- 财联社11月9日讯（编辑 史正丞）AI概念龙头、全球市值最高上市公司英伟达的首席执行官黄仁勋本周末再度访问台积电，亲赴芯片产线并罕见出席芯片代工巨头的职工运动会。这也是黄仁勋近3个月来第3次访问台积电，足以显示两家公司的紧密关系。据悉，黄仁勋这一次的行程加起来不足24个小时。他先是在周五返回台南老家，参访台积电晶圆十八厂，那里是台积电3nm制程的主要厂区。作为“吃瓜群众”关注的焦点，黄仁勋随后与台积电董事长兼总裁魏哲家走进当地的牛肉火锅店，随后又打包了当地的知名水果冰沙。黄仁勋在火锅店展示台积电准备的花生
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- 又一家存储龙头宣布涨价！据财联社援引台媒报道，闪存龙头闪迪（SanDisk）11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。据悉，这是闪迪今年以来至少第三次涨价。其在4月宣布全系涨价10%之后，又在9月初针对全部渠道和消费类产品执行10%普涨，打响存储涨价“第一枪”，并引发了美光等存储龙头跟进涨价。闪迪发出涨价函之前，已了解客户的2027年需求预期，且对NAND闪存市场需求给出了颇为乐观的预测：当地时间11月6日，公司高管在2026财年第一财季（截至今年10月3日）财报公布后的电话会议上表示，下游合约
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- 由于内存超级周期没有放缓的迹象，定价已经从季度周期转向快速、每月甚至每日调整。第一财经援引中国最大的电子中心深圳华强北的交易员的话报道称，飙升速度如此之快，就像“每天都有新价格”，这是多年来罕见的速度。DDR4 和 DDR5 引领潮流据第一财经全球报道，从9月开始，内存模组价格出现大幅上涨，并一直持续到现在。具体而言，报告指出，8 月份销售价格低于 90 元人民币的 8GB DDR4 模块在一个月内上涨至 100-130 元人民币，高达 ~44%。据报道，10月份涨势加速，16GB DDR4模块从200元
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- 据韩国媒体最新报道，三星第五代12层HBM3E产品通过了英伟达的认证测试，成功进入其供应链体系，这一重大突破对三星意义非凡。随着其技术实力获英伟达认可，这家韩国巨头已与SK海力士、美光形成三足鼎立之势，未来HBM市场的技术竞争料将更趋白热化。三星作为全球头部的三大主要DRAM制造商之一，过去一直是全球最大的DRAM厂商，但是却由于在HBM竞争中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通过英伟达的认证花费了约18个月，去年2月三星向英伟达提供首批12层HBM3E芯片样品测试，期间曾多次尝试达到英伟达严苛的
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- 据韩媒报道，被韩媒誉为“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）电气工程系教授金仲浩表示，高带宽闪存（HBF）有望成为下一代AI时代的关键存储技术，并将与HBM并行发展，共同推动各大芯片厂商的性能增长。HBF的设计理念与HBM类似，都利用硅通孔（TSV）连接多层堆叠芯片。不同的是，HBM以DRAM为核心，而HBF则利用NAND闪存进行堆叠，具有“更高容量、更划算”的优势。Kim Joung-ho指出，虽然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆叠数百层甚至数千层，可以满足AI模型的海量存
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- 随着全球数据中心部署的加速，云巨头正将其需求从训练 AI 转向推理 AI，推动了对大容量内存需求的持续增长，并导致内存供应紧张从 DRAM 转向 NAND。供应链消息人士透露，在上周闪迪将 NAND 价格上调 10%之后，美光也通知客户将暂停所有产品的价格一周。行业内部人士报告称，美光将从今天开始停止向分销商和 OEM/ODM 制造商报价，涵盖 DRAM 和 NAND 产品，甚至不愿意讨论明年的长期合同。供应链消息人士表示，在审查客户 FCST（需求预测）后，美光发现将面临严重的供应短缺，促使公司紧急暂停
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- SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的开发，并最终准备好大规模生产——成为世界上首家完成这一壮举的公司。根据其新闻稿，该公司现在已准备好按照客户的时间表交付顶级 HBM4。在其新闻稿中，SK hynix 强调，其现已成为大规模生产准备的 HBM4 提供了业内领先的数据处理速度和能效。通过采用 2,048 个 I/O 端，带宽已翻倍——是上一代的两倍，而能效提高了 40%以上。该公司还预计 HBM4 将使 AI 服务性能提高高达 69%，有助于克服数据瓶颈，并显著降低数据中心电力成本，据
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- 据 TechNews 报道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存储技术“UltraRAM”，结合了 DRAM 和 NAND 的优势，在商业化方面取得了显著进展。英国半导体初创公司 Quinas Technology，UltraRAM 的开发者，与 IQE 合作，将其制造推进到工业规模。UltraRAM 被认为是一种融合了 DRAM 和 NAND 优势的新型存储器。据 Tom’s Hardw
