据报道，为了减少对外国设备的依赖，长江存储技术有限公司（YMTC）在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。2016年，长江存储在武汉东湖新技术开发区正式注册成立，专注于3D NAND闪存芯片的设计、制造与销售。2022年底，长江存储被列入美国商务部的实体清单，在无法取得美系先进晶圆制造设备的情况下，仍靠既有工具维持先进NAND Flash产品线的开发与制造，依然积极推进产能扩张计划。目前，长江存储的产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%，计划在
关键字：
半导体设备 国产化 长江存储
(图片来源：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC），中国领先的 NAND 存储器生产商，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单，这基本上禁止了其获取先进制造设备。尽管面临制裁和限制，YMTC 计划今年扩大其生产能力，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%，据《Digitimes》报道。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道，预计到 2024 年底，YMTC 的月产能将达到每月
关键字：
长江存储 NAND 内存
随着存储器巨头加速布局HBM4和多层NAND产品，混合键合技术越来越受到关注。根据 ZDNet 的一份报告，韩国三星电子和SK海力士在关键专利方面仍然落后。该报告强调，三星和SK海力士披露的混合键合相关专利相对较少，大幅低于竞争对手长江存储。 据报道，三星电子已与长江存储签署了一项许可协议，在其下一代NAND中采用混合键合技术。此举反映了三星希望规避长江存储的专利的挑战，这些专利被认为难以避免。报告指出，长江存储在其“Xtacking”品牌下大规模生产基于混合键合的NAND已有大约四年
关键字：
长江存储 混合键合 三星 SK海力士
3月13日消息，除了首款商用级PCIe 5.0 SSD PC450，长江存储还披露了首款企业级PCIe 5.0 SSD，型号为“PE511”。它采用长江存储新一代晶栈4.0闪存，相比于现有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本，同时保留3.84他、7.68TB，而最小的1.92TB直接淘汰。接口形态在U.2之外，还新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口，整体性能可提升多达100％，直接翻番，但暂未公开具体数据。在耐久度方面也提升了20％，支持每天4次全盘写入。发布时间暂时不详，估计
关键字：
长江存储 PCIe5.0 SSD 存储
近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
关键字：
三星 长江存储 NAND 混合键合 晶栈 Xtacking 闪存
据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影
关键字：
三星 存储 长江存储
据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责
关键字：
三星 长江存储 NAND
1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
关键字：
三星 NAND 闪存 存储卡 U盘 晶圆 SK海力士 铠侠 西部数据 美光 长江存储
当地时间1月6日，美国国防部通过《联邦公报》发布最新版的“中国涉军企业”清单（Communist Chinese military company，“CMC”，根据美国法律正式规定为“第1260H条名单”），将腾讯控股、宁德时代、长鑫存储、移远通信，以及无人机制造商深圳市道通智能航空技术股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入该清单，完整清单包括134家中企，其中还涵盖了长江存储、中芯国际等众多中国半导体企业。根据美国《2024财年国防授权法》的相关规定，被列
关键字：
美国清单 长鑫存储 移远通信 道通智能 长江存储 中芯国际
12月18日消息，长江存储近日推出了PE321固态硬盘，凭借其第三代三维闪存技术，以高达6.4TB的容量引起了广泛关注。现在这款SSD已经来到我们评测室，下面为大家带来图赏。PE321是长江存储首款采用晶栈Xtacking 2.0 技术的PCIe 4.0企业级固态硬盘。其最大顺序写入速度达到6400MB/s，读取速度更是高达6800MB/s，这在处理大容量数据时无疑是巨大的优势。随机读写性能方面同样不俗，在进行4K随机读写测试时，其写入性能稳步达到650k IOPS，读取性能为580k IOPS，这使得它
关键字：
SSD 长江存储 三维闪存
12月9日消息，针对外界的传闻，长江存储公开回应称，他们没有上市的打算。长江存储发布声明称，近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻。为澄清事实，我司发表声明如下：一、长江存储从无任何“借壳上市”的意愿。 二、长江存储与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。三、请相关单位自重并立即停止一切失实报道。我司将保留追究相关单位法律责任的权利。作为国产存储之光，之前有消息称长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部
关键字：
长江存储 上市 万润科技
IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
关键字：
长江存储 NAND 美光 内存
在闪存领域突飞猛进的长江存储，还是遭到了美国的制裁，被列入“实体清单”，几乎是同一时间，三星就开始涨价了！DigiTimes报道称， 随着长江存储遭到制裁，部分PC厂商不得不暂停合作，而面对突然增加的市场需求，三星将其3D NAND闪存的报价提高了10％。当然，同样作为NAND闪存巨头，SK海力士、美光、铠侠/西部数据也有机会获得更多市场，但 三星毕竟是全球第一大NAND闪存供应商，今年第二季度份额为33％ ，虽然下跌了2.3个百分点但依然遥遥领先。 相比之下，SK
关键字：
闪存 长江存储 三星
10月20日晚，长江存储发布严正声明，以下为声明全文：近日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”或“我司”）发现个别媒体通过多种渠道刊登、散布“工信部与国内主要半导体企业过去一周召开了一系列紧急会议，寻求评估拜登政府针对芯片祭出的限制措施所造成的损害，并承诺对这个半导体行业的支持”的信息，并散布关于我司参与闭门会议的不实言论。面对谣言，长江存储一贯坚持清者自清。但在目前市场环境和产业环境正在发生重大变化的局势下，上述用心险恶的不实言论不止伤害了长江存储的企业形象，还将对国内外半导体产业环境造成严
关键字：
长江存储
IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，苹果召开新品发布会，正式发布了 iPhone 14 系列手机，起价 5999 元。在此之前，韩媒消息称中国厂商长江存储已经进入苹果供应链，将供货 iPhone 14 系列 NAND 闪存。后续苹果也承认正考虑从长江存储采购 NAND 芯片，但仅会用于在中国销售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，苹果高度依赖三星电子、SK 海力士等韩国存储芯片厂商。因此，市场观察人士认为，苹果与长江存储合作，将使他们 NAND 闪存的供应商进一步
关键字：
iPhone 14 NAND 长江存储
长江存储介绍
您好，目前还没有人创建词条长江存储!
欢迎您创建该词条，阐述对长江存储的理解，并与今后在此搜索长江存储的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473