近期，媒体报道三星电子在最新财报电话会议中表示，未来存储业务的重心不再放在消费级PC和移动设备上，而将放在HBM、DDR5服务器内存以及企业级SSD等企业领域。三星存储业务副总裁 Kim Jae-june在电话会议上透露，公司计划到今年年底，HBM芯片的供应量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片产量再翻一番。AI热潮推动下，HBM需求持续高涨，部分原厂表态，HBM产品在今年已经售罄，有的甚至表态明年的HBM也已经售罄。这一背景下，三星调整业务方向，专攻HBM等高附加值产品也就顺理成章。另据媒体报道，三
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存储 HBM 先进封装
2022年末，ChatGPT的面世无疑成为了引领AI浪潮的标志性事件，宣告着新一轮科技革命的到来。从ChatGPT掀起的一片浪花，到无数大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高过一浪。 在这波浪潮中，伴随着人才、数据、算力的不断升级，AI产业正展现出巨大的潜力和应用前景，并在多个领域展现出重要作用。AI的快速发展对算力的需求呈现井喷的态势，全球算力规模超高速增长。在这场浪潮中，最大的受益者无疑是英伟达，其凭借在GPU领域的优势脱颖而出，然
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三星 海力士 美光 HBM
根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional
DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
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·双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录·通过采用台积电的先进制程工艺，提升HBM4产品性能·“以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式，突破面向AI应用的存储器性能极限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代
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市场对人工智能的热情还在持续升温，随着芯片库存调整卓有成效，以及市场需求回暖推动，全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升，内闪存产品价格均开始涨价。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。行业人士表示，在产能紧缺下目前DRAM以及绑定英伟达新款AI芯片的HBM存储系统售价更高。在此带动下，从今年
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HBM 存储 先进封装
三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。据外媒报道，近日，三星电子DS部门负责人庆桂显表示，三星内部正采取双轨AI半导体策略，同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。此外，庆桂显称客户对于AI推理芯片Mach-1的兴趣正在增长，并有部分客户表达了将Mach系列芯片应用于超1000B参数大模型推理的期望，因此三星电子将加速下代Mach-2
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HBM AI推理芯片
4 月 1 日消息，三星电子 DS 部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨 AI 半导体策略，同步提高在 AI 用存储芯片和 AI 算力芯片领域的竞争力。在 AI 用存储芯片部分，三星组建了由 DRAM 产品与技术负责人 Hwang Sang-joon 领导 HBM 内存产能与质量提升团队，这是其今年建立的第二个 HBM 专门团队。三星近期在 HBM 内存上进行了大规模的人才投入，旨在赢回因策略失误而被 SK 海力士拿下的 HBM 内存市场领军地位：2019 年，三星因对未来市场的错误预测
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三星 HBM AI Mach-2
HBM 即高带宽内存，是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片。如果说传统的 DDR 就是采用的"平房设计"方式，那么 HBM 则是采用"楼房设计"方式。目前，HBM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。可以看到，HBM 每一次更新迭代都会伴随着处理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月诞生，便凭借其独特的 2.5D/3D 内存架构，迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3 不仅
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HBM
美光目前在高带宽内存市场上处于劣势，但看起来情况正在迅速变化，因为该公司表示其 HBM3E 内存供应已售罄，并分配到 2025 年的大部分时间。目前，美光表示其HBM3E将出现在英伟达的H200 GPU中，用于人工智能和高性能计算，因此美光似乎准备抢占相当大的HBM市场份额。图片来源：美光“我们的 HBM 在 2024 日历上已经售罄，我们 2025 年的绝大部分供应已经分配完毕，”美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在本周为公司财报电话会议准备的讲话中表示。“我们继续预计 HBM
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美光 存储 AI HBM
3 月 20 日消息，本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：“HBM 内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在 HBM 上可谓是一掷千金”。黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。在本次吹风会之前，网络上有不少消息称英伟达会从三星采购 HBM3 或 HBM3E 等内存，而在本次吹风会上，黄仁勋正面表示：“三星是一家非常非常优秀的公司”（Samsung is a v
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近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerg
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DDR 美光科技 HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR
SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不
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存储 DDR HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不同的
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DDR GDDR6 HBM
IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
SK海力士负责封装开发的李康旭副社长认为，半导体行业前50年都在专注芯片本身的设计和制造，但是，下一个 50 年，一切将围绕芯片封装展开。据彭博社报道，SK海力士（SK
Hynix）今年将在韩国投资超过10亿美元，用于扩大和改进其芯片制造的最后步骤，即先进封装。前三星电子工程师、现任 SK Hynix
封装开发主管的李康旭表示，推进封装工艺创新是提高HBM性能、降低功耗的关键所在，也是SK海力士巩固HBM市场领先地位的必由之路。高度聚焦先进封装SK海力士HBM不断扩产SK海力士在最近的财报中表示，
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