- 援引市场研究机构Omdia的最新调研成果披露，合计占全球NAND产能60%以上的两大原厂三星电子和SK海力士，今年将缩减在闪存上的晶圆投片量，这可能会进一步加剧NAND供应的短缺。三星产量从2025年的490万片缩减至468万片，SK海力士则同步跟进，产能从2025年的190万片降至170万片。在英伟达等公司引领的推理人工智能（AI）领域竞争日益激烈的背景下，作为关键组件的NAND闪存供应紧张，增加了包括服务器、个人电脑和移动设备在内的所有领域价格持续上涨的可能性。分析师预测，这将对三星电子和SK海力士的
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- 1 月 20 日消息，基于花旗集团、美国银行及摩根大通的分析报告，受 RAM 内存和 NAND 闪存组件成本飙升影响，在 iPhone 18 系列售价方面，苹果虽然会极力维持起步机型的发售价与前代持平，但在高存储容量版本上，消费者将面临比以往更大的价格涨幅。Freedom Capital Markets 技术研究主管 Paul Meeks 分析认为，全球科技企业对 AI 算力的狂热需求，导致内存市场供不应求，这种短缺状态预计将至少持续两年。即便苹果拥有强大的供应链议价能力，也难以完全消化这部分上涨的物料清
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- 中国芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自称是全球第二大SPI NOR闪存供应商，于1月13日首次进入香港市场。据EE Times China报道，该公司在IPO中发行了2892万股H股。此次发行价格为每股162港元，据报道筹集资金高达46.84亿港元（约合6亿美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 强调，GigaDevice既是国内DRAM巨头CXMT的股东，也是其姊妹公司，两家公司均由同一位企业家朱怡明创立。正如36Kr之前报道，2022年至2024年间，GigaDevice累
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- 根据TrendForce最新的记忆现货价格趋势报告，关于DRAM的现货价格持续日复一日上涨，尽管交易依然低迷，供应商和交易员囤积库存，推动主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均价格上涨9.64%。与此同时，在NAND，尽管一些买家采取了观望态度，现货交易者对未来价格趋势持乐观态度，却拒绝降价以刺激销售。详情如下：DRAM现货价格：受强劲的合约价格上涨推动，现货价格连续日涨。然而，由于供应商和交易商不愿释放库存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已从上
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- 上个月有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使其成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。据TrendForce报道，三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。
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- 存储巨头在NAND容量扩展上谨慎行事，逐步淘汰MLC（多级单元）等老产品，同时加倍投入先进技术。值得一提的是，在2025年12月旧金山IEDM大会上，SK海力士发布了其尖端的5位NAND闪存，声称其读取速度比传统PLC（五级单元）快达20×，Blocks & Files报道。据报道，SK海力士的多点小区（MSC）NAND技术将每个3D NAND小区一分为二，提升每个小区的数据容量，同时将电压状态数量减少约三分之二。Blocks & Files指出，这一突破展示了SK海力士自2022年起开发
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- 一、产品概述中国北京（2025年4月15日）—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快
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- 在供应紧张引发全球记忆价格飙升的背景下，另一家主要组件制造商警告即将上调价格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston数据中心SSD业务经理Cameron Crandall的言论指出，NAND价格自2025年1月以来已上涨246%，随着短缺加剧，未来30天内可能进一步攀升。在报道引用的《The Full Nerd Network》采访中，Crandall指出，近70%的NAND价格急剧飙升发生在过去60天内。由于NAND约占SSD成本结构的90%，他表示金斯顿几乎没
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- 据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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- 研究人员展示了基于FeFET的三维NAND电池，其通电电压接近零，每个单元最多可达五位。三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管——由三星先进技术研究院的研究人员完成，发表在《自然》期刊上。 该书描述了一种面向未来3D NAND的铁电场效应晶体管（FeFET）设计，结合了基于哈夫尼亚的铁电体和氧化物半导体通道，并引入了近乎零的通电压作，构成了96%功率降低的基础。在现代NAND中，每当读取或编程单元时，贯穿
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- 三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管——由三星先进技术研究院的研究人员完成，发表在《自然》期刊上。 该书描述了一种面向未来3D NAND的铁电场效应晶体管（FeFET）设计，结合了基于哈夫尼亚的铁电体和氧化物半导体通道，并引入了近乎零的通电压作，构成了96%功率降低的基础。在现代NAND中，每当读取或编程单元时，贯穿每条垂直字符串的字线堆栈必须带有通行电压。随着层数增加，开销也随之增加，由于层
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- 在内存供应紧张和价格飙升给行业压力的情况下，据ETNews和News 1报道，三星开发出了一种NAND闪存技术，能够降低90%以上的功耗，预计将提升AI数据中心、移动设备及广泛应用的能效。据报道，11月27日，SAIT（前三星先进技术研究院）宣布将在《自然》杂志上发表其关于新型NAND闪存结构的研究，以显著提升能源效率。据ETNews报道，三星首次在全球范围内发现了将氧化物半导体与铁电结构结合的关键机制，从而将功耗降低了多达96%。正如报告所述，传统NAND闪存存储数据为注射电子进入每个细胞。因此，为了提
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- 在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存 （HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的内存领域：高带宽存储 （HBS）。正如 ETnews 报道的那样，哈佛商学院将移动 DRAM 和 NAND 相结合，以提高智能手机、平板电脑和其他移动设备的 AI 性能。报告援引消息人士解释说，SK海力士正在将低功耗宽I/O DRAM与NAND堆叠在一起，以创建HBS，它可以堆叠多达16层
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- AI服务器推动储存需求爆发，传统硬盘（HDD）持续大缺货，据悉，交付期限已延长至2年以上，北美及中国云端服务（CSP）大厂「紧急加单」，采购大容量企业级固态硬盘（SSD）。 部分原厂2026年QLC NAND Flash产能也被提前抢购一空，业界预期，最快在2027年，全球QLC位可能超车TLCNAND。AI发展重点转向推论，依赖高效能及大容量储存装置，北美多个数据中心陆续建设落成，CSP大厂迫切需要高容量储存装置供应配合，但传统近线储存（Nearline Storage）首选的HDD产能受限，无法快速承
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- 总部位于武汉的长江存储科技控股有限责任公司（长存集团）召开股份公司成立大会并选举首届董事会，此举或意味着其股份制改革已全面完成。在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元估值首次入围，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。根据公开信息，2025年4月，养元饮品子公司泉泓、农银投资、建信投资、交银投资、中银资产、工融金投等15家机构同步参与；7月，长存集团新增股东员工持股平台 —— 武汉市智芯计划一号至六号企业管理合伙企业（有限合伙），上述两笔
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nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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