SK 海力士据报与英伟达、微软合作推动定制 HBM4E，三星则与 HBM4 保持差距

随着三星加速 1c DRAM 开发，试图在 HBM4 竞争中夺回失地，当前领导者 SK 海力士正与科技巨头合作推出定制 HBM 解决方案。据《 韩国经济日报 》报道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——预计将在 2026 年下半年推出。

报道显示，SK 海力士已经赢得了包括英伟达、微软和高通在内的主要客户，使其成为定制和通用 AI 内存市场的领先者。

值得注意的是，SK 海力士最近开始根据客户需求定制 HBM，报道补充说，英伟达紧张的生产进度影响了其合作伙伴的选择。

定制 HBM 更新：三星和美光

同时，韩国经济日报报道，三星也与博通和 AMD 就供应定制 HBM 进行了高级别谈判。然而，据该报道，与 SK 海力的 HBM4E 不同，三星的供应预计将是 HBM4，落后一代。

根据韩国经济日报，在三星四月的财报电话会议上，该公司暗示可能最早在 2026 年上半年开始向客户交付 HBM4。

根据 TrendForce，当前的 HBM3e 基础芯片采用纯存储器架构，充当简单的信号传输。相比之下，SK 海力与三星正与代工厂合作，采用基于逻辑的基础芯片设计用于 HBM4。这种新方法使 HBM 与 SoC 之间的集成更加紧密，提供更低的延迟，提高数据路径效率，并在高速传输环境中提供更大的稳定性。

如韩国经济日报所述，台积电将生产逻辑芯片——HBM 的“大脑”——用于 SK 海力的定制芯片。

关于美光在定制 HBM 方面的进展，之前的 Tom’s Hardware 报道指出，这家美国内存巨头预计将在 2026 年开始 HBM4 的大规模生产，而 HBM4E 将在之后的几年内推出。值得注意的是，美光的 HBM4E 不仅将提供更快的传输速率，还将提供可定制的基板芯片，报道中提到。