- 在 2025 财年第三季度 HBM 销售额增长近 50% 的推动下,美光公布了创纪录的收入,现在正着眼于另一个里程碑。据 ZDNet 称,这家美国内存巨头的目标是到 2025 年底将其 HBM 市场份额提高到 23-24%。值得注意的是,美光在其新闻稿中表示,它现在正在向 GPU 和 ASIC 平台上的四个客户交付大批量 HBM。因此,该公司预计到 2025 年下半年,其 HBM 市场份额将达到与其整体 DRAM 份额持平。据路透社报道,美光的强劲业绩反映了 NVIDIA 和 AMD
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- 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Micron合作推出了全新电子书,探讨内存在AI边缘应用中的重要性,以及有效部署边缘人工智能 (AI) 的关键设计考虑因素。Micron是创新内存和存储解决方案的行业知名企业,在边缘计算、数据中心、网络连接和移动等关键市场领域,为AI、机器学习和自动驾驶汽车的发展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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贸泽
Micron
- Micron Technology 已开始在新加坡建设其价值数十亿美元的高带宽内存 (HBM) 封装设施。该公司将向该工厂投资 70 亿美元,因为预计在 AI 热潮中,未来几年对 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的需求将猛增。该设施将于 2026 年开始运营。美光的高带宽内存 (HBM) 封装设施位于美光在新加坡现有的生产 3D NAND 和 DRAM 的晶圆厂旁边。新的 HBM 装配厂将于 2026 年投产,并计划在 2027 年大幅提高产能。该设施将使用先进的人工智能驱动的自动化来
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装配厂
- Micron Technology,
Inc.日前宣布推出其GDDR6存储器,它是Micron最快、最强大且支持图形的存储器,将成为支持Achronix采用台积电(TSMC)
7nm工艺技术的下一代独立FPGA芯片的首选高性能存储器。GDDR6针对包括机器学习等诸多要求严苛的应用进行了优化,这些应用需要数万兆比特(multi-terabit)存储宽带,从而使Achronix在提供FPGA方案时,其成本能够比其他使用可比存储解决方案的FPGA低出一半。 集成化开发环境使设计人员能够使用Ment
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Achronix
- 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 今天宣布与Micron Technology签署了全球分销协议。Micron Technology是全球知名的创新存储解决方案供应商,致力于改进世界使用信息的方式。签约后,Micron将成为贸泽非常重要的高科技存储产品供应商,通过贸泽向全球客户提供Micron在业界广受欢迎的存储解决方案。 Micron产品立足于 40 年来的技术沉淀和积累,主要面向 计算、网络数据、服务器、移动、嵌入式、消费类产品、汽
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贸泽
Micron
- 领先的内存和存储供应商美光科技有限公司今日宣布将与 Rambus Inc.、Northwest Logic 和 Avery Design 合作,为当今世上最快的离散存储GDDR6推出全面的解决方案。这款史无前例的解决方案将让 GDDR6 能够应用于高级应用,例如高性能网络、自动驾驶车辆、人工智能和 5G 基础设施。 由 GPU 供应商提供支持的前几代 GDDR&
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Micron
GDDR
- Micron 宣布于本月14日成功标得达鸿先进科技的拍卖资产,并将以此建立Micron在台之后段生产基地。Micron现已取得这新生产基地之所有权。
经由此收购案, Micron取得与其台中厂相邻的无尘室和设备,并将使Micron 的晶圆制造与后段封测得以集中于同一据点,并专注于建立集中式的后段封测营运。
全球制造副总裁Wayne Allan指出:“此举为Micron在台建立DRAM卓越制造中心的重要一步。将晶圆制造和后段封测结合在同一地点,构建一个完整连贯的高效制造支援组织,
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Micron
DRAM
- 射频功率、成像和高可靠性半导体解决方案领域的领军企业 e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布,将延长世界领先高级存储解决方案供应商之一 Mic
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DDR
- 新闪存的速度、功耗和体积进一步优化 专注于NVMe协议PCle接口的美光科技(Micron)近期推出两款用于数据中心和企业级的基于PCle接口的产品——Micron 9100和7100 PCIe NVMe SSD。新产品可帮助数据中心用户实施灵活且可横向扩展的 IT 基础设施,使用户能够利用更好的闪存扩展和改善其旧式数据中心基础设施。 “当下数据的速度非常快而且多,每天世界产生数据量达到2.5XB的级别,我们已经不能再应用对于数据批处理的方式,因为将数据先整合再处理分析得出答案的模式不再适用了,现在必
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Eric Endebrock
201606
- 大陆清华紫光集团对美光(Micron)提出收购案,美光已公开拒绝,半导体业者透露,由于美光要求产能绝对掌控权,但大陆志在技术,无意复制华亚科模式,使得双方谈判触礁,大陆公开美光收购案,有意向SK海力士(SK Hynix)喊话,DRAM策略结盟正暗潮汹涌,这一场大陆与美、韩DRAM竞赛才刚鸣枪起跑。
清华紫光直接对美光提出收购案,大陆扩大半导体版图决心已昭然若揭,事实上,大陆存储器发展策略是大陆人民币1,200亿元国家IC产业投资基金的一环,从2014年着手策划至今已陆续就定位,在生产基地方面,经
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- 可变电阻式ReRAM 作为新的存储技术,从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效,日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果,称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。
