3月13日消息，除了首款商用级PCIe 5.0 SSD PC450，长江存储还披露了首款企业级PCIe 5.0 SSD，型号为“PE511”。它采用长江存储新一代晶栈4.0闪存，相比于现有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本，同时保留3.84他、7.68TB，而最小的1.92TB直接淘汰。接口形态在U.2之外，还新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口，整体性能可提升多达100％，直接翻番，但暂未公开具体数据。在耐久度方面也提升了20％，支持每天4次全盘写入。发布时间暂时不详，估计
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近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
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据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影
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据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责
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1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
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当地时间1月6日，美国国防部通过《联邦公报》发布最新版的“中国涉军企业”清单（Communist Chinese military company，“CMC”，根据美国法律正式规定为“第1260H条名单”），将腾讯控股、宁德时代、长鑫存储、移远通信，以及无人机制造商深圳市道通智能航空技术股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入该清单，完整清单包括134家中企，其中还涵盖了长江存储、中芯国际等众多中国半导体企业。根据美国《2024财年国防授权法》的相关规定，被列
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12月18日消息，长江存储近日推出了PE321固态硬盘，凭借其第三代三维闪存技术，以高达6.4TB的容量引起了广泛关注。现在这款SSD已经来到我们评测室，下面为大家带来图赏。PE321是长江存储首款采用晶栈Xtacking 2.0 技术的PCIe 4.0企业级固态硬盘。其最大顺序写入速度达到6400MB/s，读取速度更是高达6800MB/s，这在处理大容量数据时无疑是巨大的优势。随机读写性能方面同样不俗，在进行4K随机读写测试时，其写入性能稳步达到650k IOPS，读取性能为580k IOPS，这使得它
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12月9日消息，针对外界的传闻，长江存储公开回应称，他们没有上市的打算。长江存储发布声明称，近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻。为澄清事实，我司发表声明如下：一、长江存储从无任何“借壳上市”的意愿。 二、长江存储与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。三、请相关单位自重并立即停止一切失实报道。我司将保留追究相关单位法律责任的权利。作为国产存储之光，之前有消息称长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部
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IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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在闪存领域突飞猛进的长江存储，还是遭到了美国的制裁，被列入“实体清单”，几乎是同一时间，三星就开始涨价了！DigiTimes报道称， 随着长江存储遭到制裁，部分PC厂商不得不暂停合作，而面对突然增加的市场需求，三星将其3D NAND闪存的报价提高了10％。当然，同样作为NAND闪存巨头，SK海力士、美光、铠侠/西部数据也有机会获得更多市场，但 三星毕竟是全球第一大NAND闪存供应商，今年第二季度份额为33％ ，虽然下跌了2.3个百分点但依然遥遥领先。 相比之下，SK
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10月20日晚，长江存储发布严正声明，以下为声明全文：近日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”或“我司”）发现个别媒体通过多种渠道刊登、散布“工信部与国内主要半导体企业过去一周召开了一系列紧急会议，寻求评估拜登政府针对芯片祭出的限制措施所造成的损害，并承诺对这个半导体行业的支持”的信息，并散布关于我司参与闭门会议的不实言论。面对谣言，长江存储一贯坚持清者自清。但在目前市场环境和产业环境正在发生重大变化的局势下，上述用心险恶的不实言论不止伤害了长江存储的企业形象，还将对国内外半导体产业环境造成严
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IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，苹果召开新品发布会，正式发布了 iPhone 14 系列手机，起价 5999 元。在此之前，韩媒消息称中国厂商长江存储已经进入苹果供应链，将供货 iPhone 14 系列 NAND 闪存。后续苹果也承认正考虑从长江存储采购 NAND 芯片，但仅会用于在中国销售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，苹果高度依赖三星电子、SK 海力士等韩国存储芯片厂商。因此，市场观察人士认为，苹果与长江存储合作，将使他们 NAND 闪存的供应商进一步
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今日消息，长江存储宣推首款企业级PCIe4.0固态硬盘 PE310系列，适用于大数据、云计算、流媒体等云存储场景。这个系列采用U.2接口，支持PCIe4.0和NVMe1.4协议，而且搭载自家第三代三维闪存芯片，读取密集型可选1.92TB、3.84TB和7.68TB，混合应用型可选1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外，其4K随机读、写稳态性能高达1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是，长江存储PE310系列固态硬盘已经上市。喜欢这一系列的朋友就多关注下吧。
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长江存储首款企业级PCIe 4.0固态硬盘PE310系列的推出，是长江存储对企业级存储市场的重要布局，也标志着长江存储存储系统解决方案业务版图的完善。PE310将为大数据、云计算、流媒体等云存储场景提供高性能、高可靠的数据存储。2022年7月25日，长江存储推出首款企业级PCIe 4.0 NVMe固态硬盘PE310系列，正式进入高端企业级固态硬盘市场。该产品是继消费级固态硬盘、嵌入式存储器之后，长江存储在存储系统解决方案领域的重要布局。长江存储PE310系列基于晶栈®2.0（Xtacking®2.0）技术
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近日，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 ：“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
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