- 据TrendForce报道，SK海力士已宣布完成HBM4的开发并准备量产，基础裸片由台积电以12纳米制程生产。而到了第七代HBM4E，SK海力士正考虑引入英特尔晶圆代工业务（Intel Foundry）作为第二家基础裸片供应商，与台积电形成多供应商体系。基础裸片是位于HBM堆叠底部的逻辑控制芯片，负责协调DRAM核心与GPU之间的数据传输。彼时，基础裸片的功能相对单纯，SK海力士凭借自身成熟的DRAM制造工艺即可完成生产。在HBM3E及更早的产品世代中，SK海力士均采用自研自产基础裸片（Base Die）
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- SK hynix 于当地时间 8 月 27 日在美国印第安纳州西拉斐特举行 AI 存储器先进封装生产基地奠基仪式，宣布项目总投资超过 40 亿美元。按规划，洁净室将于 2028 年 10 月建成开放，下一代 HBM（HBM4E）将于 2029 年下半年启动量产。CEO 郭鲁正在仪式上表示，该基地年产能最终将达到数十万片晶圆的量级，并预计当前存储器供不应求的局面将持续到 2030 年底。这是 SK hynix 在美国设立的首个 HBM 生产据点，运营方式与韩国本土产能紧密衔接：先进晶圆在韩国生产后运往印第安
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- SK hynix 发布技术说明，系统阐述 Cu-Cu 混合键合在存储产品中的演进路径。混合键合通过裸片表面的铜焊盘直接对接实现互连，间距可压到 1μm 以下；作为对比，传统焊料凸块的互连间距约 100μm，微凸块约 20μm。SK hynix 把这项技术指向 16 层以上 HBM、NAND、3D DRAM、AI 加速器、HBF（高带宽闪存）、背面供电和 CPO 等场景，并明确给出时间表判断：HBM4 仍可在现有工艺上应用混合键合，HBM4E 之后结构与性能约束增强，HBM5 则可能转向新的封装流程。&nb
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- 近日，三星电子公布2026年第二季度业绩，存储业务继续刷新季度纪录。公司表示已扩大HBM4销售，并向主要客户送出首批HBM4E样品。三星在业绩公告中确认，HBM4已进入扩大销售阶段，意味着该产品已通过主要客户认证并在量产爬坡中。与此同时，公司向客户送出了首批HBM4E样品，表明下一代HBM技术的研发已推进至客户测试环节。HBM4E是HBM4的演进版本，在带宽和容量上进一步提升，面向更高端的AI训练和推理需求。样品送交客户是量产前认证流程的起点，通常需要经历数个季度的验证和优化才能进入规模出货。在HBM产品
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- 三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。6月30日，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长
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- 在AI算力竞赛的底层战场上，一场关于存储芯片的攻防战正悄然升级。2026年5月29日，三星电子向全球主要客户交付业界首批12层48GB HBM4E样品，距离其今年2月率先量产HBM4仅过去三个月。这一前所未有的迭代速度，更标志着HBM市场的竞争格局正迎来剧烈重构。三星一场深思熟虑的“抢跑”HBM4E作为三星当前最先进的高带宽内存产品，采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）与三星晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片组合，支持每引脚14Gbps至16Gbps的运行速度，较上一代HBM4提升超过20%，单堆栈内存带宽
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- 芯片及硅知识产权技术企业Rumbus公司今日正式发布 HBM4E 内存控制器知识产权（IP）方案。这一全新解决方案兼具突破性的性能表现与先进的可靠性设计，能够帮助芯片设计者满足当下严苛的内存带宽需求。这款Rumbus HBM4E 控制器为行业首创，专为应对下一代人工智能加速器、图形处理器及高性能计算系统不断攀升的内存带宽需求而设计。该控制器支持每引脚每秒 16 吉比特的运行速率，单颗 HBM4E 器件可提供高达每秒 4.1 太字节的内存带宽。HBM4E 器件即高带宽内存堆叠芯片，采用硅通孔技术连接垂直堆叠
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内存瓶颈
- 在高带宽内存（HBM）行业，速率、堆叠层数等性能指标向来是关注焦点，而能效正成为同等关键的考量因素。据韩国《韩经日报》消息，随着行业向 HBM4E 世代升级，三星正计划对 HBM4 的供电网络进行结构性重新设计。报道指出，三星预计将从今年 HBM4E 量产开始，推出全新的供电架构。该方案通过对芯片内部供电网络进行分割与重新布局，实现了供电结构的全面重构。供电设计正成为下一代 HBM 技术的核心瓶颈。报道援引三星相关资料称，从 HBM4 升级至 HBM4E，供电凸点的数量将从 13682 个增加至 1445
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缺陷率
- 11 月 28 日消息，参考德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling 在社交平台分享的图片，台积电在本月 25 日于荷兰阿姆斯特丹举行的 2025 年 OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲场上分享了对首代定制 HBM 内存的看法。与美光首席商务官 Sumit Sadana 的观点类似，台积电也认为定制 HBM 将在 HBM4E 时代正式落地，其对相关产品的称呼是 C-HBM4E。▲ 图源：Andreas Schilling台积电在 HBM4 时代提供了 2 种不同的 HB
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内存控制器
- 随着三星加速 1c DRAM 开发，试图在 HBM4 竞争中夺回失地，当前领导者 SK 海力士正与科技巨头合作推出定制 HBM 解决方案。据《 韩国经济日报 》报道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——预计将在 2026 年下半年推出。报道显示，SK 海力士已经赢得了包括英伟达、微软和高通在内的主要客户，使其成为定制和通用 AI 内存市场的领先者。值得注意的是，SK 海力士最近开始根据客户需求定制 HBM，报道补充说，英伟达紧张的生产进度影响了其合作伙伴的选择。定制 HBM 更
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- IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士计划在 HBM4E 内存中集成更多功能，从而将 HBM 产业推向一个新的高度。SK 海力士正在积极探索 HBM4E 内存，尝试推出可以整合计算、高速缓存和网络存储器等多种功能的 HBM 类型，进一步提高能效和信号传输速度。IT之家援引韩媒 ETNews 报道，该方案目前依然停留在概念阶段，不过 SK 海力士已经着手设计相关 IP 朝着这个目标迈进。SK 海力士计划在 HBM 上集成内存控制器，内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上，赋予第
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