索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb(2GB)的ReRAM芯片,据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造,可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片,可用于移动设备或者是PC上。
按照公布的信息称,索尼和Micron联手公布的这颗芯片实
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ReRAM
- 继 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)发表了他们在电阻式记忆体(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后,Sony 也与合作夥伴 Micron 发表了自 2011 年首度公开 RRAM 试作品后的最新试作品结果。
在 RRAM 的合作关系中,Sony 与 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技术,Micron 则是目前记忆体制造业的大厂。在今年的
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Micron
- Altera公司 (NASDAQ: ALTR)和Micron技术有限公司(NASDAQ: MU) (“Micron”)日前宣布,双方联合成功展示了Altera Stratix® V FPGA和Micron混合内存立方 (Hybrid Memory Cube, 简称HMC)的互操作性。采用这一成功的技术,系统设计人员能够在下一代通信和高性能计算设计中充分发挥FPGA和SoC的HMC优势。
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- 根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体产业研究部门DRAMeXchange表示,近期标准型记体价格持续上扬,合约市场主流商品DDR34GB模组今年首季均价由17.25美元涨至3月底的23.5美元,价格大幅上涨达36.2%;DRAM产业季营收表现持平,在淡季影响之下实属难能可贵。
各记忆体厂获益程度则因标准型记忆体占产出比例不同而有差异,其中以韩系厂SK海力士(Hynix)半导体以及美商美光半导体(Micron)算是此波价格上涨的最大受益者。DRAMeXchange指出,DRAM价格在
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DRAM
- 市场研究机构ICInsights公布的2013年第一季全球半导体供应商排行榜显示,有数家日本半导体厂商名次都比去年同期退步;其中东芝(Toshiba)退步一名成为第五,瑞萨(Renesas)因销售额下滑20%而跌出前十名,索尼(Sony)退步三名成为第十六、当季销售额较去年同期下滑31%,富士通(Fujitsu)则由去年第一季的第十五名退步为第二十名、季销售额下滑26%。
不过ICInsights指出,日本半导体厂商的销售额数字都是由日圆换算成美元;在2012年第一季时,美元兑日圆汇率为1美元7
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半导体
- DDR4作为DDR3 DRAM的继承者,Micron本周一宣布明年将有望和大家见面,被应用在普通PC上。据澳大利亚的Techworld报道,公司已经为发售初始版本的内存DDR4做好准备。DDR3作为目前主流电脑的不二选择,相比较即将来临的DDR4已经明显在功耗和性能上落后,新的DDR4有望工作在更低的电压下,相比较和1.5V DDR3只需要1.2V,并且总线速度将定位在2133MHz,无论在读写性能和刷新频率上都明显强于前任。
制定内存标准的电子设备工程联合协会(JEDEC)下个月将推出DDR4
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DDR4
- 据华尔街日报(WSJ)报导指出,由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash,日前领先业界率先推出最新20纳米制程快闪存储器,这也使得智能型手机和平板计算机里的储存装置可以进一步缩小。
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NAND
- 2011回归正常
据各市场调查公司和企业的预测,2011年半导体业还将保持在2010年的3000亿美元的规模,上半年相对是淡季。同时2011年也将会回归正常,不会像过去两年过山车式地剧烈震荡。
回首过去,一些企业如何在危机中成长,对即将来到的淡季又将如何准备?成功的企业是否有些经验可循?我国本土半导体企业成长的根结在哪里?2010年的后两月,笔者走访了一些企业老总和市场调查公司分析师,期待从中找到答案。
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半导体
201102
- 由于DRAM价格再度崩跌,原本财务体质就相当孱弱的台厂再度面临难关,DRAM产业整并潮恐再次启动,但业者预期这次参与整并成员将单纯许多,美光(Micron)阵营的南亚科和华亚科在台塑集团财务支持下,已走出自己的路,不过,力晶、茂德、瑞晶合计26万片12寸产能,恐怕都将成为尔必达(Elpida)囊中物。
DRAM产业2年前的整并赛轰轰烈烈开演,最后却草草收场,大家都把理由推给DRAM价格反弹,不需再由政府插手,经济部亦乐得抛开烫手山芋,台系DRAM厂则沈溺在报价反弹的荣景,纷购买机台及转换制程扩产
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DRAM
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010财年第二季度的运营成果。对于2010财年的第二季度,该公司取得了可归属于其股东的3.65亿美元,合摊薄股每股0.39美元的净收入,其净销售额达近20亿美元。相比之下,2010财年第一季度的净收入为2.04亿美元,合摊薄股每股0.23美元,净销售额为17.4亿美元,并且2009财年第二季度的净亏损为7.63亿美元,合摊薄股每股0.99美元,净销售额为10亿美元。2010财年之前各个时期的金额及
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NAND
Flash
- 美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40纳米DRAM制程大战,今(9)日将携手宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世,同时也全面导入铜制程技术,与三星电子(Samsung Electronics)的46纳米、海力士(Hynix)44纳米和尔必达(Elpida)45纳米相比,美光阵营的每片DDR3晶圆尺寸由于体积最小且产出数量最多,预计在2010年第2季试产,而策略伙伴南亚科和华亚科也将于下半年导入42纳米制程,与尔必达旗下力晶和瑞晶导入45纳米的时间点相仿。
