据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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三星 光刻胶 3D NAND
据外媒报道，三星正在扩大韩国和其他国家芯片封装工厂的产能，主要是苏州工厂和韩国忠清南道天安基地。由于人工智能领域激增的需求，下一代高带宽存储器封装（HBM）的重要性日益重要，三星希望通过提升封装能力，确保他们未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士在这一领域的差距。· 苏州工厂是三星目前在韩国之外仅有的封装工厂，业内人士透露他们在三季度已同相关厂商签署了设备采购协议，合同接近200亿韩元，目的是扩大工厂的产能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市签署了扩大芯片封装产能的投资协议，计划在韩国天安市新建一座专门
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三星 高带宽存储器 封装 HBM
任何新的内存方法都必须具备可制造性与成本效益，方能被采用。
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HBM
据韩媒报道，三星近期将开始销售前端和后端生产线的旧设备，其中包括位于中国西安的NAND工厂。报道称，三星近期正在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。预计出售程序将于明年正式开始，销售的设备大部分是100级3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。
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三星 西安 NAND
10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。报道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 将被命名为 BV（Bonding Vertical） NAND，这是因为这代产品将调
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三星 存储 V-NAND
获悉，周四，SK海力士公布了创纪录的季度利润和营收，这反映出市场对与英伟达(NVDA.US)处理器一起用于人工智能开发的存储芯片的强劲需求。作为英伟达的供应商，这家韩国存储芯片巨头第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，原因是该公司在设计和供应为英伟达人工智能加速器提供动力的尖端高带宽内存(HBM)方面扩大了对三星电子(S
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AI HBM SK海力士
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 内存
TrendForce指出，随着AI服务器持续布建，高带宽内存（HBM）市场处高成长阶段，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待下一代HBM3e量产，加上产能扩张，营收贡献将逐季上扬。TrendForce指出，HBM市场仍处于高成长阶段，由于各大云端厂商持续布建AI服务器，在GPU算力与内存容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升。如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e内存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显着
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HBM DRAM TrendForce
IT之家 10 月 15 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，NAND Flash 产品受 2024 年下半年旺季不旺影响，wafer 合约价于第三季率先下跌，预期第四季跌幅将扩大至 10% 以上。IT之家注意到，模组产品部分，除了 Enterprise SSD 因订单动能支撑，有望于第四季小涨 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因买家的终端产品销售不如预期，采购策略更加保守。TrendForce 预估，第四季 NAND Flash 产品整体合约价将出现季减 3% 至
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NAND 闪存 存储 市场分析
近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。根据TrendForce集邦咨询最新调查，Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品，目前处于持续验证阶段。其中SK
hynix与Micron进度较快，有望于今年底完成
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HBM3e 12hi 良率 验证 HBM TrendForce
随着GDDR7存储器标准规格于今年确定，存储器业者开始推出GDDR7解决方案。与目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升级，提高游戏和其它类型工作负载的性能。什么是GDDR7存储器呢？其实GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的显示存储器，如即将推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年问世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的显存时脉频率为14
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HBM 存储器 GDDR7
三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。三星半导体基于第八代V-NAND技术的车载SSD AM9C1三星电子副总裁兼存储器事业部汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：“我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提
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三星电子 V-NAND 车载SSD
9月24日消息，今日，三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND 技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。相比前代产品AM991，AM9C1能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。据介绍，AM9C1采用三星5nm主控，用户可将TLC状态切换至SLC模式，以此大幅提升读写速度。其中，读取速度高达4700MB/s，写入速度高达1
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三星电子 NAND PCIe 4.0 车载SSD
根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于Server（服务器）终端库存调整接近尾声，加上AI推动了大容量存储产品需求，2024年第二季NAND
Flash（闪存）价格持续上涨，但因为PC和智能手机厂商库存偏高，导致第二季NAND
Flash位元出货量季减1%，平均销售单价上涨了15%，总营收达167.96亿美元，较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供应商已恢复盈利状态，并计划在第三季扩大产能，以满足AI和服务器的强劲需求，但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳，
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash AI SSD
IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出，由于服务器终端库存调整接近尾声，加上 AI 推动了大容量存储产品需求，今年第二季度 NAND Flash（闪存）价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高，导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%，平均销售单价上涨了 15%，总营收达 167.96 亿美元（IT之家备注：当前约 1193.37 亿元人民币），较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下：三星：第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
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