根据最新发布的行业数据，头部半导体企业的营收表现分化明显：AI芯片与存储芯片成为增长的核心引擎，而传统消费电子领域则面临一定的下行压力。多家权威机构对2026年全年市场预期持乐观态度，预计行业将迎来新一轮扩张周期。在2026年第一季度的营收榜单中，Nvidia以816亿美元的业绩稳居榜首，同比增长20%，其对第二季度的指引也高达12%，显示出AI算力需求的持续旺盛。紧随其后的是三星电子（Samsung SC）和SK海力士（SK Hynix），两者分别以548亿美元和352亿美元的营收位列第二、第三，环比增
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半导体
AI
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消费电子
2026年9月2日，SK集团董事长崔泰源在接受媒体采访时释放了一个重磅信号：SK海力士正考虑与日本半导体巨头铠侠控股（Kioxia）开展联合生产，并将日本列为海外半导体生产基地的候选地。崔泰源明确表示，联合生产是“一种选择”，双方可在联合生产、研发以及供应链共享等领域展开合作。这一表态意味着，全球NAND闪存市场排名第二的SK海力士与排名第三的铠侠，正从长期的竞争对手走向潜在的联合体。若合作落地，两家合计36%的市场份额将超越三星电子的25%，全球存储芯片竞争格局将迎来深刻变革。铠侠方面也展现出开放态度，
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NAND
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SK海力士
铠侠
三星
2026年8月26日，武汉——在今日开幕的2026全球闪存峰会上，Solidigm（思得）发表了题为“构筑AI存储基石”的主题演讲。AI的快速发展带来数据规模的急剧扩张，这对AI基础设施提出了全新考验，也让存储的作用和价值愈发明显。作为企业数据存储领域的领导者，Solidigm一直致力于推动产品技术创新，提供丰富的企业级存储产品组合，携手客户共同构筑AI存储基础设施。 Solidigm亚太区销售副总裁倪锦峰发表主题演讲“从高性能的Solidigm D7-PS1010和PS1030 PCIe 5.
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Solidigm
思得
AI
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智能体
高性能SSD
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码：603986.SH；3986.HK）携多款面向具身智能领域的创新产品与系统级解决方案亮相2026 WRC世界机器人大会（展位号：B馆 B302）。本次展会，集中展示了兆易创新在具身智能硬件链路的全面布局，覆盖MCU、模拟、存储等多元产品线，其中本月最新发布的GD32H77R及GD32F50MxxG新品应用方案也迎来业界展会的首次亮相，以硬核产品力为机器人产业注“芯”赋能。 核心关节驱动方案：赋能精准平稳的运动控制关节作为具身智能机
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兆易创新
具身智能
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FMS（Future of Memory and Storage，全球闪存峰会）是存储行业最具权威性的年度技术盛会，每年8月在美国加州圣克拉拉举办，汇聚全球存储厂商、芯片巨头与云服务商，集中展示闪存、SSD、内存接口等领域的前沿技术与产品。在峰会上，主题演讲、技术论坛、展台演示及最佳展品奖等多个奖项的评选都成为行业焦点，是观察存储行业技术风向与AI基础设施演进趋势的重要窗口。铠侠作为存储行业的重要引领者，一如既往与行业合作伙伴共同努力，积极推动存储技术向前发展。在FMS 2026期间，铠侠以第九代BiCS
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FMS 2026
铠侠
存储
Counterpoint Research的最新报告指出，人工智能已彻底改变了内存的供需结构，甚至显示“每克DRAM的价格高于每克黄金”，反映出记忆正从传统的周期性产品转变为AI时代最重要的核心组成部分之一。报告认为，AI基础设施的快速扩展使内存市场不再仅仅是HBM供应短缺的问题，而是推动了DDR5、DDR4和企业级SSD等产品的同步需求。 三大存储器制造商正优先考虑更多晶圆、先进工艺和封装资源以生产HBM。传统DRAM供应被压缩，市场供应紧张，需求无止息迹象。Counterpoint指出，每台AI服务器
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DRAM
