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价格暴涨500%,HBM市场彻底被引爆

  • 内存技术作为计算机系统的核心组成部分,其性能的提升对于整体计算能力的提升至关重要。在这个背景下,高带宽内存(HBM)以其卓越的性能表现,正逐渐在内存技术领域崭露头角,成为推动计算领域进入全新时代的关键力量。相较于传统的动态随机存取内存(DRAM),HBM 的性能优势显而易见。远远超越 DDRDDR 是一种常见的计算机内存类型,最早是为了提高内存传输速率而设计的。它采用了双倍数据传输技术,即在每个时钟周期内可以传输两次数据,从而提高了数据传输速率。目前最常见的 DDR 版本是 DDR4、DDR5,但在过去还
  • 关键字: HBM  

SK海力士“狂飙”,HBM是“救命良药”

  • 最近,SK 海力士披露了亮眼的第四季度财报,2023 年第四季度实现扭亏为盈,当季营业利润 3460 亿韩元(约合 2.6 亿美元),而上年同期营业亏损 1.91 万亿韩元。这意味着,SK 海力士成功摆脱了从 2022 年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。相比之下,同为韩国半导体巨头的三星,业绩却不尽如人意。数据显示,三星电子去年销售额为 258.16 万亿韩元(1.4 万亿元人民币),同比下滑 14.58%。受半导体部门业绩不佳影响,三星电子全年营业利润时隔 15 年再次跌至 10 万亿韩元(544
  • 关键字: SK海力士  HBM  

为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  

对内存的重新思考

  • 冯·诺依曼架构将继续存在,但人工智能需要新的架构,3D 结构需要新的测试工具。
  • 关键字: 内存  HBM  

大厂有意扩产DDR5、HBM 内存

  • 内存产业复苏明确,包括旺宏、南亚科、创见、鑫创、广颖、钰创、商丞等七家公司,去年12月营收呈现月增,且2024年第一季DRAM及NAND Flash合约价续涨。然全球第二大内存生产商SK海力士计划阶段性扩产,为内存市况投下变量。海力士透露,公司可能于第一季缩小DRAM减产幅度,NAND Flash生产策略可能视情况在第二季或第三季跟着调整。针对内存大厂有意扩产,国内存储器厂商则认为,海力士扩厂应集中在DDR5和HBM(高带宽内存)产品为主,因为台湾目前产品主攻DDR4,不致影响产品报价。TrendForc
  • 关键字: DDR5  HBM  内存  TrendForce  

你所需要知道的HBM技术

  • 在2024年即将到来之际,多家机构给出预测,认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年,年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮,不仅仅是下游市场的AI应用,这股大火一直烧到了上游芯片领域,根据权威机构预测,2023年和2024年,AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时,也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM(高带宽内存)的需求。 HBM是何方神圣? 首先,我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
  • 关键字: HBM  DDR  AI  GPU  美光  海力士  

三大原厂 HBM 路线图

  • 预计英伟达 HBM3e 验证将于 2024 Q1 完成。
  • 关键字: HBM  存储  

DRAM掀起新一轮热潮,封装技术发挥关键作用

  • 处理器,无论是 CPU、GPU、FPGA,还是 NPU,要想正常运行,都离不开 RAM,特别是 DRAM(动态随机存取存储器),它已经成为各种系统(PC,手机,数据中心等)中内存的代名词。根据应用不同,系统对芯片面积和功耗有不同要求,因此,DRAM 被分成标准 DDR(双倍数据速率)、LPDDR、GDDR 等,当然,主要就是这三类。其中,DDR 是相对于 SDR(单数据速率)而言的,将 I/O 时钟加倍了,主要为 PC 和数据中心的 CPU 服务,目前已经发展到 DDR5;LPDDR 是低功耗的 DDR,
  • 关键字: DRAM  封装技术  HBM  

