9月8日，江波龙正式登陆港交所主板。本次全球发售约2998.95万股H股，发行价为每股236港元，募资总额约70.78亿港元，扣除上市开支后所得款项净额约68.03亿港元。按照发售文件披露的用途，约78.3%的净募资将投入芯片设计及高级存储产品开发，约11.7%用于战略投资或收购，约10%用于营运资金及一般公司用途。
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江波龙
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DRAM颗粒
2026年9月第二周，全球存储芯片市场呈现出鲜明的结构性分化特征：DRAM端在供给紧缺支撑下价格持续走强，而NAND闪存端则在消费需求疲软与库存压力下价格承压下行。DRAM维持供给紧缺格局根据TrendForce 9月9日发布的最新内存现货价格报告，本周DRAM现货市场交投整体有限，但不同产品线表现各异。DDR5价格延续小幅上涨态势：9月8日DDR5 16Gb（2Gx8）4800/5600现货均价较9月2日上涨0.15%；DDR5 16Gb（2Gx8）eTT则保持不变。当前仅个别原厂对核心战略客户供应少量
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存储芯片
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三星在 Hot Chips 2026 大会的演讲《HBM 基底芯片：HBM 如何借助先进逻辑工艺演进》提出：高带宽内存（HBM）堆叠下方的基底芯片（Base Die），即将不再仅仅是信号传输层。传统 HBM 基底芯片主要负责把堆叠 DRAM 颗粒连接到 GPU、TPU 或其他处理器，并提供测试功能。三星设想将其改造为具备运算能力、可定制化的逻辑平台：首先承接原本属于处理器的部分功能，继而新增更多能力，最终实现内存与计算单元之间的直接三维集成。带宽、功耗与物理尺寸约束，正在推动这场变革。AI 处理器需要以更
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HBM
基底芯片
先进逻辑工艺
三星
今天一份强有力的供应链传闻报告称，苹果公司已通过一项长期供应协议确保NAND闪存的供应，这标志着该公司在管理iPhone日益昂贵的组件之一——NAND闪存方面，可能发生了重大转变，因为内存价格正在飙升。韩国《经济论坛报》报道称，苹果公司最近与日本铠侠（Kioxia）签署了一项NAND闪存的长期供应协议（LTA），市场观察人士认为铠侠是最有可能的供应商。目前尚未披露交易对手方的身份、采购量和价格，苹果公司也未对此协议予以证实。此次事件的意义不在于NAND闪存本身，而在于苹果公司的采购策略。多年期长期供应协议
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苹果
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LTA
SK 海力士在 Hot Chips 2026 大会上的报告阐述了高带宽内存（HBM）如何迭代演进，以满足人工智能极高的内存需求。报告的核心观点是：未来 HBM 技术进步，不仅依赖性能更优异的 DRAM 电路，还离不开先进封装、更高密度的垂直集成、热管理技术升级，以及内存与处理器设计之间更紧密的协同配合。HBM 通过硅通孔（TSV）技术，将多颗 DRAM 裸片垂直堆叠在基底裸片之上。整套内存封装与 GPU 或 AI 加速器共同放置在硅中介层上，依靠数千条并行链路完成数据交互。相较于传统内存，这种宽接口方案能
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SK 海力士
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高带宽内存
HBM
2026年9月2日，SK集团董事长崔泰源在接受媒体采访时释放了一个重磅信号：SK海力士正考虑与日本半导体巨头铠侠控股（Kioxia）开展联合生产，并将日本列为海外半导体生产基地的候选地。崔泰源明确表示，联合生产是“一种选择”，双方可在联合生产、研发以及供应链共享等领域展开合作。这一表态意味着，全球NAND闪存市场排名第二的SK海力士与排名第三的铠侠，正从长期的竞争对手走向潜在的联合体。若合作落地，两家合计36%的市场份额将超越三星电子的25%，全球存储芯片竞争格局将迎来深刻变革。铠侠方面也展现出开放态度，
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三星
