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汉高电子材料携创新解决方案亮相SEMICON China 2020

  • 2020年6月28日,半导体和电子行业的年度盛会SEMICON China在上海隆重举行。全球粘合剂市场的领先者汉高再次亮相此次展会,粘合剂技术电子材料业务在展会期间全方位展示了应用于先进封装、存储器和摄像头模组等领域的创新产品和解决方案。先进封装目前,全球半导体产业正处于一段转折期,数据爆炸性增长推动了以数据为中心的服务器、客户端、移动和边缘计算等架构对高性能计算的需求,对5G部署、手持设备封装中小型化和集成的持续需求,这些趋势推动了先进封装逐步进入成熟期。当前半导体和封装技术快速发展,对于芯片与电子产
  • 关键字: SEMICON China  HBM  

三星主攻HBM、英特尔集中eDRAM 跳脱存储器频宽限制

  •   挹注次世代存储器半导体技术研发投资的三星电子(Samsung Electronics)和英特尔(Intel)为打破存储器业界最大议题频宽(bandwith)的上限,正各自寻找解决方法。三星专注于研发高频宽存储器(HBM)和次世代SRAM技术,英特尔则正在研发嵌入式DRAM(eDRAM)。   据Digital Times报导,英特尔预计2017年推出的次世代芯片Kaby Lake,将采用14纳米FinFET制程,搭载较Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM,
  • 关键字: 三星  HBM  

NV使用HBM芯片或由海力士和三星共同提供

  •   除了在存储市场上作为老牌厂商的SK海力士之后,韩系的另外一个存储巨头的三星也进入了HBM存储芯片市场,并且开始在2016年第一季度开始大规模生产。而有消息称SK海力士以及三星将为NVIDIA的帕斯卡系列GPU生产第二代HBM芯片。             业内人士指出,无论是三星电子还是SK海力士都正在计划为NVIDIA下一代图形显卡帕斯卡生产第二代高带宽显存芯片,而实现大规模生产的时间预计在2016年的第一季度,但在这之前的试产以及生产的可靠性测试已经由SK海力
  • 关键字: NV  HBM  

HBM显存最大劲敌:美光明年上三代HMC

  •   作为最老资历的PC组成部件,内存及内存存储体系已经拥有了几十年的历史,其漫长的发展过程曾伴随数次重要的变革,但纵观这些变革,无论是从FP到EDO还是从SD到DDR,在意义上均无法与即将发生的这场革命相提并论,这场革命的名字,叫堆叠内存。        目前,按照堆叠方式及位置的不同,堆叠内存体系可以被分为2.5D和3D两种存在形式。而又因为内存还依标准不同还划分成了两大阵营,分别是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、镁光/三星
  • 关键字: HBM  美光  

AMD:不会靠HBM挣专利费 NVIDIA随便用

  •   目前,AMD是唯一一家使用HBM(High Bandwidth Memory,高带宽存储产品)的公司,这要得益于他们和SK Hynix等合作伙伴的长期开发,据说长达8年半之久。        HBM如其名,最大的特点就是高带宽(确切地说是高位宽),目前已经可以做到单个颗粒1024-bit,GDDR5的足足32倍。同时,HBM每个堆栈的带宽可以突破100GB/s,GDDR5的四五倍。   更关键的是,HBM的电压要求仅仅1.3V,低于GDDR5 1.5V,更加的节能。   
  • 关键字: AMD  HBM  

付出正确的电路保护费

  •   摘要:本文通过采用合适的过电流和过电压保护元件,生产商可保证其产品成为用户生活不可或缺的一部分。选择正确的保护元件也保证了各应用产品符合安全和功能因素相关的规章条例的要求。   许多用户都没有意识到他们自己每天在使用的电子设备存在着最大的风险。电路保护是所有电子设备必有的特性——不论是车载、家用或是工用电子设备——因为只要人体接触含敏感电子半导体的器件,就会出现ESD(静电放电)现象。   如果周围的空气特别干燥,比如天气正好非常炎热或非常寒冷,刚把
  • 关键字: 电路保护  ESD  TVS  集成电路  HBM  201411  
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