4月8日，SK海力士宣布已开始出货其最新款cSSD PQC21——这是业内首款采用321层QLC NAND闪存的产品。从4月起，SK海力士将开始向戴尔科技集团批量出货，同时稳步拓展与其他全球领先客户的合作。SK海力士表示，凭借这一发展势头，公司目标是在下一代AI PC存储领域占据主导地位，并明确加大力度扩大其在基于QLC的cSSD（固态硬盘）领域的市场份额。据SK海力士介绍，该解决方案将超高的321层堆叠技术与QLC架构相结合。利用QLC每单元4比特的设计，在相同的物理尺寸下，显著提高了存储密度并最大限度
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海力士
戴尔
QLC
2026 年 1 月 7 日，爱达荷州博伊西市 —— 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布推出美光 3610 NVMe™ SSD，这是业界首款面向客户端计算的 PCIe® 5.0 QLC SSD。这一突破性产品重新定义了主流 PC 和超薄笔记本电脑的性能、效率和容量。3610 SSD 基于久经市场考验的美光 G9 NAND 打造，顺序读取速率高达 11,000 MB/s，顺序写入
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美光
PCIe 5.0 QLC SSD
QLC SSD
美光刚刚发布了3610 SSD，该SSD支持PCIe 5.0速度，采用了更高密度的四层单元（QLC）芯片。根据公司新闻稿，该芯片采用了G9 NAND，使其能够在同等占用空间内实现竞争性的PCIe 5.0性能。因此，美光表示这是全球首款以紧凑单面M.2 2230形态提供4TB内存的固态硬盘，使制造商能够在轻薄笔记本和掌上设备中集成更多内存。除了更高的存储密度外，它还被宣传为每瓦性能提升43%，以提升电力效率和电池续航。美光移动与客户业务部高级副总裁Mark Montierth表示：“3610 SSD结合了最
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美光
3610 SSD
PCIe 5.0
QLC SSD
美光宣布了一款面向客户端计算的PCIe Gen5 G9 QLC SSD。基于美光G9 NAND构建的3610 NVMe SSD实现了最高11,000 MB/s的连续读取速度和9,300 MB/s的连续写入速度。它提供4TB单面M.2 2230机型，适合超薄笔记本和具备AI功能的设备。它提供150万IOPS随机读取和160万IOPS随机写入。它采用无 DRAM 架构，采用主机内存缓冲区（HMB）和 DEVSLP 低功耗状态，声称与第四代 TLC 相比，每瓦性能提升了 43%。它在三秒内加载200亿参数的AI
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CES 2026
美光
客户端计算
PCIe Gen5
G9 QLC
SSD
AI服务器推动储存需求爆发，传统硬盘（HDD）持续大缺货，据悉，交付期限已延长至2年以上，北美及中国云端服务（CSP）大厂「紧急加单」，采购大容量企业级固态硬盘（SSD）。 部分原厂2026年QLC NAND Flash产能也被提前抢购一空，业界预期，最快在2027年，全球QLC位可能超车TLCNAND。AI发展重点转向推论，依赖高效能及大容量储存装置，北美多个数据中心陆续建设落成，CSP大厂迫切需要高容量储存装置供应配合，但传统近线储存（Nearline Storage）首选的HDD产能受限，无法快速承
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HDD
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产能
AI服务器
2025开放数据中心大会在京举办，行业领袖齐聚，探讨AI带来的机遇和挑战。在9月11日举办的“新技术与测试”分论坛上，Solidigm亚太区应用工程部总监翁昀以QLC为核心主题，详细介绍了Solidigm大容量QLC SSD如何通过出色的成本效益与容量密度，帮助客户优化AI存储基础设施，应对海量数据挑战。数据中心作为AI时代的核心基础设施，承载着AI模型训练和推理等关键任务。AI应用的爆发式增长，对数据中心特别是存储系统提出了更为严苛的要求。传统存储架构在处理海量非结构化数据、高吞吐任务以及控制能耗和空间
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AI数据中心
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开放数据中心大会
在超节点计算架构从技术概念转化为驱动IT产业链升级的强大引擎之际，2025开放计算技术大会于上周在北京隆重启幕。全球领先的企业数据存储解决方案提供商Solidigm出席会议，与产业伙伴们一同探讨了开放架构下存储系统与关键部件的演进与创新。 Solidigm荣获“2025开放计算最佳创新奖” 在大会现场，一个反复被提及的焦点是，大模型参数规模的指数级扩张使得传统HDD解决方案受限于机械结构和高功耗，无法继续满足AI训练对存储系统的严苛要求。Solidigm向参会嘉宾分享了高效
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QLC SSD
Solidigm
开放计算
AI存储
SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光 2600 NVMe™ SSD，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™，AWT），在兼顾 QLC
