- 中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成严重影响 —— 市值蒸发超过2000亿美元。最新报告显示，伊朗对卡塔尔能源设施的袭击严重影响了氦气（被誉为“黄金气体”）的供应。这种看似“小众”的工业气体正逐渐成为全球芯片产业的关键风险因素。据报道，卡塔尔占全球氦气供应量的30%以上，其核心生产设施受损导致全球供应骤减。短短两周内，氦气现
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- 最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：取消绩效奖金上限三星劳资双方此前就2026年薪资问题进行了多轮谈判，但双方就部分议题的分歧持续扩大，谈判最终破裂。如果此次罢工得以实施，这将是三星自1969年成立以来遭遇的第二次大罢工，距离上一次2024年7月的25天总罢工仅不到两年。三星工会要求提高绩效奖金计算标准的透明度，取消绩效奖金
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- 据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用12GB LPDDR5X上涨130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，价格也暴涨180%。不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。A
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- 3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 闪存在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求的局面。在此背景下，英伟达正加强与战略伙伴的前瞻性技术合作，而不仅仅停留在简单的供应关系上。据《首尔经济日报》昨日报道，英伟达现已加入了三星电子的研发行列，共同开发新的 AI 技术并合作研发铁电 NAND 闪存。英伟达直接参与内存研发，尤其是尚未商业化的铁电 NAND 这类未来技术，实属罕见之举。铁电 NAND 正被视作一项有望同时破解大型科技公司当前面临的两大难题的突破性技术：内存芯片短缺与
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- 随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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- 人工智能引发内存供应危机，DRAM 市场被迫启用 “小时级定价” 模式 —— 数万家中小企业为生存展开激烈争夺逾 19 万家中小型电子企业正被人工智能浪潮挤出内存市场。据《电子时报》今日发布的报道，受人工智能需求激增引发的内存短缺问题持续加剧影响，内存价格开始以小时为单位波动。半导体行业内部人士提醒，若中小厂商无法预付货款并立即下单，短短数分钟内报价就可能大幅上涨。报道指出，当前内存市场已明显分化：约 100 家头部采购商凭借议价能力牢牢掌握货源，而超过 19 万家中小企业只能争抢剩余的少量库存。人工智能
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- NAND 闪存供应商的经营压力，终于传导至群联电子。就在几周前，群联电子首席执行官还透露，已有至少一家 NAND 闪存晶圆代工厂要求客户预付货款。如今，这家企业自身也难逃供应紧张带来的压力。据《电子时报》亚洲版报道，群联电子已开始要求旗下客户采用预付货款或缩短付款周期的结算方式。群联电子在致客户的信函中表示，“核心供应商近期已调整付款要求，改为预付货款或缩短付款周期”，而公司 “在过去一段时间里，一直为客户的订单提供资金支持”。这意味着，群联电子此前已向部分 NAND 闪存供应商支付了预付款，如今不得不将
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- 当三星在HBM4时代弯道超车，重新获得英伟达的青睐并可能承接最大份额订单，低利润的2D NAND就成为产能重构下的弃子。 2026 年 2 月末，三星电子宣布将关停其韩国华城工厂 12 号线的 2D NAND 闪存生产 —— 这是三星最后一条 2D NAND 产线，此举标志着自 2002 年开启的平面闪存量产时代正式落幕。这座月产能达 8 万至 10 万片 12 英寸晶圆的产线，将于 2026 年 3 月正式停工并改造为 1C DRAM 后道封测厂，聚焦 DRAM 布线等核心后道工序。这场产能调
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- 据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，DRAM和NAND闪存芯片的价格继续同步上涨，其中DRAM价格再次创下历史新高，达到13美元，而NAND闪存价格涨幅超过33%。自去年4月以来，通用DRAM价格已连续11个月上涨。数据显示，2月份通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易价格为13.00美元，较上月的11.50美元上涨了13.04%。这一价格创下自2016年6月开始该项调查以来的最高纪录。TrendForce分析指出，PC DRAM价格较上一季度上涨
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- 随着AI服务的进步，需求不断增长，而供应仍然有限，分析师预计今年内存价格的上涨趋势将持续。一些人认为，市场已经进入了供应商主导的阶段。目前，SK海力士的DRAM和NAND库存已降至约四周的供应量。稳健的库存管理和紧张的供需环境有利于就长期合同进行磋商，DRAM相对于需求的短缺也可能有利于2027年HBM业务的扩张。SK海力士认为，在AI客户强劲需求的推动下，当前的内存价格上涨趋势可能贯穿全年。虽然PC和移动用户可能因价格大幅上涨而降低配置（despeccing），这可能会抑制需求，但由于供应扩张能力有限，
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- 群联电子（Phison）首席执行官潘健成（K.S. Pua Khein-Seng）发出警告，2026 年即将到来的 NAND 闪存短缺可能严重扰乱甚至暂时中断部分消费电子供应链。他在近期发言中指出，存储芯片产能正日益向人工智能（AI）基础设施倾斜，导致消费电子原始设备制造商（OEM）在供货稳定性和采购成本上面临双重挤压。2026 年 NAND 短缺：群联为何拉响警报此次危机的核心不仅在于供给收紧，更在于采购条款的显著恶化。潘健成透露，至少有一家晶圆代工厂要求客户为产能支付三年期预付现金。若情况属实，如此高
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- 近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。2021年12月，长江存储二期科技有限责任公司成立，注册资本600亿元。2025年9月，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本达207.2亿元 —— 由长江存储持股5
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- 存储器缺货严峻持续扩大，供应链传出，随着国际存储器原厂快速倾斜至服务器市场，导致消费性、汽车市场等将首当其冲，国内NAND Flash领导大厂长江存储传将被赋予关键的维稳大任，优先支持中国特定产业与应用，确保内需供应链稳定，以避免发生断供、企业裁员的恶性冲击。供应链人士也透露，长江存储已不满足于仅作为3D NAND的中国领头羊，近来低调切入DRAM与高带宽记忆体（HBM）技术领域，日前更已完成LPDDR5工程样品开发，预计2026年下半启动的武汉三期新厂，近期已经封顶，并将以DRAM为扩产重心。 随着在产
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- 全球存储器市场爆发缺货潮，NAND闪存大厂长江存储传出以「史无前例」的速度扩张产能，原定于2027年量产的武汉新厂已大幅提前，最快将在今（2026）年下半年正式投产。 此举是否对台厂旺宏、南亚科、群联等带来竞争压力，后续发展备受市场关注。长江存储祭弯道超车奇招朝鲜日报英文版《The Chosun Daily》报道，长江存储武汉三厂于2025年9月动工，原先预估须待2027年才具备正式量产条件。 然而，当地半导体业界人士透露，长江存储近期已密集下达NAND Flash生产设备采购订单，并同步进行工厂启动与产
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- 美光新加坡工厂预计将于 2028 年下半年投产晶圆。
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nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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