- IT之家 10 月 13 日消息,据华尔街见闻报道,供应链上下游龙头公司透露称,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。报道称,相较此前低位,国内有存储器下游龙头闪存采购成本已上涨近 20%,内存采购成本上涨约 30%。随之而来的影响,即从今年四季度开始,存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端,笔记本电脑、手机等终端产品可能面临涨价局面。同样在今天上午,@数码闲聊站 也发文称“上游搞了个骚操作”,并直言内存和存储“白菜价的时代要过去
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三星 存储
- 2023 年中国全闪存市场将保持 2.6% 以上的增速。
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存储
- IT之家 10 月 11 日消息,国产存储厂商佰维宣布推出 uMCP 系列产品,将内存和闪存集成到一个模块中,容量达 8GB+256GB,芯片尺寸为 11.5mm×13.0mm×1.0mm,号称相较于 UFS3.1 和 LPDDR5 分离的方案可节约 55%主板空间。佰维 uMCP 芯片可选 LPDDR5 + UFS3.1 和 LPDDR4X + UFS2.2 版本,顺序读写速度最高 2100MB/s、1800MB/s,频率最高 6400Mbps。佰维表示,相比基于 LPDD
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存储 佰维
- IT之家 10 月 9 日消息,工业和信息化部、中央网信办、教育部、国家卫生健康委、中国人民银行、国务院国资委等六部门近日联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》(下称《行动计划》),提出到 2025 年,计算力方面,算力规模超过 300 EFLOPS,智能算力占比达到 35%,东西部算力平衡协调发展。运载力方面,国家枢纽节点数据中心集群间基本实现不高于理论时延 1.5 倍的直连网络传输,重点应用场所光传送网(OTN)覆盖率达到 80%,骨干网、城域网全面支持 IPv6,SRv6 等创新技术使
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数据中心 算力 存储
- 尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响,存储产业身处下行周期,但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。对DRAM芯片而言,先进制程意味着高能效与高容量,以及更好的终端使用体验。当前,DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代,美光称之为1β DRAM,三星称之为1b DRAM。美光去年10月开始量产1β DRAM之后,计划于2025年量产1γ
DRAM,这将是美光第1代采用极紫外光(EUV)的制程技术,目前在美光只在台中有EUV的制造工厂,因此1γ制程势必会先在台中厂量产,未来日本厂也有望导入EUV
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DRAM NAND 存储
- IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
- 据外媒,当地时间9月23日,美光科技公司位于印度古吉拉特邦萨南德的组装、测试和封装工厂 (ATMP) 破土动工,总投资27.5亿美元。据了解,今年6月,美光与印度政府签署关于在古吉拉特邦建厂的谅解备忘录。9月23日,印度塔塔集团旗下塔塔项目公司宣布将与美光科技合作,建设该先进半导体组装和测试工厂,并表示该工厂一期工程将很快启动,预计2024年底投运。古吉拉特邦首席部长布彭德拉·帕特尔在讲话时表示:“该公司准备在签署谅解备忘录后不到三个月的时间内破纪录地开始建设。”报道称,该项目是印度半导体使命(ISM)下
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美光 印度 测试封装 存储
- IT之家 9 月 13 日消息,芯片行业分析师表示,尽管 PC 芯片的需求仍然疲软,但内存芯片市场现在已经出现了复苏的迹象,特别是在移动 DRAM 芯片领域。据《韩国经济日报》,三星电子公司最近与其客户(包括小米、OPPO 和谷歌)签署了 DRAM 和 NAND 芯片供应协议,价格比其现有合同高出 10-20%。三星一位高管表示,该公司预计存储芯片市场的供需平衡最早将在今年第四季度向供应短缺倾斜。也就是说,三星认为存储芯片市场 Q4 可能就会出现供不应求的情况。消息人士称,这家芯片制造
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- 近日,存储器芯片供应商普冉股份披露投资者关系活动记录表。关于NOR Flash行业库存情况,普冉股份表示,NOR
