3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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SK 海力士 英伟达 HBM3E 芯片
2月19日消息，据报道，SK海力士已经准备好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1标准，由台积电（TSMC）负责制造，选择更为先进的工艺。同时，SK海力士还在积极推进2.5D和扇出晶圆级封装（FOWLP）技术的开发，并计划将相关芯片技术商业化。据消息透露，SK海力士计划从2025年第一季度末开始批量生产基于CXL标准的DDR5内存模块，进一步巩固其在高端内存市场的领先地位。CXL作为一种开放性的互联协议，能够实现CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间
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海力士 CXL 台积电
12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子 SK 海力士 内存
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 内存
IT之家 8 月 20 日消息，据韩媒 MK 报道，SK 海力士负责 HBM 内存业务的副总裁 Ryu Seong-soo 当地时间昨日在 SK 集团 2024 年度利川论坛上表示，M7 科技巨头都表达了希望 SK 海力士为其开发定制 HBM 产品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作，与 M7 企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需
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海力士 HBM 内存
IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服务器需求激增影响，企业级固态硬盘（SSD）的价格飙升了 80% 以上。为满足市场需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速扩产 NAND 闪存。AI 热潮持续升温，不仅带动了高带宽内存（HBM）芯片需求，如今也正在推动企业级 SSD 市场快速增长。AI 服务器存储的数据量呈指数级增长，企业纷纷抢购大容量 SSD，甚至不惜高价确保供应。面对企业级 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正优先扩大采用四层单元（QLC）技
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IT之家 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV
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三星芯片良率不佳，先前爆出三星在试产Exynos 2500处理器时，最后统计出的良率竟为0%。新任芯片主管全永铉（Jun Young-hyun） 在执掌芯片事业的几个月后，向员工示警需停止隐瞒或回避问题，如果不改变将出现恶性循环。全永铉发备忘录，警告员工必须改变职场文化，强调应停止隐瞒或回避问题，若不改变将出现恶性循环。他直言，三星必须重建半导体特有的激烈辩论的文化，「如果我们依赖市场，没恢复根本的竞争力，将陷入恶性循环，重蹈去年营运的困境。」三星竞争对手SK海力士（SK Hynix）在AI内存领域追赶，
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7 月 25 日消息，SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气（F2）。SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3的 GWP 为 17200，而 F2为 0）。除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。
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《科创板日报》17日讯，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽。
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IT之家 7 月 1 日消息，据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元（IT之家备注：当前分别约 263.8 / 158.28 亿元人民币）低息贷款，用于业务扩张。韩国产业银行由韩国政府全资控股，是韩国唯一的政策性金融机构，主要为韩国国家经济发展提供长期资金。韩国企划和财政部此前公布了“半导体生态系统综合支持计划”。作为该计划的一部分，韩国产业银行将向半导体企业发放 17 万亿韩元低息贷款，其中大企业可获得 0.8~1% 利率折让，而中小
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IT之家 6 月 19 日消息，韩媒 ETNews 援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
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在本系列第六篇文章中，我们介绍了传统封装的组装流程。本文将是接下来的两篇文章中的第一集，重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装(WLP)。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺，包括：光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺、光刻胶去胶(PR Stripping)工艺和金属刻蚀(Metal Etching)工艺。封装完整晶圆晶圆级封装是指晶圆切割前的工艺。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In WLCSP）和扇
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海力士 封装工艺
IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
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2022年末，ChatGPT的面世无疑成为了引领AI浪潮的标志性事件，宣告着新一轮科技革命的到来。从ChatGPT掀起的一片浪花，到无数大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高过一浪。 在这波浪潮中，伴随着人才、数据、算力的不断升级，AI产业正展现出巨大的潜力和应用前景，并在多个领域展现出重要作用。AI的快速发展对算力的需求呈现井喷的态势，全球算力规模超高速增长。在这场浪潮中，最大的受益者无疑是英伟达，其凭借在GPU领域的优势脱颖而出，然
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海力士介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
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