据报道，美光正在探索研发高耐久度 NAND 闪存模块的方案：将闪存部署在更靠近 GPU 的位置，而非远端存储池、经过多层协议转发访问。该公司正在研究把 NAND 闪存向 GPU 侧迁移，用于处理那些不需要传统 HBM 或者普通 DRAM 所具备的低延迟、高带宽的业务负载。这套架构目前被称作GPU 近存 NAND（near‑GPU NAND），定位在存储密度与耐久度之间的折中方案。该构想下的 NAND 闪存，存储密度不及传统 TLC、QLC NAND，但重点优化 I/O 速度、带宽以及读取时延。举例来说，该
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美光
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大语言模型
据 ETNews 援引供应链消息的最新报道，台积电暂不投入用于 HBM 内存集成的混合键合（hybrid bonding）硅封装技术。做个简单说明：混合键合借助内嵌金属凸点熔合，让两颗硅芯片形成永久性连接，合为一体。可以将多颗裸片，甚至整片硅片，把芯片背面相互堆叠实现互连。该技术摒弃传统芯片凸点，直接实现两颗芯片之间铜互连键合。在现代封装工艺里，芯片焊接到 PCB 之前向外突出的焊料凸点尺寸约100 微米；微凸点尺寸约20 微米；而混合键合可以把互连间距缩小至1 微米。
微凸点被用于封装内部芯片之间互连
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台积电
HBM
混合键合
微凸点
台积电高性能计算业务发展总监李翔指出，人工智能（AI）计算能力的增长速度已超过单靠晶体管微型化所能实现的性能提升。台积电同时推进先进逻辑、后侧电源传输、HBM基晶、SoIC、CoWoS和硅光子学，将摩尔定律从单芯片扩展为完整的人工智能系统。 机构投资者乐观，指出工艺步骤和包装复杂度正在增加，嘉登、中厦、鸿苏、信云和万润等设备和耗材公司将首先受益。在半导体先进工艺技术论坛上，李翔分享了台积电的先进逻辑技术蓝图，包括A14P、A12和N2U等技术。 其中，A14和增强型A14P以领先性能和能效著称; A12继
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台积电
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背面电源
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硅光子技术
SK 海力士正在日本物色建厂地块，计划建设一座以合资模式运营的存储芯片工厂。SK 海力士董事长崔泰源向彭博社表示：“我们正在日本全境考察，只要电力与水资源条件优良的地区都在考虑范围内。”铠侠（Kioxia）是最合乎逻辑的合作方。2018 年贝恩资本主导收购铠侠时，海力士作为合作方购入相关债券；若将这批债券转成股权，海力士将成为铠侠的第一大股东。完成债转股后，海力士将持有铠侠 14.19% 的股份。上周，SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，公司对于这笔股权 “尚未制定确定方案”，同时补充道：“但我们正在审慎研
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海力士
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闪存合资
SK hynix 于当地时间 8 月 27 日在美国印第安纳州西拉斐特举行 AI 存储器先进封装生产基地奠基仪式，宣布项目总投资超过 40 亿美元。按规划，洁净室将于 2028 年 10 月建成开放，下一代 HBM（HBM4E）将于 2029 年下半年启动量产。CEO 郭鲁正在仪式上表示，该基地年产能最终将达到数十万片晶圆的量级，并预计当前存储器供不应求的局面将持续到 2030 年底。这是 SK hynix 在美国设立的首个 HBM 生产据点，运营方式与韩国本土产能紧密衔接：先进晶圆在韩国生产后运往印第安
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SKhynix
HBM
先进封装
印第安纳
普渡大学
HBM4E
核心要点HBM 技术扩容正遭遇物理层面的极限约束。带宽提升，同时带来芯片面积成本与制造成本的上涨。AI 算力需求加剧 DRAM 内存供给短缺。DRAM 产业承压，连锁冲击蔓延至整个芯片行业。受大型系统厂商的诉求推动，内存需要实现更快的数据读写吞吐，三大 DRAM 厂商 —— 美光、三星、SK 海力士，正面临越来越复杂的技术取舍。现阶段最可行的方案，就是在 HBM 模组（内存立方）中堆叠更多存储裸片。但每增加一层堆叠，就会带来全新的技术挑战，部分难题至今仍未得到解决。为了不超出 HBM 封装高度上限，增加堆
