- 4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。赵伟国表示，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND
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国产 128层 QLC 闪存
- 近日消息 根据guru3D的报道，随着NAND闪存技术的创新发展，固态硬盘TB内存时代即将到来，SK海力士现已推出了第一批基于其128层4D NAND产品样品。
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SK 4D NAND 128层
- SK海力士于26日宣布，将量产全球首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。
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SK海力士 4D NAND 128层
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