SK海力士成立新部门负责AI半导体业务

  • 据韩媒,韩国SK海力士公司周四表示,将成立一个名为AI Infra的新部门,负责人工智能(AI)半导体相关业务,由现任全球销售营销部门负责人Kim Juseon管理。报道称,新部门将整合分散在公司内部的高带宽内存(HBM)能力和功能,还将主导新一代HBM芯片等人工智能技术的发展,寻找并开发新市场。
  • 关键字: SK海力士  AI  HBM  内存  

存储器大厂积极布局,DDR5与HBM受青睐

  • 今年以来,ChatGPT持续推动生成式AI需求上涨,加上PC与服务器领域平台不断推陈出新,HBM与DDR5等高附加值DRAM芯片备受市场青睐,存储器大厂不约而同积极布局上述产品。DDR5:美光发布新品、三星计划扩大产线当前DDR5制程已经来到1β DRAM,今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存,速率高达 7200 MT/s,现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。此外,该款DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术,相比上一代产品,性能提升高
  • 关键字: 存储器  DDR5  HBM  

一文看懂TSV技术

  • 前言从HBM存储器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市场上有许多芯片是用英文称为TSV构建的,TSV是首字母缩写,TSV(Through Silicon Via)中文为硅通孔技术。它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通;TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互联,这项技术是目前唯一的垂直电互联技术,是实现3D先进封装的关键技术之一。在本文中,我们将告诉您它们是什么,它们如何工作以及它们的用途。在2000年的第一个月,Santa Clara Universi
  • 关键字: 芯片  TSV  HBM  NAND  先进封装  

三星、美光大动作,扩产HBM

  • 存储市场消费电子应用疲软的环境下,HBM成为发展新动能,备受大厂重视。近期,三星、美光传出将扩产HBM的消息。大厂积极布局HBM近期,媒体报道三星为了扩大HBM产能,已收购三星显示(Samsung Display)韩国天安厂区内部分建筑及设备,用于HBM生产。据悉,三星计划在天安厂建立一条新封装线,用于大规模生产HBM,该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等,预计追加投资7000亿-1万亿韩元。 此前,据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露,三星已开发出9.8Gbps的H
  • 关键字: 三星  美光  HBM  

HBM 的未来是光速 - 集成光子学的未来设计

  • HBM 的未来不仅是光明的:它还具有光速、超带宽和超低功耗。 在今年的开放计算项目 (OCP) 全球峰会上,三星先进封装团队 Yan Li 向我们展示了一个比我们想象的更加集成的未来:随着高带宽内存 (HBM) 的进一步发展,热和晶体管密度问题可能会得到解决。 通过光子学来解决。 光子学基于一种可以对单个光子(光的粒子/波)信息进行编码的技术,这意味着它改善了(几乎)我们当前计算环境中我们关心的一切。 功耗大幅降低(发射的是光粒子而不是电子流),处理速度也得到提高(延迟达到飞秒级,传播速度接近光
  • 关键字: HBM  集成电路  

三星、美光计划扩大HBM产能

  • 在消费级存储市场低迷的背景下,高带宽存储器(HBM)技术已成为新的驱动力,最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张HBM DRAM 。三星耗资105亿韩元,收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备,以扩大HBM产能。三星还计划再投资7000亿至1万亿韩元,用于新建新的封装线。此前报道,三星副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人Hwang Sang-jun先生透露,三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E,并计划开始向客户提供样品。同时,三星还正在开发HBM4的各种技术,包括针对高温热特性和混合键
  • 关键字: 三星  美光  HBM  

抓住 AI 大趋势,三星、美光积极筹备 HBM 扩建计划

  • IT之家 11 月 8 日消息,在消费级存储市场低迷的背景下,高带宽存储器(HBM)技术已成为新的驱动力,最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张 HBM DRAM。图源:三星最新报道称三星电子耗资 105 亿韩元,收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备,以扩大 HBM 产能。三星电子还计划再投资 7000 亿至 1 万亿韩元,用于新建新的封装线。IT之家此前报道,三星电子副总裁兼 DRAM 产品和技术团队负责人 Hwang Sang-jun 先生透露,三星已开发出速度为 9.8Gbp
  • 关键字: HBM  AI  
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