韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进，展示了带宽、容量、I/O 宽度以及热量的增加。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的发展，包括封装、3D 堆叠、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储，甚至基于机器学习的方法来控制功耗。 请记住，该文件是关于 HBM 技术假设演进的，基于当前行业和研究方向，而不是任何商业公司的实际路线图。（图片来源：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34
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HBM.NAND
作为 Micron——在赢得 NVIDIA HBM 订单的竞争中关键对手——宣布已交付其首批 12 层 HBM4 样品，据报道三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时遇到了挫折。根据 Business Post引用的证券分析师，该公司现在计划在 9 月份进行重测。尽管 Deal Site 之前表示三星的 12 层 HBM3E 在 5 月份通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需进行完整封装验证。另一方面，SR Times 建
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三星 HBM 英伟达
上半年，时至过半。回顾这半年的半导体市场，似是相对平静，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整。它们接连「动刀」，果断退出部分产品领域。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头，放弃这些芯片存储三巨头，计划停产 DDR3 和DDR4关于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商计划停产 DDR3 和 DDR4 内存的消息，想必业内人士早有耳闻。今年 2 月，这则消息正式传来，这一决策是由于对 HBM（高带宽内存）和 DDR5 等
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DDR3 DDR4 NAND HDD
美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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英特尔 软银 HBM DRAM 三星 SK海力士
据韩媒SEDaily报道，三星半导体部门（即DS设备解决方案部）正对系统LSI业务的组织运作方式的调整计划进行最终审议，相关决定将在不久后公布。预计在由副董事长郑铉镐和DS部门负责人全永铉做出最终决定之前，还将进行更多高层讨论，并听取董事长李在镕的意见。系统LSI业务主要负责芯片设计，在三星半导体体系中承担着为移动业务（MX）部门开发Exynos手机SoC的核心任务。然而，近年来Exynos 2x00系列应用处理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手机中的采用率明显下降，不仅削弱了MX部门的利润空间，
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三星 HBM LSI DRAM 半导体 晶圆代工
据路透社报道，英伟达即将针对中国市场推出一款新的AI芯片，预计售价在6500美元至8000美元之间，远低于H20芯片的10000至12000美元，较低的价格反映了其较弱的规格和更简单的制造要求，避开了受美国出口规则限制的先进技术。知情人士称，这款新的专供中国市场的GPU将会是基于英伟达的服务器级图形处理器RTX Pro 6000D来进行构建，采用传统的GDDR7显存，而不是HBM3e，也没有使用台积电的先进封装技术CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），这也使得这款芯片成本大幅
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英伟达 芯片 Cowos 封装 HBM
据消息人士透露，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务。同时，三星还提高了MLC NAND的价格，促使部分客户开始寻找替代供应商。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG显示正在寻求其他供应商，以填补这一空缺。据悉，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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据报道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美国 AI 芯片出口限制后，这家美国芯片巨头一直在开发一款针对市场的新芯片组。据路透社报道，这款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 对内存和封装的选择是该芯片价格较低的关键原因。值得注意的是，据报道，新型号将放弃台积电先进的 CoWoS 封装。此外，该报告补充说，预计它将基于 RTX Pro 6000D（服务器级 GPU）与标准 GDDR7 内存配对，而不是更昂贵的 HBM。
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业界传出，全球BT载板用基材龙头的日本三菱瓦斯化学株式会社（MGC），近日向客户发出BT材料「延迟交付」通知。 随着原料缺货日益严峻，载板供应中长期将出现短缺。 供应链业者同步透露，金价持续上涨、产品交期延长，NAND Flash控制芯片等领域，也可望转嫁成本上涨，包括群联、慧荣等主控业者有机会受惠。多家BT载板业者证实，确实2025年5月上旬时，陆续接获日本MGC书面通知，部分高阶材料订单交期将进一步拉长，显示先前传出ABF载板材料供不应求的情形，已进一步向BT载板供应链蔓延。据三菱发出的通知内容指出，
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据 etnews 报道，据报道，苹果已启动其 2027 年 iPhone 的开发，引起了行业的广泛关注，因为它计划进行重大技术升级以纪念该设备 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潜在新技术。Apple 将使用 HBM 解锁 iPhone 的 AI 功能该报告指出，设备端 AI 将需要显著的内存进步，业界预计 Apple 将在 2027 年之前在 iPhone 中采用移动 HBM。消息人士称，苹果可能已经与三星电子和 SK 海力士等主要内存供应商讨论
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在英伟达H20受到最新出口限制之后，其正在开发该芯片的降级版本，以寻求在有限政策空间内继续开拓中国市场，最早可能在7月发布。降级版H20性能预计会有较为明显的下调，尤其是在内存容量方面，据TrendForce报道英伟达可能会用GDDR取代HBM。英伟达HBM3的供应商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供应商，如果降级版H20选择换用GDDR，那么可能会对现有的供应链产生一定的干扰。同样，三星和SK海力士也都有与英伟达在GDDR7上合作的经验，值得注意的是，现阶段GDDR7的供应主要由三星提供支持，S
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英伟达 H20 GDDR HBM 三星 SK海力士
据称，继 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，这家美国芯片巨头正在开发该芯片的降级版本，以在中国销售。由于改进后的芯片预计将大幅削减，尤其是在内存容量方面，New Daily 的一份报告暗示 NVIDIA 可能会用 GDDR 取代 HBM，这可能会破坏内存供应链。正如路透社所指出的，Team Green 已经向中国主要的云提供商提供了有关即将推出的公告。据路透社报道，H20 的低调版本由新设定的技术限制塑造，最早可能在 7 月发布。目前，韩国《数字时报》报道称，NVIDIA 坚持从三星和
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三星 NVIDIA H20 HBM GDDR
由于三星尖端制程良率偏低，以及美国特朗普政府关税政策影响，处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单，进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。这一决定标志着三星代工业务继失去高通、英伟达等科技巨头价值数十亿美元的尖端芯片订单后，再次遭遇重大挫折。
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三星 代工 台积电 AMD 2nm HBM
NAND闪存将单元串联排列以实现高密度存储，优先考虑写入/擦除速度而不是直接寻址。
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闪存 NAND
三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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