称三星与长江存储合作，新一代NAND将采用中国企业专利

据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。

据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。

据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责数据 I/O 及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让 NAND 获取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

在创业初期，长江存储通过与美国科技公司Xperi签署许可协议获得了混合键合技术的原始专利。随后，长江存储还在NAND封装技术方面建立了相当多的自主专利，在相关技术上拥有强大的专利积累。