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美光
自适应写入
QLC NAND
纵观整个电子行业，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术、新产品可持续发展，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev
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AI推理
QLC
NAND Flash
据消息人士透露，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务。同时，三星还提高了MLC NAND的价格，促使部分客户开始寻找替代供应商。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG显示正在寻求其他供应商，以填补这一空缺。据悉，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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三星
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TLC
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AI推论快速成长，QLC NAND Flash成为企业级储存解决方案的新宠。 相较于传统的TLC NAND，QLC具备更高存储密度与更低成本，适合以读取为主的AI推论工作负载。 法人分析，台厂如群联、威刚、宇瞻等存储器模组厂，有望从中受惠。根据调研机构预测，2025年QLC NAND产能将达250.48亿Gb，占NAND总产能的22.2%，渗透率逐步提升。AI推论服务器主要负责分析以及处理大量数据，而这类应用访问模式以读取为主，写入频率相对较低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存储密度
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AI推理
QLC
NAND Flash
近日，MTS 2025存储产业趋势研讨会在深圳召开。Solidigm亚太区销售副总裁倪锦峰发表了主题为《高效存储，拥抱AI》的精彩演讲，深入介绍了Solidigm在推动存储技术创新、提高存储效能以应对人工智能挑战等方面的进展和洞察，并隆重介绍了刚刚发布的QLC产品—— 122TB 的Solidigm™ D5-P5336，获得了与会嘉宾的广泛关注。庞大的训练数据集是AI从想象跨越到现实的关键桥梁，存储则扮演着妥善破解数据管理难题、确保数据有效服务于AI的重要角色。目前，许多着眼于AI战略的企业早已意识到，存
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Solidigm
QLC SSD
7月1日消息，据国内媒体报道称，四川科学家借力AI 开发出"耐疲劳铁电材料"，让存储芯片无限次擦写。报道中提到，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队联合复旦大学、中国科学院宁波材料技术与工程研究所在国际知名学术期刊《Science》上发表最新研究成果，开发出"耐疲劳铁电材料"，在全球范围内率先攻克困扰领域内70多年的铁电材料疲劳问题。铁电材料在经历反复极化切换后，极化只能实现部分翻转，导致铁电材料失效，即铁电疲劳。这一问题早在1953年就已被研究者发现报道，
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存储芯片
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IT之家 6 月 14 日消息，韩媒 Sedaily 转述市场分析机构 Omdia 的话称，2027 年 QLC 市场规模将占到整体 NAND 闪存的 46.4%，仅略低于 TLC 的 51%。作为对比，Omdia 认为 2023 年 QLC 闪存市场份额占比仅有 12.9%，今年这一比例将大幅增至 20.7%。换句话说，未来三年 QLC 在 NAND 市场整体中的占比将在今年的基础上继续提升 1.24 倍，达 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市场渗透主要
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QLC
NAND 闪存
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232层QLC NAND现已量产，并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘（SSD）中出货。与此同时，美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产，并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
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美光