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近日，三星电子公布2026年第二季度业绩，存储业务继续刷新季度纪录。公司表示已扩大HBM4销售，并向主要客户送出首批HBM4E样品。三星在业绩公告中确认，HBM4已进入扩大销售阶段，意味着该产品已通过主要客户认证并在量产爬坡中。与此同时，公司向客户送出了首批HBM4E样品，表明下一代HBM技术的研发已推进至客户测试环节。HBM4E是HBM4的演进版本，在带宽和容量上进一步提升，面向更高端的AI训练和推理需求。样品送交客户是量产前认证流程的起点，通常需要经历数个季度的验证和优化才能进入规模出货。在HBM产品
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三星
HBM4
HBM4E
存储
代工
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7月29日晚，存储芯片龙头兆易创新连续披露回购、增持、不减持等多份相关公告，传递积极信号。具体来看，兆易创新公告称，公司7月29日收到控股股东、实际控制人朱一明出具的《兆易创新股份增持计划告知函》，基于对公司长期投资价值的认可和发展前景的坚定信心，朱一明拟自2026年12月13日至2027年7月29日期间内，通过集中竞价交易及/或大宗交易，以自有及/或自筹资金增持公司股份，增持金额不低于10亿元（含）。本次增持不设价格区间。截至公告披露日，朱一明及其一致行动人合计持有公司4770.09万股，占公司总股本的
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存储
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近期AI硬件产业出现多个共同信号：竞争不再只围绕单颗芯片展开，而是正在扩展到存储、制造、封装、整机柜、电源、散热、软件和工程交付。Samsung与Broadcom扩大合作，说明AI自研芯片不仅需要设计能力，也需要长期锁定存储、晶圆代工和先进封装资源。CXMT上市则说明，国产存储正在从替代叙事进入资本、扩产和供给能力竞争的新阶段。AMD Helios进入量产，显示AI数据中心建设正在走向机柜级系统交付。Intel、TI和ST财报则说明，AI需求正在继续外溢到CPU、模拟芯片、电源管理、MCU、传感器和数据中
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AI
AI基础设施
存储
先进封装
电源
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数据中心
TrendForce预测2026年DRAM需求同比增长26%，而供给仅增长约20%，存在明显缺口；DRAM的供需平衡预计要到明年底才能达成，产能过剩或将推迟至2028年出现。SK海力士CEO郭鲁正预测，2027年将是存储行业历史上供应最严峻的一年。这种根源在于HBM（高带宽内存）对晶圆产能的“虹吸效应”：据《商业时报》报道，2027至2028年间存储相关晶圆产能预计每年增长约12%，但其中约一半将被HBM占据。三星2026年HBM出货量约为120亿Gb，2027年将增至200亿Gb；SK海力士2026年为
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半导体
存储
一、超能网拆解：长江存储SE006的PLP电容选择据“超能网”公众号公开报道：长江存储SE006企业级SATA SSD方案中，采用5颗电压35V，容量100μF的永铭固液混合电容（NGY系列），共同构成SSD的掉电保护机制。 图片来源：超能网公众号拆解图二、三大核心优势，构筑存储电容优选方案永铭固液混合铝电解电容三大核心优势，精准匹配企业级SSD严苛要求：1、高能量密度：有限空间内储足电能，确保意外断电时完整写入关键数据，杜绝丢失。2、低ESR：瞬态响应快，瞬时释放大功率，满足PLP
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SSD
企业级固态硬盘
存储
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永铭
长江存储
英特尔正推进欧洲扩产计划，斥资 50 亿欧元（折合 57 亿美元）升级爱尔兰 34 号晶圆厂，量产 Intel 3 工艺；与之形成鲜明对比的是，其耗资 300 亿欧元规划的德国晶圆厂项目已彻底搁置，这片地块的未来走向如今备受市场关注。德国媒体CIO.de消息称，已有至少三家企业表达地块收购意向，总部位于德累斯顿的无晶圆铁电存储企业 FMC 是呼声最高的潜在接手方。报道援引萨克森 - 安哈尔特州财政部长米夏埃尔・里希特的表态，今年夏末前后将敲定 FMC 是否落地马格德堡建厂。即便最终落地，完整量产厂区的建成
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英特尔
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晶圆厂
存储
FMC
