM是一种具有高带宽和宽通道的3D堆叠DRAM器件，这意味着它非常适合高性能计算（HPC）、高性能图形处理单元（GPU）、人工智能和数据中心应用所需的高能效、高性能、大容量和低延迟内存。因此，对于内存制造商而言，硅通孔（TSV）工艺集成和3D HBM DRAM芯片堆叠
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- 12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
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- 12 月 11 日消息，Marvell 美满电子美国加州当地时间 10 日宣布推出“定制 HBM 计算架构”（Custom HBM Compute Architecture），可令各种 XPU 处理器实现更高的计算和内存密度。Marvell 表示这项可提升性能、能效、成本表现的新技术对其所有定制芯片客户开放，并得到了三大 HBM 内存原厂 SK 海力士、三星电子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 计算架构”采用了非行业标准的 HBM I/O 接口设计，可带来更优秀性能和最多 70% 的接口
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- 据外媒报道，三星正在扩大韩国和其他国家芯片封装工厂的产能，主要是苏州工厂和韩国忠清南道天安基地。由于人工智能领域激增的需求，下一代高带宽存储器封装（HBM）的重要性日益重要，三星希望通过提升封装能力，确保他们未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士在这一领域的差距。· 苏州工厂是三星目前在韩国之外仅有的封装工厂，业内人士透露他们在三季度已同相关厂商签署了设备采购协议，合同接近200亿韩元，目的是扩大工厂的产能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市签署了扩大芯片封装产能的投资协议，计划在韩国天安市新建一座专门
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- 任何新的内存方法都必须具备可制造性与成本效益，方能被采用。
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- 获悉，周四，SK海力士公布了创纪录的季度利润和营收，这反映出市场对与英伟达(NVDA.US)处理器一起用于人工智能开发的存储芯片的强劲需求。作为英伟达的供应商，这家韩国存储芯片巨头第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，原因是该公司在设计和供应为英伟达人工智能加速器提供动力的尖端高带宽内存(HBM)方面扩大了对三星电子(S
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- 10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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- TrendForce指出，随着AI服务器持续布建，高带宽内存（HBM）市场处高成长阶段，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待下一代HBM3e量产，加上产能扩张，营收贡献将逐季上扬。TrendForce指出，HBM市场仍处于高成长阶段，由于各大云端厂商持续布建AI服务器，在GPU算力与内存容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升。如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e内存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显着
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