当地时间1月6日，美国国防部通过《联邦公报》发布最新版的“中国涉军企业”清单（Communist Chinese military company，“CMC”，根据美国法律正式规定为“第1260H条名单”），将腾讯控股、宁德时代、长鑫存储、移远通信，以及无人机制造商深圳市道通智能航空技术股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入该清单，完整清单包括134家中企，其中还涵盖了长江存储、中芯国际等众多中国半导体企业。根据美国《2024财年国防授权法》的相关规定，被列
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中国一家领先的半导体公司取得了该国首款新一代先进移动存储芯片，实现了缩小与韩国和美国竞争对手的差距的关键进展。长鑫存储技术（CXMT）在其官方网站上的一份声明中表示，他们已经生产出中国首款低功耗双数据率5（LPDDR5）动态随机存取存储器（DRAM）芯片，这是一种由韩国三星电子在2018年首次推出的新一代存储芯片。这一突破是在美国加大对中国先进芯片制造业发展的制裁力度的背景下取得的，这将使中国能够减少对进口产品的依赖，这些产品用于电子设备，如手机和笔记本电脑。总部位于合肥的CXMT表示，他们的一款产品，即
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IT之家 4 月 20 日消息，据彭博报道，知情人士称，中国芯片制造商长鑫存储计划今年在科创板 IPO，估值不低于 1000 亿元人民币。据报道，长鑫存储正在挑选承销商，IPO 规模尚未最终确定。截至IT之家发稿，长鑫存储的一位代表就 IPO 计划不予发表评论，称公司目前专注于研发工作及发展核心业务。长鑫存储目前是中国最大的 DRAM 制造商，主要生产 DRAM 芯片，这种芯片用于个人电脑、服务器和智能手机等设备。长鑫存储的竞争对手包括三星电子、SK 海力士和美光科技等全球领
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国产DRAM领域，长鑫存储可谓是一枝独秀，它在技术上的突破与否，直接关系到国产DRAM产业的发展。近日，据台湾《电子时报》援引业内人士消息，长鑫存储的17nm制程成品率初步达到40%，预计将在2022年晚些时候逐步提高。据其计划，将在2022年下半年将月产量提高到6万至8万片12英寸晶圆。长鑫存储将17nm工艺节点作为下一代主流制造技术。该人士认为，当其17nm制程成品率提高到成熟水平时，将能够提高DDR3和DDR4产能，并将在专业DRAM领域与包括南亚科技和华邦电子在内的中国台湾同行展开直接竞争。
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作为国产DRAM的绝对领头羊，近年来合肥长鑫存储颇受资本青睐，尤其是随着信息安全的国产化加剧，以及国内外的各种技术封锁，更加凸显长鑫存储的重要性。近日，针对国产DRAM的唯一香饽饽，再次受到新资本的入局。据公开消息，阿里巴巴(中国)网络技术有限公司新增对外投资，新增投资企业为睿力集成电路有限公司，投资比例未披露。而通过相关信息透露，国产DRAM厂商长鑫存储的母公司——睿力集成电路有限公司(以下简称“睿力集成”)日前发生股东变更，新增阳光人寿保险股份有限公司、阿里巴巴、中邮人寿保险股份有限公司等19位股东，
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日前紫光国芯的DDR4内存条出现在京东商城,包括台式机、笔记本两种类型,价格方面4GB 129元、8GB 219元,但不清楚内存芯片是否为紫光自产。其实今年2月底,长鑫存储官网就开始公开销售自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片,官方还强调是第一颗国产的DDR4内存芯片,但因为主要主要面向行业客户,没有公开报价。现在,主打性价比的内存品牌光威(Gloway)迈出了历史性的一步,官方网站新上架了羿PRO系列内存,赫然采用长鑫DDR4内存芯片!根据介绍,光威羿PRO系列内存单条容量8G
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日前，长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）与美国半导体公司Rambus Inc.（以下简称“蓝铂世”）签署专利许可协议。依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储（以下简称“DRAM”）技术专利的实施许可。
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长鑫存储 蓝铂世 协议
对于国产软硬件,我们从未如此期盼,幸运的是各项突破也是接踵而至,现在我们终于有了自己的内存。长鑫存储官方网站上,已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片,都符合国际通行标准规范。据介绍,长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求,支持多领域应用、多产品组合,并有充分的可靠性保障,规格方面单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。长鑫特别强调,这是第一颗国产的DDR4内存芯片。根据此前消
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近日，据外媒报道，长鑫存储正式宣布其成为了国内第一家也是唯一一家DRAM供应商。长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。该晶圆厂每月产量为20000晶圆，到2020年第二季度这一速
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新华社消息，在合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。
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