2010 年DRAM市场50
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40纳米
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- 存储器大厂Micron以50:50比例与澳大利亚Origin Energy公司组成合资的光伏技术公司。
至此关于合资公司的细节未能透露。2009年5月Micron曾准备化500万美元来促进LED Solar方面的嘗试。
该项目执行总经理Andrew Stock表示将利用Micron在存储器方面的实力来推动光伏发展及市场化。
Origin Energy是澳大利亚领先的集成能源公司,工作范围涉及天然气,石油开釆与生产、发电及能源行业。该公司列于澳大利亚股票市场ASX的前20位,有近400
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存储器
- 位于美国芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二公布,受惠于存储处理器旺销,公司第一财季扭亏为盈。
财报显示,美光第一财季实现净利润2.04亿美元,合每股收益23美分。去年同期,美光亏损7.18亿美元,合每股亏损93美分。美光当季营收为17亿美元,去年同期为14亿美元。盘后交易中,良好财报刺激美光股价上涨约3%。
据FactSet Research的调查,分析师此前对美光第一财季的营收的预期为16亿美元,对每股收益的预期为6美分。
美光披露,受惠于产品量价齐升,当
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存储
处理器
- 美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报,由于存储器价格回温,因此在连续亏损11季之后,终于由亏转盈。第1季营收为17.4亿美元,较2009年度同期成长约24%。净利为2.04亿美元,每股盈余(EPS)为0.23美元。
据彭博(Bloomberg)的预估,美光第1季的每股盈余为0.06美元,实际表现情况超出华尔街多数分析师的预期。美光执行长Steve Appleton表示,尽管全球经济仍挑战重重,美光靠著技术领先、成本优势及财务稳健的优势,可望在市
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存储器
- 在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下,第二季NAND Flash平均销售价格(ASP)约上涨20% QoQ,整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长,2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元,较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收排行来看,Samsung营收为10亿3千7
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NAND
- Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2x nm技术做准备,计划于第四季度推出样品。
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NAND
USB闪盘
- 美国内存芯片大厂Micron Technology Inc.采取进一步行动专注于核心业务,周二宣布分拆旗下影像处理技术子公司AptinaImaging,并出售大部分股权予2私募基金公司Riverwood Capital及TPG Capital(德州太平洋集团)。
据国外媒体报道,该分拆行动,显示美光努力弥补核心业务——内存芯片——销售锐减的冲击。不过美光可能因此蒙受巨额损失,也更加证实首席执行官Steve Appleton为了核心芯片业务避险而采取
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内存芯片
传感器
- 根据《埃达荷政治家报》网站报导,DRAM大厂Micron Technology正对外寻求资金以扩展 LED制造业务,且同时考虑生产太阳能板。
美国埃达荷州政府看好Micron的未来表现,亦积极向美国能源部申请,由该州能源资源局拨款500万美元。
由于DRAM业务亏损连连,Micron索性裁员并关闭部份产线,连闪存部门也分拆出去与 Intel(英特尔) 共组合资企业IM Flash Technologies LLC。
有意改变营运重心的Micron,逐渐将眼光放在技术水准类似,获利却更
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LED
- 今年第一季度,美国存储器制造商Micron Technology重返全球DRAM市场份额三甲行列。
iSuppli存储IC首席分析师Nam Hyung Kim指出,第一季度Micron超过日本Elpida重获DRAM市场第三名的位置。
第一季度DRAM销售额为4.84亿美元,同比减少28%,Micron市场份额为14.6%,较去年第四季度的13.8%有所增长。
韩国Samsung和Hynix分列第一第二位。Samsung市场份额创纪录地达到34.3%,去年第四季度为30%,Hynix
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DRAM
- 与多年前相比,现在的移动消费电子装置结构复杂,功能丰富,能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是,存储系统的体系结构能够适应这些新的数据密集型应用。例如,适用于大容量存储的高性价比紧凑型 NAND 闪存就替代了手机、MP3 播放器和数码相机中使用的 NOR 闪存和其它非易失性存储装置。
随着工艺技术的进步,存储器密度大约每 12 至 18 个月即提高一倍。对于 NAND 闪存而言,这意味着对多层单元 (MLC) 技术的重视程度日益提高。传统的单层单元 (SLC) NAND 闪存
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嵌入式
MMC
存储器
Micron
micron介绍
1. Micron(美国美光)半导体是全球第二大内存芯片厂,是全球著名的半导体存储器方案供应商,是美国500强企业之一。
Micron是其中先进的半导体解答领先世界的提供者之一。Micron微量和闪光组分用于现代最先进的计算,Micron的网络和通信产品,包括计算机、工作站、服务器、手机、无线电设备、数字照相机和GAMING系统。
美光科技有限公司(Micron Technology, [
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