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- 三星电子因与英伟达的 HBM3E 验证问题而面临困境，据韩国媒体 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 报道，该公司在其 8 月 14 日发布的半年度报告中称，其 DRAM 市场份额按价值计算在 2025 年上半年降至 32.7%，较去年的 41.5%下降了 8.8 个百分点。值得注意的是，《韩民族日报》报道，三星的 DRAM 市场份额首次跌破 40%，自 2014 年以来，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾达到 48%
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- 美光基于其 G9 NAND 平台推出了三款突破性数据中心 SSD，巩固了其在存储领域的领导地位。根据其新闻稿 ，该新系列提供了全球首款 PCIe Gen6 NVMe SSD，行业领先的 E3.S 容量，以及专为人工智能数据中心设计的低延迟主流 Gen5 SSD。Micron 9650 SSD：全球首款 PCIe Gen6 数据中心 SSD根据美光的说法，9650 SSD 无与伦比的 28 GB/s 性能极大地加速了 AI 训练和推理工作负载。与 Gen5 SSD 相比，9650 在每瓦性能方面表
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- 根据 ZDNet 在 25 日的报道，引用行业消息人士称，全球领先的半导体后端设备制造商预计将在 2025 年下半年扩大其 HBM 混合键合业务。BESI 预计 2025 年下半年混合键合订单将增长7 月 24 日，荷兰设备制造商 BESI 在其 2025 年第二季度财报中表示，预计第三季度将表现强劲，先进封装设备订单（包括混合键合系统）将增加。该公司指出，混合键合工具的需求预计在 2025 年下半年将显著增长——与上半年相比，也与 2024 年同期相比——因为客户
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- 根据 TrendForce 最新内存现货价格趋势报告，关于 DDR4，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了显著的月度价格上调，之前的价格下跌趋势有所缓解。至于 NAND 闪存，高容量产品受到买方和卖方预期价格差异的限制，实际交易中变得稀缺。详情如下：DRAM 现货价格：关于 DDR4 产品的现货价格，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了大幅度的月度涨价，之前的价格下跌趋势有所缓和。目前，DDR4 市场显示现货价格已停止下跌，交易量有明显增加。转向 DDR5 产品，随着合约价
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- 随着 JEDEC 于 7 月 9 日发布 LPDDR6 标准，内存巨头正竞相满足来自移动和 AI 设备的激增需求。值得注意的是，据行业消息人士援引 商业时报 的报道，DDR6 预计将于 2027 年进入大规模应用。领先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已经启动了 DDR6 开发，重点关注芯片设计、控制器验证和封装模块集成。正如商业时报所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片设计，现在正与内存控制器和平台参与者如英特尔和 AMD 合作进行接口测试。在
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- 据称，英伟达今年计划采购高达 80 万个 SOCAMM 单位，三大内存巨头之间一个新的战场正在形成。美国美光似乎正在领先，据报道，美光已开始为英伟达生产 SOCAMM 模块。与此同时，三星和 SK 海力士正积极加入竞争。以下是他们最新的进展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型轮廓压缩附加内存模块）是一种新型服务器内存模块，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并针对现有 HBM 无法完全支持的负载。韩国 Herald 解释说，SOCAMM 垂直堆
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存储介绍
存储
cún chǔ （存存储储） 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》：“户部奏部库空虚，应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》：“每年新漕进仓，仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储，将某仓存储某年米色数目，造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》：“《旧时代之死》之作者之家族，现颇窘，几个友人为之集款存储，作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等 [
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