- NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期，NAND Flash市况将于6月好转，下半年表现将优于上半年，甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌，但供应商已开始坚守价格，避免市场陷入低迷行情。他强调，供应商根据市场状况自然调节供给，是NAND Flash供需好转的主因之一，2025年NAND Flash位元供给，估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制，也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
- 关键字：
TrendForce 集邦咨询 NAND Flash
- 据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责
- 关键字：
三星 长江存储 NAND
- 自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。据悉，铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，类似长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38%。两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品（BiCS FLASH™ generation 8）实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8G
- 关键字：
铠侠 3D闪存 NAND
- 2月17日消息，据BK最新报道，NVIDIA正与包括三星电子、SK海力士在内的主要内存半导体公司进行秘密谈判，合作开发新型内存标准SOCAMM，并推动其商业化。16日，业内人士证实了这一消息。此举标志着内存半导体领域的重大转转变，对B2B服务器市场和蓬勃发展的设备端AI领域都有潜在影响。据悉，SOCAMM被誉为新一代HBM（高带宽存储器），是系统级芯片高级内存模块的缩写，这是一种尖端的DRAM内存模块，可极大增强个人AI超级计算机的性能。与小型PC和笔记本电脑中使用的现有DRAM模块相比，SOCAMM的性
- 关键字：
英伟达 内存 HBM
- 据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步压缩企业的利润空间，为此，三星与SK海力士均选择在2025年第一季度实施更为激进的减产措施，将NAND闪存产量削减幅度提高至10%以上。在此前的上升周期时，N
- 关键字：
NAND 闪存 三星 SK海力士
- 据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
- 关键字：
3D NAND 深孔蚀刻
- 全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。
- 关键字：
NAND 三星 闪存 美光 SK海力士
- 根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出，NAND
Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布减产，Kioxia/
SanDisk（铠侠/闪迪）、Samsung（三星）和SK hynix/
Solidigm（SK海力士/思得）也启动相关计划，可能长期内加快供应商整合步伐。TrendForce集邦咨询表示，NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的，背后受以下因素驱动：第一，需求疲软
- 关键字：
NAND Flash 减产 TrendForce 集邦咨询
- 1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
- 关键字：
三星 NAND 闪存 存储卡 U盘 晶圆 SK海力士 铠侠 西部数据 美光 长江存储
- Micron Technology 已开始在新加坡建设其价值数十亿美元的高带宽内存 （HBM） 封装设施。该公司将向该工厂投资 70 亿美元，因为预计在 AI 热潮中，未来几年对 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的需求将猛增。该设施将于 2026 年开始运营。美光的高带宽内存 （HBM） 封装设施位于美光在新加坡现有的生产 3D NAND 和 DRAM 的晶圆厂旁边。新的 HBM 装配厂将于 2026 年投产，并计划在 2027 年大幅提高产能。该设施将使用先进的人工智能驱动的自动化来
- 关键字：
AI Micron HBM 装配厂
- HBM（高带宽内存）技术是即将到来的“内存内计算/处理”时代的一种“近内存计算（Near Memory Computing）/处理”阶段。由于人工智能/机器学习的高需求，三星、SK海力士和美光这三大内存制造商正在HBM技术的开发上竞相角逐。HBM是一种具有高带宽和宽通道的3D堆叠DRAM器件，这意味着它非常适合高性能计算（HPC）、高性能图形处理单元（GPU）、人工智能和数据中心应用所需的高能效、高性能、大容量和低延迟内存。因此，对于内存制造商而言，硅通孔（TSV）工艺集成和3D HBM DRAM芯片堆叠
- 关键字：
HBM 高带宽内存
- 12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
- 关键字：
存储芯片 SK海力士 HBM
- 12 月 11 日消息，Marvell 美满电子美国加州当地时间 10 日宣布推出“定制 HBM 计算架构”（Custom HBM Compute Architecture），可令各种 XPU 处理器实现更高的计算和内存密度。Marvell 表示这项可提升性能、能效、成本表现的新技术对其所有定制芯片客户开放，并得到了三大 HBM 内存原厂 SK 海力士、三星电子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 计算架构”采用了非行业标准的 HBM I/O 接口设计，可带来更优秀性能和最多 70% 的接口
- 关键字：
Marvell HBM XPU
- 12 月 5 日消息，据 Businesses Korea 今日报道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了 1 位总裁、33 位新高管及 2 位研究员。为提升决策效率，该公司推行“C-Level”管理体系，依据核心职能分工明确责任与权限，业务单元被划分为包括 AI 基础设施（CMO）、未来技术研究院（CTO）、研发（CDO）和生产（CPO）在内的五大部门。据介绍，新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等
- 关键字：
SK海力士 内存 NAND
- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示，不同应用领域的NAND
Flash价格走势在今年第三季出现分化，企业级SSD需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略，订单大量减少，第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响，合约价反
- 关键字：
NAND Flash 企业级SSD TrendForce 集邦咨询
hbm.nand介绍
您好，目前还没有人创建词条hbm.nand!
欢迎您创建该词条，阐述对hbm.nand的理解，并与今后在此搜索hbm.nand的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