7月15日，国家统计局新闻发言人、国民经济综合统计司负责人王冠华在国新办新闻发布会上表示，经过多年的布局和发展，我国的新兴产业逐步壮大，积厚成势。据王冠华介绍，我国上半年规模以上高技术制造业增加值、数字产品制造业增加值分别增长13.3%和12.3%，比一季度都有所加快。特别是全球人工智能技术变革带来的高端算力芯片和存储芯片的需求爆发，上半年我国规模以上工业企业的集成电路产量增长23.1%，产量规模达到2798亿块，这个数字非常庞大，换算下来平均每天生产集成电路超过15亿块。集成电路，就是平时说的芯片，它广
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芯片
存储
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人工智能的爆发式增长，正在从根本上重塑全球存储芯片市场的需求结构。AI服务器对存储芯片的需求与传统服务器存在数量级的差异：单台AI服务器的DRAM搭载量为传统服务器的8-10倍，NAND闪存用量达到3倍。随着数据访问量持续增长，AI平台对高带宽、高容量、低延迟DRAM的依赖急剧上升，用于处理复杂模型参数、长序列推理、多任务并行运算等应用中对存储的要求大幅提升。全球存储资本开支结构性上调需求端的爆发式增长与供给端的结构性收缩形成了鲜明对比：三星、SK海力士将80%-90%的先进制程产能倾斜至HBM（高带宽存
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半导体设备
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全球先进闪存与存储技术创新企业Sandisk闪迪公司宣布，于7月10日-12日参展年度ACGN文化盛会BILIBILI WORLD 2026（哔哩哔哩世界数字娱乐动漫文化博览会，以下简称“BW2026”）。此次闪迪以“焕新之旅，邀您共启”为视觉主题，重点展示了旗下面向游戏玩家、内容创作者和专业人士的内置固态硬盘SANDISK Optimus™闪迪奥丁马仕™系列。同时，闪迪为消费者带来了一系列兼具大容量、高性能和高可靠性的创新存储解决方案，以应对AI与开发者工作流以及游戏环境日益增长的多样化需求。
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闪迪
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SK海力士今年一季度营业利润率72%，超过英伟达和台积电，是当下全球最赚钱的半导体公司。但这家公司最近在做一件出人意料的事：放缓HBM4量产扩张，把更多产能留给通用DRAM。据业内人士透露，SK海力士计划略微推迟部分原定向HBM4过渡的第五代HBM3E生产线的改造，计划通过提升目前利润率高于HBM的通用DRAM市场的响应速度来获取额外收入。截至目前SK海力士尚未正式确认相关安排。人工智能需求正拉动全球半导体行业整体上行，存储产业步入业内普遍期待的超级景气周期。不过，本轮盈利大涨的核心驱动力并非HBM，更多
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DRAM
HBM
存储
SK海力士
三星
全球存储解决方案领导者铠侠株式会社宣布其 EXCERIATM 极至瞬速TM G3 SSD– VC10系列推出 4TB型号。该型号采用基于其第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的存储器，丰富了其 PCIe® 5.0 产品线的容量选择。EXCERIA G3 SSD – VC10系列兼顾性能与性价比，此次新增的 4TB 型号为需要在 AI 应用和游戏主机环境中装配入门级 SSD 的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达 10,000 MB/s，顺序写
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铠侠
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BiCS FLASH是铠侠自主研发的3D NAND闪存技术品牌，也是目前全球主流存储芯片的核心技术路线之一。BiCS的含义可以理解成Bit Cost Scaling，即位成本缩放，核心理念是通过三维垂直堆叠存储单元，在降低每比特存储成本的同时，突破传统2D NAND的物理微缩极限。在芯片有限的面积内平地起高楼，让铠侠BiCS FLASH创造了许多可能性。如今，第八代BiCS FLASH在行业内广受好评，第九代与第十代BiCS FLASH在今年内蓄势待发。现在不妨让我们花一点时间，了解第八代BiCS FLA
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BiCSFLASH
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人工智能爆发式增长重塑半导体产业格局，存储赛道红利效应最为突出。AI 模型训练与推理属于典型海量内存密集型负载，催生先进 DRAM 架构、高带宽内存（HBM）、企业级 NAND 闪存存储的空前需求。尽管英伟达 GPU 长期占据行业头条，但 AI 加速器若缺少高密度高性能内存与计算芯片深度集成，就无法高效运转。存储厂商由此跻身 AI 浪潮中长期最大受益方行列。本轮产业变革的核心载体是 HBM。这款 3D 堆叠 DRAM 技术相较传统 DDR 内存，带宽大幅提升且功耗更低。HBM 依托硅通孔（TSV）与先进封
