据报道三星 1c DRAM 良率高达 70%，为年底推出 HBM4 铺平道路

随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。

值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据 zdnet 的报道，相关投资将于年底开始。

鉴于 DRAM 是 HBM 的核心组件，这一进展也预示着三星的 HBM4 量产计划将顺利进行，据 Sedaily 报道，该计划预计今年晚些时候开始。

响应此消息，TrendForce 指出产品周期尚未开始，验证仍处于非常初级的阶段，并补充说情况值得持续关注。

重新设计能否扭转局势？

据 Sedaily 报道，尽管该公司最初计划于 2024 年底开始量产其第六代 10nm DRAM，但它通过重新设计芯片采取了大胆的步骤——接受超过一年的延迟以追求更好的性能。

该报告表明，新的 DRAM 将在三星的平泽 4 号线上生产，并供应给移动（LPDDR）和服务器应用。与此同时，据报道，与 HBM4 相关的第六代 10nm DRAM 生产设施位于平泽 3 号线上。

值得注意的是，凭借其雄厚的现金储备和广泛的制造经验，三星可能会重拾旧策略——利用规模经济削减成本，并在 HBM4 时代凭借 sheer volume 超越竞争对手，据 Sedaily 援引行业消息人士称。

SK hynix：1c DRAM 的不同策略

然而，与三星不同，SK hynix 据报道对 1c DRAM 的投资持更为谨慎的态度，据韩国媒体 outlet the bell报道。

SK hynix 计划在开始 HBM4E 的大规模生产后，才会扩大 1c DRAM 的生产，HBM4E 将使用 1c 作为其核心芯片。报告补充说，即将到来的 HBM4，预计在今年下半年开始大规模生产，将继续依赖更成熟的 1b DRAM 工艺。

同时，Sedaily 指出，SK hynix 于 2024 年 8 月完成了其 1c DRAM 的开发。据报道，测试良率表现出色，平均超过 80%，最高达到 90%。

在强劲的需求下，TrendForce 预测 2026 年 HBM 总出货量将超过 30 万亿比特。随着供应商扩大生产，HBM4 的市场份额预计将稳步增长，最终在 2026 年下半年取代 HBM3e 成为主流解决方案。