中国在科技战争持续的背景下，在缩小与韩国和美国在移动存储芯片领域的差距方面取得了重要进展。

中国一家领先的半导体公司取得了该国首款新一代先进移动存储芯片，实现了缩小与韩国和美国竞争对手的差距的关键进展。

长鑫存储技术（CXMT）在其官方网站上的一份声明中表示，他们已经生产出中国首款低功耗双数据率5（LPDDR5）动态随机存取存储器（DRAM）芯片，这是一种由韩国三星电子在2018年首次推出的新一代存储芯片。

这一突破是在美国加大对中国先进芯片制造业发展的制裁力度的背景下取得的，这将使中国能够减少对进口产品的依赖，这些产品用于电子设备，如手机和笔记本电脑。

总部位于合肥的CXMT表示，他们的一款产品，即12GB版本，每个都装有8个容量为12Gb的芯片，已经通过了中国智能手机制造商，包括小米和传音的验证。

LPDDR5存储芯片突破发生在中国报告半导体开发和制造技术方面进展缓慢但稳步的时候，尽管中国被拒绝使用来自荷兰公司ASML的关键高端光刻系统以及一些日本供应商。

在最近的突破中，华为技术公司通过推出其由本地制造的先进芯片驱动的Mate 60 Pro智能手机，使全球大吃一惊。

第三方拆解报告得出的结论是，该芯片可能由中国顶级芯片代工厂，中芯国际，使用现有设备制造。

中芯国际去年10月首次在上交所科创板上市，市值已飙升至4600亿元。 数据来源：Wind

中芯国际通过制造所谓的中端芯片成为中国半导体领域的先行者，不过，其技术仍远远落后于全球领先芯片公司。

宏基副总裁陈念伟在接受21世纪经济报道记者采访时表示，中芯国际生产的中端芯片凭借“一定的”技术水平取得了成功，但追赶最先进制程的先进芯片仍需要大量资金和人才。

中芯国际仍然没有摆脱从国际芯片制造设备制造商购买的依赖。

“CXMT在提高生产产量、在价格和质量上保持竞争力方面仍然面临重重困难，与韩国DRAM制造商相比可能会有所不及，”研究公司Counterpoint的副总监Brady Wang表示，并补充说，用于生产芯片的技术可能不如韩国先进，以便符合美国设定的限制。

三星于2018年推出了业内首款8Gb LPDDR5芯片，并于2021年基于14纳米工艺更新到16Gb LPDDR5X芯片，提供高达8500兆位每秒的数据处理速度，比上一代快1.3倍以上。

SK海力士于2021年3月开始大规模生产其LPDDR5移动DRAM，而美光于2020年初宣布其LPDDR5芯片，称将在小米的Mi 10智能手机上使用。