Flash终端客户的原厂库存以及渠道库存已经几近健康,设计原厂的库存调整也逐步接近尾声。接下来一段时间,各厂商依然会采取适当的降价策略去化库存。但随着行业库存逐步健康,行业格局逐步出清,预计下半年会持续向好,价格也会逐步回归平稳态势,公司将密切关注后续市场走势。普冉股份强调,公司将积极地进行战略盘整,持续调整以应对市场的迅速变化。面对激烈的行业竞争格局,机遇与挑战并存,公司会充分发挥公司的
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- 局部变量、局部静态变量、全局变量、全局静态变量区别如下:· 局部变量:栈区;· 局部静态变量:静态区;· 全局变量:静态区的常量区;· 全局静态变量:静态区。在进行C/C++编程时,需要程序员对内存的了解比较精准。经常需要操作的内存可分为以下几个类别:1. 栈区(stack):由编译器自动分配释放 ,存放函数的参数值,局部变量的值等。其操作方式类似于数据结构中的栈。 2. 堆区(heap):一般由程序员分配释放, 若程序员不释放,程序结束时可能由OS回收
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- 曾几何时,市面上的手机大多支持存储卡,喜欢的音乐、视频可以通过它在多个设备之中互相拷贝,搭配个读卡器甚至能当U盘用,非常方便。但如今,大部分品牌的手机都已经取消了扩展存储这一功能,取而代之的是更多256GB、512GB甚至1TB的大容量版本,之间存在几百元的差价。如果你曾好奇过为何厂商要“淘汰”手机上的存储卡插槽,目前网上讨论主要有三种可能,看看你觉得哪种更有道理?存储卡的读取速度跟不上需求最初,很多手机都会将应用安装在存储卡上,其读取速度就会很大程度上影响日常的使用体验,但市面上的产品良莠不齐,有些劣质
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手机 TF卡 存储
- 固态硬盘(SSD)和传统机械硬盘 (HDD) 谁的功耗更低?可能很多人会直接回答“固态硬盘”,但实际结果却有些颠覆认知。根据以工作内容及数量和储存容量的测试,储存解决方案提供商 Scality 最新研究结果显示,机械硬盘的每单位存储功耗比SSD更优异。众所周知,机械硬盘内部拥有较多的机械零部件,比如磁碟和读写磁头等,并且在工作时内部的磁盘还会高速旋转,相比之下SSD则没有机械结构,仅仅是通过电子输入输出来进行读写。这也使得大多数消费者总是认为 SSD的功耗较比HDD更低,耗电量更少。但是Scality 测
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存储 固态硬盘 机械硬盘
- 蔡华波:第一,电子产品世界真的是很不容易,能够在从事一个比较难又很专业,难是经营很难,能够耐得住寂寞,又要很专业,能够把电子产品世界经营30年,是很了不起的。现在大家可以看到媒体都在转变,从之前的纸面媒体,甚至后面到互联网媒体,再到后面的自媒体,甚至到后面可能类似元宇宙等,……,都不知道未来会有什么样的一些发展,但确实能够一个电子行业的专业媒体能做30年,也经历了中国这30年的变化,从中国的技术的变化,市场的变化……。江波龙今年也25年(注:按照1998年筹办算,因为注册是1999年),我们也希望就是说公
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- IT之家 8 月 2 日消息,西部数据(Western Digital)本周早些时候发布了第 4 财季财报,并透露即将测试为数据中心(DPC)研发的 28TB 硬盘。西部数据表示将充分利用节能垂直磁记录(ePMR)和最新版本的“平铺”磁记录(UltraSMR)技术,进一步提高硬件的存储容量。西部数据首席执行官 David Goeckeler 在接受分析师和投资者采访时表示,IT之家翻译如下:我们的 28TB UltraSMR 硬件即将展开资格认证。这款最先进的产品建立在 ePMR 和
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存储介绍
存储
cún chǔ (存存储储) 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》:“户部奏部库空虚,应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》:“每年新漕进仓,仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储,将某仓存储某年米色数目,造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》:“《旧时代之死》之作者之家族,现颇窘,几个友人为之集款存储,作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等 [
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