作为 Micron——在赢得 NVIDIA HBM 订单的竞争中关键对手——宣布已交付其首批 12 层 HBM4 样品，据报道三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时遇到了挫折。根据 Business Post引用的证券分析师，该公司现在计划在 9 月份进行重测。尽管 Deal Site 之前表示三星的 12 层 HBM3E 在 5 月份通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需进行完整封装验证。另一方面，SR Times 建
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美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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据韩媒SEDaily报道，三星半导体部门（即DS设备解决方案部）正对系统LSI业务的组织运作方式的调整计划进行最终审议，相关决定将在不久后公布。预计在由副董事长郑铉镐和DS部门负责人全永铉做出最终决定之前，还将进行更多高层讨论，并听取董事长李在镕的意见。系统LSI业务主要负责芯片设计，在三星半导体体系中承担着为移动业务（MX）部门开发Exynos手机SoC的核心任务。然而，近年来Exynos 2x00系列应用处理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手机中的采用率明显下降，不仅削弱了MX部门的利润空间，
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据路透社报道，英伟达即将针对中国市场推出一款新的AI芯片，预计售价在6500美元至8000美元之间，远低于H20芯片的10000至12000美元，较低的价格反映了其较弱的规格和更简单的制造要求，避开了受美国出口规则限制的先进技术。知情人士称，这款新的专供中国市场的GPU将会是基于英伟达的服务器级图形处理器RTX Pro 6000D来进行构建，采用传统的GDDR7显存，而不是HBM3e，也没有使用台积电的先进封装技术CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），这也使得这款芯片成本大幅
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据报道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美国 AI 芯片出口限制后，这家美国芯片巨头一直在开发一款针对市场的新芯片组。据路透社报道，这款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 对内存和封装的选择是该芯片价格较低的关键原因。值得注意的是，据报道，新型号将放弃台积电先进的 CoWoS 封装。此外，该报告补充说，预计它将基于 RTX Pro 6000D（服务器级 GPU）与标准 GDDR7 内存配对，而不是更昂贵的 HBM。
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据 etnews 报道，据报道，苹果已启动其 2027 年 iPhone 的开发，引起了行业的广泛关注，因为它计划进行重大技术升级以纪念该设备 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潜在新技术。Apple 将使用 HBM 解锁 iPhone 的 AI 功能该报告指出，设备端 AI 将需要显著的内存进步，业界预计 Apple 将在 2027 年之前在 iPhone 中采用移动 HBM。消息人士称，苹果可能已经与三星电子和 SK 海力士等主要内存供应商讨论
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在英伟达H20受到最新出口限制之后，其正在开发该芯片的降级版本，以寻求在有限政策空间内继续开拓中国市场，最早可能在7月发布。降级版H20性能预计会有较为明显的下调，尤其是在内存容量方面，据TrendForce报道英伟达可能会用GDDR取代HBM。英伟达HBM3的供应商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供应商，如果降级版H20选择换用GDDR，那么可能会对现有的供应链产生一定的干扰。同样，三星和SK海力士也都有与英伟达在GDDR7上合作的经验，值得注意的是，现阶段GDDR7的供应主要由三星提供支持，S
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据称，继 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，这家美国芯片巨头正在开发该芯片的降级版本，以在中国销售。由于改进后的芯片预计将大幅削减，尤其是在内存容量方面，New Daily 的一份报告暗示 NVIDIA 可能会用 GDDR 取代 HBM，这可能会破坏内存供应链。正如路透社所指出的，Team Green 已经向中国主要的云提供商提供了有关即将推出的公告。据路透社报道，H20 的低调版本由新设定的技术限制塑造，最早可能在 7 月发布。目前，韩国《数字时报》报道称，NVIDIA 坚持从三星和
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由于三星尖端制程良率偏低，以及美国特朗普政府关税政策影响，处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单，进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。这一决定标志着三星代工业务继失去高通、英伟达等科技巨头价值数十亿美元的尖端芯片订单后，再次遭遇重大挫折。
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三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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4月24日消息，韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1营业利润同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和营业利润均创历史新高。作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。
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三星对此消息表示，无法确认。 但法人认为，HBM市场年复合成长率超过45%，三星传停产旧规格的HBM，应有助于三星加快技术迭代，并巩固其与SK海力士、美光的「三强争霸」地位。与此同时，陆厂加快进攻高阶存储器市场。 长鑫存储宣布16nm DDR5 DRAM已量产，性能超越SK海力士12nm产品，并计划2025年将产能扩至每月18万片晶圆，目标2026年切入LPDDR5与车用DRAM，为未来进军HBM铺路。长江存储则靠Xtacking混合键合技术快速追赶，量产全球首款270层3D NAND Flash，与三星
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三星 HBM
4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未来三代AI服务器，不但规格、性能越来越强，HBM内存也是同步升级，容量、频率、带宽都稳步前进。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；而到了2028年的Feynman全新架构有望首次采用HBM5内存。与此同时，SK海力士、三星、美光三大原厂也纷纷展示
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HBM 内存
自SK海力士官网获悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。据悉，此次提供的12层HBM4样品，兼具了面向AI的存储器必备的世界最高水平速率，其容量也是12层堆叠产品的最高水平。该产品首次实现了最高每秒可以处理2TB（太字节）以上数据的带宽，相当于在1秒内可处理400部以上全高清（Full-HD，FHD）级电影（5GB=5千兆字节）的数据，运行速度与前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同时，公司通过在该产品上采用已在前一代产
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