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数字化时代的高速发展要求推动未来技术创新的数据存储也持续迭代革新。为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求，西部数据公司近日宣布推出搭载下一代高性能QLC（四级单元）的西部数据™ PC SN5000S NVMe™ SSD，从而为 PC OEM 厂商提供创新的PCIe Gen4x4 存储解决方案，帮助用户轻松应对繁重的工作负载。据IDC[i]预测，到2026年，有超过50%的商用SSD将采用QLC NAND闪存。基于此，深受市场信赖的高端存储品牌西部数据推出了此次强大的存储解决方案
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西部数据
商用SSD
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目前应用在移动终端的嵌入式存储设备（这里主要指UFS/eMMC等，以下统称“嵌入式存储设备”）中主流介质还是TLC。但更高存储密度的QLC也已经产品化，比如一些数据中心（读密集型应用）已经在部署QLC存储设备。QLC可以给存储设备带来更低的成本，作为消费级产品的嵌入式存储设备，未来引入QLC也是势在必行。但和当前主流TLC相比，QLC在性能和寿命上都相差很大，从下面某原厂TLC和QLC在性能和寿命方面的一个对比可见一斑。（Table 1:某原厂TLC和QLC性能和寿命对比） 因此，QLC要应用在
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分区存储
QLC
嵌入式存储设备
今天举办的2020内存存储日活动上，Intel一口气发布了六款全新的内存、存储新产品，首先来看面向数据中心市场的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同时全球首发144层堆叠的QLC NAND闪存，都支持PCIe 4.0。Intel虽然已经将NAND闪存业务和工厂卖给SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路线图也会继续执行，同时交易也不涉及傲腾技术和产品，Intel会持续推进。2016年，Intel推出了第一代32层堆叠TLC闪存，次年翻番到64层并进化为TLC颗粒，存储密度提高了13
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SSD
Intel
说到QLC SSD，就不得不提三星 860 QVO SSD。作为最早搭载QLC闪存颗粒的消费级SATA SSD，三星 860 QVO
SSD刚发布的时候就因为其性能表现欠佳，而引发了不少用户和媒体人的讨论：QLC（4bit MLC）到底有没有实际意义？它是不是大号U盘？等等。虽然刚开始大家都视QLC SSD为洪水猛兽，纷纷对三星 860 QVO
SSD持保留态度，但是随着其售价不断的下探，主打的大容量和读写性能的强劲，还是有不少玩家无法逃脱“真香定律”选择入手，相比一开始消费者的迟疑反应而言，无论
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QLC
SSD
HDD硬盘的出货量不断下滑，现在大容量方面也要遇到SSD的挑战了——群联今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC闪存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高记录。群联的S12DC方案不追求极致性能，基于此的SRE250硬盘使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常规标准，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，连续读取为530MB/s，连续写入为220MB/s，4K随机读取90K IOPS，4K随机写入10K IOPS，功耗4.5W。这个QLC硬盘的性
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闪存硬盘
Q3季度闪存价格又要跌10%，今年6大原厂将会把重点转向128层堆栈的3D闪存生产上来。国产的长江存储也赶上来了，4月份推出了128层QLC闪存，在中国电子信息博览会首次亮相。长江存储这次展示了64层、128层堆栈的闪存，其中64层TLC闪存是国内首个自研量产的64层闪存，基于Xtacking堆叠架构，单位面积的存储密度是同类产品中最大的。目前长江存储的量产主力就是64层TLC闪存，已经随光威、国科微、金泰克、七彩虹等厂商的SSD硬盘上市。长江存储展示的另一个重点是128层QLC闪存，这是今年4月13日才
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长江存储
128
QLC
闪存
寂半年之后，无论是业内人士还是广大消费者，都渴望换换环境、出去走走，在深圳会展中心看一场科技盛宴再适合不过。8K智慧屏、5G芯片、机器人、新能源汽车，还有会跳舞的机器人，这些来自世界各地的炫酷黑科技和创新成果都将出现在CITE2020。相比以往，CITE2020不仅更侧重世界科技创新合作，也更聚焦于时代风口下的“科技”之争，注重科技与生活的结合。对于即将到来的CITE2020，面对那些不胜枚举的震撼现场，你准备好了吗？搭建电子信息全产业链展示、交流平台！作为中国电子信息产业的窗口和引领产业发展风向标,第八
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CITE2020
CMO
QLC