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存储
AI
在AI算力竞赛的底层战场上，一场关于存储芯片的攻防战正悄然升级。2026年5月29日，三星电子向全球主要客户交付业界首批12层48GB HBM4E样品，距离其今年2月率先量产HBM4仅过去三个月。这一前所未有的迭代速度，更标志着HBM市场的竞争格局正迎来剧烈重构。三星一场深思熟虑的“抢跑”HBM4E作为三星当前最先进的高带宽内存产品，采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）与三星晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片组合，支持每引脚14Gbps至16Gbps的运行速度，较上一代HBM4提升超过20%，单堆栈内存带宽
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美光
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存储
摩根士丹利分析师警示，在人工智能海量需求推动下存储芯片价格暴涨，或将引发芯片通胀；智能手机、个人电脑等各类终端设备厂商陷入两难：要么上调终端售价，要么压缩自身盈利空间。这家券商周二发布研报表示，受科技巨头大举加码 AI 基建投资影响，芯片厂产能难以跟上需求，纷纷优先生产利润率更高的数据中心专用存储芯片、削减消费级芯片产能，过去一年存储芯片价格暴涨至原先的六倍。摩根士丹利在一份 66 页的研究报告中写道：原本只局限于 AI 基建领域的产能瓶颈，如今已经传导至硬件企业利润、终端产品购置成本、云服务资费、物价水
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摩根士丹
AI
芯片通胀
存储
2026年6月2日至5日，江波龙携全栈端侧AI存储新品及综合应用方案，亮相台北国际电脑展（COMPUTEX 2026）。本次展会以“AI Together”为主题，聚焦AI与计算、下一代技术等核心方向，江波龙围绕“端侧AI存储·综合应用”，集中展示AI内存新品、全链路技术方案及多场景组合应用，依托旗下Lexar雷克沙全球化品牌优势，全方位呈现端侧AI存储领域的创新成果，助力端侧AI本地模型体验优化，推动行业生态协同发展。AIDIMM™&AILPBGA™两大AI内存新品首发，精准适配端侧AI推理应用
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COMPUTEX2026
江波龙
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智能汽车里每天流动的数据比过去多得多。摄像头、毫米波雷达、激光雷达和 IMU 持续上传感知数据，座舱屏幕、语音和娱乐系统产生交互数据，车身、底盘、动力和热管理不断上报状态，诊断、日志和 OTA 又把这些数据留在车内或传到云端。这些数据要先从传感器、控制器和执行器里出来，再经过线束、连接器、接口芯片、网关和车载网络，进入域控制器或中央计算平台。需要保存的部分，还要写入车载存储。任何一段不稳定，车上功能都会受影响。数据延迟会影响智驾判断，通信异常会影响控制协同，存储错误会影响日志、模型、地图和升级包。连接和存
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车载网络
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最新消息显示，日前进行的三星电子内部投票结果于今天公布。此前劳资双方达成的暂定协议在内部投票中获73.7%赞成通过，三星电子劳工大罢工风险暂时平息。自去年底以来，三星电子内部围绕绩效奖金制度的争议不断升级。原本超4.5万员工从5月21日开始发起为期18天的罢工。就在罢工启动前夕，韩国政府紧急介入调解，三星电子劳资双方于本月20日深夜，经过多轮马拉松式谈判后宣布达成劳资协议暂定方案，工会表示将进行内部投票决定是否接受该方案。随着方案获通过，大罢工风险至此暂时平息。但外界分析指出，由于三星电子内部不同业务部门
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三星
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备受瞩目的三星半导体罢工危机在最终期限前90分钟按下了暂停键，三星和工会代表在韩国多位政要的“关切下”暂时达成了共识，三星半导体可能涉及5万名员工长达18天的罢工终于没有成为现实。从三星工会3月18日敲定总罢工计划开始，持续63天的罢工风波不仅牵扯了全球半导体供应链的神经，更是让韩国总统和总理双双下场敦促双方达成协议。不过这次妥协并没有实际解决罢工背后的根本矛盾，双方的临时协议更多是迫于政府压力下的权宜之计。 这次罢工的本质就是三星借助AI对HBM的需求，业绩迎来大爆发后奖金分配不均引发的，尤其
