- 12 月 11 日消息，美国商务部周二表示，作为2022 年《芯片和科学法案》的一部分，美光科技已获得高达 61.65 亿美元（当前约 448.07 亿元人民币）的拨款，用于在美国制造半导体。该机构表示，这笔资金将支持美光的“二十年愿景”，即在纽约投资约 1000 亿美元、在爱达荷州投资 250 亿美元用于新工厂，并创造约 20,000 个新工作岗位。美国商务部还表示，美光将根据某些里程碑的完成情况逐步获得上述资金。此外，美国商务部还宣布已与美光科技达成初步协议，将额外提供 2.75 亿美元资金，用于扩建
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- 7 月，处在 2024 年中，不仅是上下半年的过渡期，也是整个半导体产业由衰转盛的过渡期，因为行业正在从 2023 年的低谷期向上走，根据各大市场研究机构统计和预测，2024 上半年依然处于恢复期，下半年的行情会比上半年好很多。在这种情况下，处于年中过渡期的 6、7 月份，受多种因素影响，也成了多事之秋，特别是芯片制造，订单和制造产线转移轮番上演，芯片价格也随之变化。晶圆代工转单加剧台积电最新财报显示，2024 年第二季度以客户总部所在地划分，北美占比仍然最大，达到 65%，中国大陆市场则急速拉升至 16
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- 5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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- 2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引
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- 10月10日消息，因受到全球芯片供应持续过剩的影响，三星电子的“摇钱树”业务第三季度可能出现巨额亏损，营业利润预计将较上年同期下降80%。作为全球最大的内存芯片、智能手机和电视制造商，三星电子将于周三公布第三季度初步业绩。LSEG SmartEstimate对19位分析师进行的调查显示，在第三季度，三星电子的营业利润可能降至2.1万亿韩元（约合15.6亿美元）。相比之下，去年第四季度的营业利润为10.85万亿韩元（约合80亿美元）。三星营业利润大幅下滑的原因是，由于内存芯片价格未能像部分人预期的那样迅速回
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- 7月6日消息，据分析师预测，三星电子公司第二季度营业利润可能会较上年同期下滑96%，为14年来最低水平。理由是，尽管供应有所减少，但芯片供应过剩仍在继续导致这家科技巨头的“摇钱树”出现巨额亏损。金融研究机构Refinitiv SmartEstimate对27位分析师进行的一项调查显示，作为全球最大的内存芯片、智能手机和电视制造商，三星今年第二季度的营业利润可能降至5550亿韩元（约合4.26亿美元）。如果分析师们的预测准确，这将是三星自2008年第四季度以来的最低营业利润，当时三星电子公布了约7400亿韩
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- 台积电明年就要宣布量产3nm工艺，这是当前最先进的半导体工艺，然而3nm这样的工艺不仅成本极高，同时SRAM内存还有无法大幅微缩的挑战，国产半导体芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首颗商用存内计算SoC。存内计算是一种新型架构的芯片，相比当前的计算芯片采用冯诺依曼架构不同， 存内计算是计算与数据存储一体，可以解决内存墙的问题，该技术60年代就有提出，只是一直没有商业化。知存科技的WTM2101芯片是国际首颗商用存内计算SoC芯片，拥有高算力存内计算核，相对于NPU、DSP
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- 内存工艺进入20nm节点之后，厂商的命名已经发生了变化，都被称为10nm级内存，但有更细节的划分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。 在1α，1β，1γ这三代中，三星在1α上就开始用EUV光刻工艺，但是代价就是成本高。而美光前不久抢先宣布的量产1β内存芯片则没有使用EUV工艺，避免了昂贵的光刻机。 不使用EUV光刻，美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺，实现了35%的存储密度提升，同时省电15%。
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- 本周美光宣布，采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。 1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。 一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目
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- 据外媒最新消息称，Intel可能出售内存芯片业务，而接盘者是SK海力士，价格是100亿美元。报道中提到，这家半导体巨头将对自己进行重新定位，远离一个具有历史重要性、但正日益受到挑战的领域。消息人士称，这两家公司正就上述交易展开讨论，最快可能会在周一宣布，前提是双方之间的谈判不会在最后时刻破裂。目前尚不清楚这笔交易的细节信息，如SK海力士具体将收购什么业务等。Intel旗下内存芯片部门生产NAND闪存产品，主要用于硬盘、拇指驱动器和相机等设备。由于闪存价格下跌的缘故，Intel一直都在考虑退出这项业务。虽然
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- 据外媒报道，新冠病毒的全球大流行推动了在家办公的浪潮，这种转变势必会提振笔记本电脑制造商以及数据中心对三星电子内存芯片的需求。但与此同时，由于疫情削弱了消费电子产品的销售，三星电子第一季度的利润可能会保持不变。
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- 据外媒报道，加州理工大学的研究人员们，已经开发出了一款能够以“光的形式”、“纳米级速度”存储量子信息的计算机芯片。这标志着量子计算机和网络的一项最新突破，在更小的设备上实现更快的信息处理和数据传输。传统计算机系统中的内存部件，只能将信息以“0”或“1”的形式存储。尽管仍处于实验阶段，但量子计算机的基本原理还是一样的，即以“量子比特”来存储数据 —— 除了&ld
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- 2014年4月25日市场研究机构IHS称，2013年的全球半导体收入增长了5%，其中表现最好的是内存芯片产品。
2013年半导体总收入达到3181亿美元，较2012年的3031亿美元增长5%，有效扭转了这个行业的发展趋势。2012年的半导体收入比2011年的3106亿美元减少2.4%。
规模最大的25家芯片厂商的营收总和达到2253亿美元，占整个行业总收入的71%。营收最高的芯片厂商是英特尔，其2013年的营收为470亿美元，对应的市场份额为15%。
IHS的副总裁戴尔福特(Dale
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- 7月5日消息，由于中国廉价平板、智能手机需求增长，由于中国移动设备商的出现，东芝、海力士等内存商终于摆脱了倒霉运，开始收获金钱了。
在高端产品领域，尽管市场增速没过去那么快了，但是，这些设备渴望装上更大的内存，也会刺激内存销售的增长。
两种趋势之下，加上2011年以来内存商缩减投资，DRAM(动态随机访问存储器)和NAND内存芯片价格已经开始回升，在厂商面前，内存制造商抬起头来，它们有了更高的议价能力。
I’M投资证券公司分析师Hong Sung-ho指出：“
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- 台系厂商部分，力晶(5346)营收季成长有38%，主要受益标准型记忆体价格回升，加上代工业务稳定成长，同时出售子公司瑞晶的股份，对力晶的财务状况有明显的挹注;南科(2408)、华亚科(3474)则拉高非标准型记忆体的产出量;华邦电(2344)投片的比例也逐渐转往Flash产品，未来预计将持续减少DRAM投片。
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内存芯片介绍
简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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