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HBM
堆叠层数
SK hynix 发布技术说明，系统阐述 Cu-Cu 混合键合在存储产品中的演进路径。混合键合通过裸片表面的铜焊盘直接对接实现互连，间距可压到 1μm 以下；作为对比，传统焊料凸块的互连间距约 100μm，微凸块约 20μm。SK hynix 把这项技术指向 16 层以上 HBM、NAND、3D DRAM、AI 加速器、HBF（高带宽闪存）、背面供电和 CPO 等场景，并明确给出时间表判断：HBM4 仍可在现有工艺上应用混合键合，HBM4E 之后结构与性能约束增强，HBM5 则可能转向新的封装流程。&nb
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SKhynix
混合键合
HBM4E
NAND
HBF
先进封装
核心要点HBM4 支持定制基底裸片，该功能主要面向超大规模云服务商。具体项目落地方式各有不同，但稀缺资源是设计团队与 EDA 工具。尽管当前内存供给紧张，但定制 HBM（cHBM）预计不会进一步加剧需求压力。HBM4 带来了基底裸片定制化的选项。HBM 堆叠的全部存储层通常由存储厂商完成设计，但如果采用定制基底裸片，那么由谁来设计？由谁制造？又由谁完成最终堆叠组装？事实表明，这些问题的答案会根据商务谈判结果而变化。定制 HBM（缩写 cHBM）让企业可以把内存定制纳入 XPU（CPU/GPU/NPU）整体
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定制
HBM
据彭博社消息，英伟达计划在 2027 年初，将 Vera Rubin 与 Grace Blackwell 系列服务器的售价上调15% 以上。此举将提升主流内存厂商在 HBM 价格谈判中的议价筹码。Bloter 援引分析师观点，预计 2027 年 HBM 合约价较 2026 年上涨超 50%，三星电子与 SK 海力士有望从中获益。Bloter 表示，此番涨价行情将覆盖全系列 HBM 产品，包含 HBM3e、HBM4、HBM4e。报道援引瑞银的更为乐观的预测：HBM4、HBM4e 的市场表现远超最初预期，预计
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英伟达
服务器
三星
SK 海力士
HBM
SK海力士正通过在美国硅谷组建一支精英级高带宽内存（HBM）设计团队，加强与全球大型科技公司的“联合设计”体系。此举旨在摒弃传统的向客户供应成品HBM的模式，转而让设计人员从客户下一代AI芯片的开发阶段就参与其中，共同开发针对芯片特定特性量身定制的HBM。随着从HBM4开始将先进逻辑工艺应用于基础芯片，优化AI加速器和HBM的重要性日益凸显。由于每个客户所需的容量、带宽和功耗特性各不相同，仅仅依靠内存制造商先开发通用产品再供应给客户的现有模式已不足以满足这些需求。因此，HBM领域的竞争正在从关注生产能力和
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SK海力士
HBM
高带宽存储器正成为 3D 堆叠测试、可测性设计（DFT）与可靠性验证的前沿试验场。
2026 年 8 月 11 日
作者：Laura Peters核心要点可测性设计（DFT）对于检测存储单元、硅通孔（TSV）、微凸点与高速接口缺陷愈发关键，而电源完整性与热效应进一步提升测试难度。裕量不足或老化互连缺陷依靠多层级复合测试方案检出：内置自测试（BiST）、嵌入式监测单元、边界扫描、全速测试、冗余修复以及系统在线监测。HBM 已经成为可靠性瓶颈。在复杂 2.5D/3D AI 系统中，需要更深层次掌握单个键合
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HBM
3D堆叠
良率
SK hynix 8 月 7 日批准约 54 万亿韩元的新投资，在韩国龙仁与清州新建两座面向 AI 内存的晶圆厂。其中龙仁"Y2"约 35.2 万亿韩元、清州"M17"约 19.1 万亿韩元，两座工厂的首个洁净室分别计划于 2029 年 6 月和 2028 年 12 月启用。这不是一轮单纯的产品扩产，而是把竞争从当季 HBM 供货，提前到数年后的 DRAM、NAND、先进封装与配套制造能力。 图源：SK hynix NewsroomY2 是龙仁半导体集群规
