· 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比,长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善,其使用寿命也提升40%· “继HBM后,也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品,其产品实现业界最高
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SK海力士 AI 存储 NAND
据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND
Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
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DRAM NAND Flash TrendForce
根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional
DRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
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HBM DRAM TrendForce
5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上涨
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232层QLC NAND现已量产,并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘(SSD)中出货。与此同时,美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产,并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
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美光 QLC NAND
·双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录·通过采用台积电的先进制程工艺,提升HBM4产品性能·“以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式,突破面向AI应用的存储器性能极限”2024年4月19日,SK海力士宣布,公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术,将与台积电公司密切合作,双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4,即第六代HBM产品。SK海力士表示:“公司作为AI应用的存储器领域的领先者,与全球顶级逻辑代
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海力士 HBM 台积电
近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
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群联 SSD固态硬盘 NAND Flash
据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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NAND Flash 存储芯片 铠侠
据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
市场对人工智能的热情还在持续升温,随着芯片库存调整卓有成效,以及市场需求回暖推动,全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升,内闪存产品价格均开始涨价。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于AI需求高涨,目前英伟达(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏,除了CoWoS是供应瓶颈,HBM亦同,主要是HBM生产周期较DDR5更长,投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。行业人士表示,在产能紧缺下目前DRAM以及绑定英伟达新款AI芯片的HBM存储系统售价更高。在此带动下,从今年
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HBM 存储 先进封装
三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。据外媒报道,近日,三星电子DS部门负责人庆桂显表示,三星内部正采取双轨AI半导体策略,同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。此外,庆桂显称客户对于AI推理芯片Mach-1的兴趣正在增长,并有部分客户表达了将Mach系列芯片应用于超1000B参数大模型推理的期望,因此三星电子将加速下代Mach-2
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HBM AI推理芯片
4 月 1 日消息,三星电子 DS 部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨 AI 半导体策略,同步提高在 AI 用存储芯片和 AI 算力芯片领域的竞争力。在 AI 用存储芯片部分,三星组建了由 DRAM 产品与技术负责人 Hwang Sang-joon 领导 HBM 内存产能与质量提升团队,这是其今年建立的第二个 HBM 专门团队。三星近期在 HBM 内存上进行了大规模的人才投入,旨在赢回因策略失误而被 SK 海力士拿下的 HBM 内存市场领军地位:2019 年,三星因对未来市场的错误预测
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三星 HBM AI Mach-2
HBM 即高带宽内存,是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片。如果说传统的 DDR 就是采用的"平房设计"方式,那么 HBM 则是采用"楼房设计"方式。目前,HBM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发。可以看到,HBM 每一次更新迭代都会伴随着处理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月诞生,便凭借其独特的 2.5D/3D 内存架构,迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3 不仅
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HBM
TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND
Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND
Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面,中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源,由于部分供应商已降低供应此类别产品,中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案,助益中国模组厂技术进一步升级及
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TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
hbm.nand介绍
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