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内存芯片 文章 进入内存芯片技术社区

三星全球最快嵌入式NAND内存芯片投产

  •  为了适应下代移动设备超轻超薄的特性,SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工艺规范,一块64GB的芯片厚度仅为1.2毫米,而重量仅有0.6克。

      三星表示,新一代芯片将会包括16GB,32GB以及64GB等三个版本。不知道我们能否在下一代三星智能手机(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?

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内存芯片放显屏上?透明柔性3D内存芯片制成显示屏

  •   据麻省理工 新发明的透明柔性3D存储芯片会成为小存设备中的一件大事。这种新的内存芯片透明柔韧,可以像纸一样折叠,而且可以耐受1000华氏度的温度,是厨房烤箱最高温度的两倍,而且可以耐受其他有害条件,有助于开发下一代内存,可与闪存竞争,用于明天的随身碟,手机和电脑,这是科学家在3月27日报道的。   在美国化学学会(American Chemical Society)第243届全国会议暨博览会(243rd National Meeting & Exposition)上,发明者说,一些设备使用这
  • 关键字: 内存芯片  闪存  

尔必达突然破产 内存芯片行业面临调整

  •   近日,全球第三大内存芯片厂商日本尔必达公司无预警地向东京地方法院提出破产保护申请。目前,该公司债务达到4480亿日元(约合55亿美元),也成为日本制造业历史上负债规模最大的破产案。   眼下,这家日本芯片制造商市值几乎蒸发殆尽。从2008年第四季度到2011年第四季度里,尔必达只有两个季度实现赢利。业界分析普遍认为,日元汇率的持续走强、产品价格下滑以及泰国洪灾是造成PC供货低迷的多重压力下。   不过,曾数次在资金紧缺的情况下仍然让尔必达起死回生的公司CEO坂本幸雄也承认,自己的确在过去的某个时间
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内存芯片识别方法

  • 内存芯片识别方法1.LGS:LGS的SDRAM芯片上的标识; GM72V*****1**T** GM为LGS产品; 72为SDRAM; 第1,2个*代表容量,16 ...
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现代内存芯片的编号识别

  • 现代内存芯片的编号识别一、现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下(这里说的是2000年9月30日后 ...
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日股尔必达一天大跌97%

  •   日本内存芯片厂商尔必达已申请破产保护,该公司股价在昨日东京股市的交易中大跌97%,创下东京股票交易所取消单日涨跌幅限制以来的最大跌幅。尔必达的破产是日本两年来规模最大的公司破产案。在东京股市昨日的交易中,尔必达股价一度跌至4日元,远低于周二收盘时的254日元。将于2015年到期、面值100日元的尔必达可转债价格则较2月27日下跌60日元,至14日元。   尔必达是日本最后一家计算机内存芯片厂商,该公司此前已连续5个季度亏损。尔必达于2月27日向东京地区法院提交了破产保护申请,其债务达到4480亿日元
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。   美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。   IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。   对于美光而言,混合式记忆体立方(HMC)
  • 关键字: 美光  内存芯片  硅穿孔  

美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(Hybrid Memory Cube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。   美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。   IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE 国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。   对于美光而言,混合式记忆体立方
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尔必达25nm制程4GB内存芯片样品出货

  •   尔必达日前表示,该公司已成功生产出25nm制程、4GB大小的SDRAM内存芯片样品,即将出货。早前,尔必达就宣称从7月开始发售限量版的25nm制程2GB内存芯片,而新款4G的25nm内存芯片将取代现在的30nm制程的4GB DDR3内存芯片产线,产品生产效率也将提高45%。除此之外,新款25nm芯片性能更强劲,可以有效降低待机电流。   
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苹果采购日本内存芯片 减少对三星依赖

  •   据科技网站DigiTimes报道,业内人士称,苹果公司从日本购买的DRAM和NAND闪存量大幅增加,主要来源为东芝和Elpida Memory公司。   消息称,苹果和三星之间的专利诉讼促使苹果分散其订单。三星一直是苹果公司最大的零部件供应商。苹果目前正在从Elpida和东芝公司采购NAND和RAM芯片,以减少其对三星电子的内存供应的依赖。  
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全球8大内存芯片厂商亏损连连 仅3家盈利

  •   北京时间9月1日消息,彭博社发文称,由于PC市场低迷等因素,内存芯片制造业处境艰难,全球八大厂商仅三家盈利,部分较小厂商选择转行或谋求并购,而分析人士认为该行业最终或将合并入几个大型厂商手中。原文如下:   债务、亏损与价格下跌造成的沉重负担,使内存芯片厂商茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技(Powerchip Technology Corp.)和尔必达(Elpida Memory Inc.)承受的压力越来越大,或将寻求合并或退出该产业。  
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内存芯片制造商承受压力加大:寻求合并或退出

  •   北京时间8月31日下午消息,由于负债累累、不断亏损、内存芯片价格持续下滑,内存芯片制造商尔必达、茂德和力晶科技承受的压力越来越大,他们或因此寻求合并或退出业界。   
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三星第2季内存营收同比减12%

  •   三星电子日前公布,今年第2季(4-6月)半导体部门合并营收年减4%至9.16兆亿韩圜,略低于前季的9.18兆亿韩圜;合并营益年减11.3%至1.79兆亿韩圜,高于前季的营益1.64兆亿韩圜;营益率达19.6%,高于前季的17.9%,但低于去年同期的30.9%。三星指出,4-6月内存营收年减12%至5.89兆亿韩圜。   三星电子曾在1月28日预期,今年半导体部门资本支出将由去年的12.7兆亿韩圜下降至10.3兆亿韩圜,其中内存相关资本支出将由去年的9兆亿韩圜下滑36%至5.8兆亿韩圜。Thomson
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业界看淡今年下半年芯片市场

  •   南韩三星电子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事业总括部门社长权五铉,及海力士(Hynix)社长权五哲等南韩半导体业界大老近期均异口同声表示,2011年下半内存芯片市况将不透明。权五铉表示,一般来说,下半年内存芯片市况应会比上半年好,然而近来变量相当多。2011年下半可能会与上半相同,半导体价格可能会大幅攀升,也可能没有任何表现。
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海力士一季度净利润2.54亿美元

  •   据国外媒体报道,全球第二大电脑内存芯片生产商海力士周四发布了2011年第一季度财报。财报显示,今年第一季度海力士实现净利润2735.4亿韩元(约合2.538亿美元),比去年同期大幅下降66%,这主要是受到个人电脑需求低迷导致芯片价格下滑影响。   
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内存芯片介绍

  简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!   根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:   具体含义解释:   例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0   主要含义:   第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。   第2位——芯片类型4,代表DRAM。   第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看详细 ]

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