随着数据中心支持的人工智能（AI）和机器学习（ML）工作负载越来越多，市场需要具备更宽存储带宽和更高单机架存储密度的云级别基础设施。因此，市场的趋势是按照如M.2和全球网络存储工业协会（SINA）新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIeÒ的非易失性存储器高速（NVMe™）固态硬盘。这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点，能驱动NAND闪存发挥最大潜力，同时保持这种企业级NVMe固态硬盘所需的丰富功能集和可靠性。Microchip
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TLC
AI
ML
SINA
IOPS
4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。赵伟国表示，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND
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国产
128层
QLC
闪存
新闻要点● 全新的性能型和经济型 SSD 的灵活选择满足了从轻薄笔记本到高性能工作站客户端PC系统的存储需求；● M.2 外形规格的美光 2300 SSD 采用美光创新的 96 层 3D NAND 技术，具备行业领先的 2TB 容量[1]；● 美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性价比；与机械硬盘相比，采用了美光 QLC 架构的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。内存和存储解决方案领先供应商 Micron Techn
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SSD
在QLC闪存的商用上，Intel和曾经的亲密战友美光（英睿达）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道开卖了很长一段时间。日前，Intel非易失性存储解决方案负责人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出货量超1000万。她同时公布，基于144层3D QLC闪存（内部命名为Arbordale Plus技术，家族第四代闪存）的SSD（代号Keystone Harbor）会在今年底出货，Intel准备在2021年内将整个SSD产品线都迁移到144层闪存芯片上。不仅如此，Intel确认，容量密度更高
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QLC
上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到了1.33Tb容量,创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进,三星等公司也没闲着,三星正在开发160堆栈的3D闪存。对3D闪存来说,堆栈层数越多,容量就越大,存储密度就越高,这是3D闪存的核心竞争力,2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。不过每家的技术方案不同,东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的,美光、SK海力士有128层的,Intel的是144层,而且是浮栅极技术的,三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层
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新闻要点● 美光率先在业界推出面向数据中心的四层单元 (QLC) NAND 技术；● 基于 QLC 技术的美光5210 SATA SSD 正在引领数据中心从 HDD 过渡到 QLC SSD，凭借其全新容量和创新的工作负载洞察，满足通用服务器和存储的需求；● 强劲的客户需求和 OEM 厂商验证，推动美光 QLC SSD 进入市场。内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司
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2019年4月，英特尔推出了傲腾H10混合式固态盘。这款产品将英特尔傲腾技术的卓越响应速度和英特尔QLC 3D NAND技术的强大存储容量融为一体，采用M.2规格。近日，英特尔非易失性存储方案事业部宣布基于中国大连制造的QLC NAND裸片所生产的英特尔® QLC 3D NAND固态盘（SSD）已达1000万个。此项生产始于2018年底，这一新的里程碑也确立了QLC技术成为主流大容量硬盘技术的重要地位。英特尔客户端SSD战略规划与产品营销总监Dave Lundell表示：“很多公司都谈论过QLC技术，但只
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近日，以“数智·未来”为主题的2019中国数据与存储峰会在北京成功举办。汇聚全球数据存储领域知名的专家学者、企业领军人物与代表性企业用户，本次峰会旨在帮助企业和社会提升数据智能水平，推动全球存储与数据产业发展。英特尔公司中国区非易失性存储事业部总经理刘钢先生出席大会并发表演讲，不仅从产品层面阐述了英特尔如何通过傲腾™技术和QLC NAND™技术填补当前存储层级中的巨大鸿沟，还通过诸多用户案例进一步展示英特尔如何通过内存与存储的产品、技术创新引领存储新架构，构建数据金字塔。英特尔公司中国区非易失性存储事业部
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