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5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的全球半导体供应趋紧局面，其影响或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。今年3月中旬，由超过6.6万名三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。全面罢工将于5月21日至6月7日举行。不过，韩国水原地方法院5月18日批准了三星电子公司提出的部分禁令请求，责令该公司工
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市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新发布的存储调查报告显示，2026年第二季度移动端DRAM合约价格继续大幅走高，智能手机厂商的成本压力正持续加剧。值得注意的是，韩国两大内存原厂在本轮涨价中采取了不同策略：三星倾向于一次性上调到位，涨幅较为明显；而SK海力士目前给出的临时报价涨幅相对缓和，采取逐级推高的节奏，预计到五月下旬才能完成最终定价。综合来看，集邦咨询预估，第二季度LPDDR4X的平均售价（ASP）环比涨幅至少为70%–75%，LPDDR5X则达到78%–83%。连续多个季度的高额涨价已
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SK海力士
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工会负责人表示，三星电子与旗下韩国工会于周三未能达成薪资协议，预计超 5 万名员工将发起全面罢工，恐扰乱人工智能及其他芯片的生产节奏。在政府居中调解下，双方于周一、周二历经马拉松式多小时谈判，但最终陷入僵局。韩国社会舆论与政府均施压三星员工，希望双方在薪资议题上妥协、避免罢工。韩国工会代表崔承浩在当地时间周三凌晨 3 时左右对记者表示：“工会提出的所有诉求议题无一得到回应，对此我们深表遗憾。”他指出，公司并未回应工会全面改革薪酬体系的诉求，包括取消当前年终奖上限（年薪基本工资的 50%）、改为
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三星
罢工
据韩国《经济日报》报道，继高带宽内存HBM之后，CXL（高速计算互联总线）正成为存储产业的新一轮核心竞争领域。全球头部存储厂商加速布局，行业研发节奏显著加快。三星电子近期发布了全新自研的CXL内存系统Pangea v2。该系统基于2020年英特尔、英伟达等企业联合推出的CXL 2.0技术标准，可整合22组CXL DRAM内存模组，构建统一共享内存资源池，整体内存容量达5.5TB，支持多台服务器同时接入调用。据三星官方披露，Pangea v2的数据传输性能较传统RDMA方案提升最高可达10.2倍，同时优化了
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CXL
内存互联
生成式AI的升级速度已经到了日新月异的地步，从最初的文生图、文生视频，进阶到现在智能体AI，已经能够在一定范围内具备智能的自主实体，也开始往更高阶的物理AI进阶。这样井喷式的增长，也导致存储方案在AI数据中心、AI工厂中变得愈发重要。进阶。这样井喷式的增长，也导致存储方案在AI数据中心、AI工厂中变得愈发重要，铠侠迅速做出反应，在近期推出了一系列创新技术产品，包括高容量SSD，带宽光互联SSD，1亿IOPS SSD，而这次技术均来自于BiCS FLASH™闪存技术。 SSD愈发关键 当
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存储介绍
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cún chǔ （存存储储） 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》：“户部奏部库空虚，应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》：“每年新漕进仓，仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储，将某仓存储某年米色数目，造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》：“《旧时代之死》之作者之家族，现颇窘，几个友人为之集款存储，作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等 [
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