三星电子的半导体困境：HBM苦苦挣扎，竞争对手表现出色

三星电子在今年第二季度录得的营业利润明显低于市场预期，引发了对其高带宽内存 （HBM） 业务失败的担忧，这被视为这一缺口背后的最大原因，以及代工业务的潜在复苏。尽管存储半导体需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引领下取得了不错的成绩，而三星电子却在性能不佳的泥潭中苦苦挣扎。

特别是，三星电子自第四代 HBM （HBM3） 以来，所有代 HBM 产品都未能取得显著成果，导致 SK 海力士和美光占据市场领先地位。根据国内证券公司的分析，三星电子的内存部门录得约 3 万亿韩元的营业利润，而代工和系统 LSI 部门估计录得约 2.5 万亿韩元的赤字。考虑到 SK 海力士第二季度的营业利润预计将在 9 万亿韩元范围内，内存业务盈利能力的差距扩大了三倍。

HBM 经营策略，彻底失败...“DS营业利润未超过1万亿韩元”

三星电子 8 日宣布，今年第二季度销售额为 74 万亿韩元，营业利润为 4.6 万亿韩元。与去年第二季度相比，销售额下降了 0.1%，营业利润下降了 55.9%。营业利润大幅低于已经下调的 6.3 万亿韩元的市场预测。在过去的一个月里，证券分析师大幅下调了对三星电子第二季度营业利润的预期，减少了约 2 万亿韩元，但实际结果更差。

国内主要证券公司将三星电子第二季度业绩不佳的主要原因是其 HBM 业务战略的失败。特别是，在积极推动第五代 HBM （HBM3E） 的供应并加强产能和投资的同时，分析表明，与预期相比，性能表现不大。人工智能 （AI） 行业的主要参与者 NVIDIA 的供应延迟似乎对销售产生了负面影响并增加了库存成本。

MERITZ Securities 的研究分析师 Kim Seon-woo 指出，“尽管智能手机业务在第二季度表现良好，但 HBM 销量的下降、先进工艺的成本反映滞后以及代工利用率的下降导致半导体业绩出现痛苦的放缓，”预计半导体部门营业利润约为 4000 亿韩元。他解释说：“HBM 可能与上个季度一起记录了令人失望的 500 至 6 亿吉比特的出货量，根据去年开始的雄心勃勃的生产计划，今年库存乏善可陈造成的滞后成本似乎已经反映出来。

韩国投资证券研究员 Chae Min-sook 表示：“HBM 主要客户的认证已推迟到第三季度末，因此不可避免地要下调三星电子第二季度 HBM 的销售额和营业利润预期。HBM 下半年的前景同样黯淡。他补充说：“虽然三星正在认证 HBM3E 12 层，但竞争对手 SK 海力士和美光的目标是下一代产品 HBM4 12 层的认证，”并表示，“作为第三方供应商进入对三星来说不是一个有利的局面。

尽管积极减产，但预计会扭亏为盈的 NAND 闪存部门继续面临亏损。大多数国内证券公司估计，三星电子在第二季度的 NAND 闪存业务亏损超过 3000 亿韩元。竞争对手正在增加企业级固态硬盘 （SSD） 等高价值产品的份额，以抵消一般 NAND 的损失，但三星仍然高度依赖对一般 NAND 产品的需求。

根据韩国证券公司的分析，系统上一季度录得超过 2 万亿韩元的亏损 LSI 和代工部门据报道也扩大了亏损。MERITZ Securities 估计，两个部门的总亏损为 2.3 万亿韩元，而 DS Investment Securities 预计，仅铸造部门就亏损超过 2.1 万亿韩元。尽管从 Nintendo Switch 2 等一些较旧的工艺生产线获得了大量订单，但据说确保 3 纳米和 5 纳米等先进工艺的客户仍然具有挑战性。

下半年的前景也很严峻......“在 HBM 领域与 SK hynix 和 Micron 的差距正在扩大”

预计今年下半年将很难实现任何重大转机。NVIDIA 的 HBM3E 12 层产品原本预计在第二季度进行认证，据报道已推迟到第三季度末，下一代产品 HBM4 在认证过程中也落后于竞争对手。三星电子的目标是用基于第六代 （d1c） 10 纳米级的 HBM4 扭转局面，但研究人员 Chae Min-sook 指出：“现在确认基于 1c 的 HBM4 的竞争力还为时过早。

一位业内人士表示：“自 HBM3E 进入以来，三星电子的市场份额明显落后于 SK 海力士和美光，在确保向最重要的合作伙伴 NVIDIA 供货方面面临重大挑战，”他补充说，“原定于第二季度进行的 NVIDIA 认证推迟到第三季度末，这表明三星的 HBM 业务， 已经停滞了一年多，很难立即赶上领先的企业 SK 海力士和美光。

由于所有尖端 3 纳米体积的出货量都运往台湾台积电，晶圆代工部门也在苦苦挣扎，虽然它正在全力以赴在年内获得 2 纳米客户，但性能似乎不太可能出现好转。目前，台积电的 2 纳米良率已超过 60%，而三星电子保持在 30-40% 左右，行业分析师警告说，一旦开始大规模生产，可能会出现意想不到的变数。

作为最大收入来源的 DRAM 市场也面临挑战。DS Investment Securities 研究员 Lee Soo-rim 表示，“虽然预计 DRAM 价格趋势将稳定到第三季度，但第四季度有可能进行价格调整，”并补充道，“DDR4 DRAM 的使用寿命到期、库存积累需求和关税的影响提供了一些积极影响，但随着 DDR5 DRAM 的价格溢价缩小， 价格调整是意料之中的。

三星电子计划在今年下半年通过量产第六代 10 纳米级 DRAM 来寻求 DRAM 和 HBM 市场的扭亏为盈。兴国证券研究员 Son In-jun 指出：“虽然完成第 6 代 10 纳米 DRAM 的开发本身就是一个好消息，但重要的是要认识到，仅仅完成工艺开发并不能保证后续量产的良率和质量保证，”并补充说，“随着我们度过第三季度，技术竞争力可能会恢复。