IM Flash向客户送样最新20纳米制程8GB NAND

　　据华尔街日报(WSJ)报导指出，由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash，日前领先业界率先推出最新20纳米制程快闪存储器，这也使得智能型手机和平板计算机里的储存装置可以进一步缩小。

　　IM Flash于美国时间14日宣布，该公司正向客户送样20纳米制程8GB NAND快闪存储器，并预计在2011下半年导入量产。此外，IM Flash也预计将在2011下半年开始送样16GB NAND快闪存储器。

　　报导指出，相较于竞争对手包括三星电子、海力士和东芝、新帝等厂仍在量产25纳米制程快闪存储器，英特尔和美光已经先一步跑在前面导入20纳米制程投产。

　　据悉，IM Flash已经量产25纳米制程达1年半的时间，如今正向20纳米制程转换。英特尔和美光表示，利用20纳米制程投产后，将可望打造比1枚邮票体积还要小的128GB固态硬盘(SSD)。

　　美光NAND解决方案事业群营销主管Kevin Kilbuck表示，持续进行NAND Flash制程微细化，才能激发出新的终端应用装置出现。如今，该公司可以挤进更多的存储器到现有的终端装置里，或是在较低的成本下使用相同容量的存储器。

　　利用最新20纳米制程所打造出来的8GB NAND快闪存储器，可以缩小占用电路版空间3成到4成，使得平板计算机或智能型手机可以利用多出来的空间加入其它的功能，例如加大电池的尺寸，拉长电池续航力，或是加入另一颗处理器好处理崭新的功能。