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SKhynix
晶圆厂
HBM
DRAM
NAND
先进封装
三星电子在2026年闪存峰会（FMS 2026）上展示了多款面向AI数据中心的新一代存储产品，其中最受关注的是采用晶圆键合（wafer bonding）技术的zHBM、zNAND-O，以及第十代垂直堆叠NAND——V10 BV-NAND。 （图片来源：Samsung Semiconductor Newsroom）zHBM是三星将晶圆键合工艺引入HBM的产品。传统HBM依赖微凸块互连，层数堆叠与互连密度受限于凸块间距；zHBM通过裸片间的直接键合，将互连间距大幅压缩，在同等功耗下实现约8倍于HBM
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zHBM
zNAND-O
NAND
三星
Samsung
FMS2026
TrendForce最新的内存合同价格调查显示，DRAM和NAND闪存价格持续上涨，PC DRAM模块、DDR4和DDR5芯片保持两位数涨幅。由于供应紧张，7月份成熟的SLC NAND工艺激增35%至50%。根据TrendForce统计，7月PC DRAM模块合同价格环比上涨13%至17%，DDR4和DDR5芯片上涨12%至14%。然而，与6月的大幅上涨相比，涨幅有所缩小。 在6月份细分市场DRAM飙升近30%后，7月涨幅收窄至4%至16%，表明部分紧急订单正在逐步消化。NAND闪存产品趋势出现分歧。 S
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AI
成熟工艺
SLC NAND
内存短缺将持续到2027年。 业内人士指出，原厂商已完成2027年全年容量分配谈判，三大制造商已提前售罄其DRAM和高带宽内存（HBM）容量。 尽管NAND闪存供应不如DRAM紧张，但预计容量将在2026年8月底前全部预订。无论是否签订长期LTA合同，所有买家都将配合制造商的预付款模式，这将证实2027年将成为“内存短缺最严重之年”的观点，但随后的价格涨幅预计将放缓。业内人士透露，一些企业可能仍然被蒙在鼓里，没意识到7月~8月是分销的关键时期：“没人推广，因为担心太多人进来，最终获得的份额更少。”最近我还
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内存墙
DRAM
HBM
Intel 在 7 月 29 日发布的先进封装能力展示文章中，介绍其先进封装路线时，明确了 Foveros、EMIB 与 EMIB-T 三层定位。传统 EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）将一片局部硅桥嵌入封装基板，用于连接相邻芯粒，信号在基板表层走线。EMIB-T 在硅桥中加入了垂直通道（类 TSV 结构），使电力可以更直接地经硅桥送往芯粒，同时为 HBM 周边的高速信号腾出更多布线空间。这意味着 AI 加速器的供电路径正从板级、封装基板继续向硅桥内部
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先进封装
EMIB-T
Foveros
芯粒
封装级供电
硅桥
HBM
Intel
2.5D/3D封装
Teradyne与Tokyo Electron围绕AI和数据中心器件测试需求展开合作，探索面向先进半导体器件的测试和筛选方案，以支持高性能计算和AI系统对可靠性的要求。随着AI芯片、HBM、2.5D/3D封装以及高密度系统快速发展，测试环节的重要性正在提升。对于高价值AI器件而言，在进入后续封装、系统集成或数据中心部署前，需要更加严格的性能筛选和可靠性验证。其中，known good device（高可靠性已验证器件筛选）理念正在受到关注。通过在更早阶段识别潜在缺陷，可以降低后续封装、系统集成和大规模部署
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Teradyne
TokyoElectron
AI器件测试
数据中心
先进封装
HBM
NVIDIA与SK Group宣布扩大双方战略合作，计划推进一项规模超过5000亿美元的综合合作，覆盖AI工厂和下一代内存等方向。根据NVIDIA官方信息，SK Telecom计划建设2GW级NVIDIA Vera Rubin DSX AI Factory，用于满足全球算力需求；NVIDIA与SK hynix也将围绕下一代AI内存建立长期合作关系。这一合作的重点不只是“建设更多数据中心”。它把AI算力、AI工厂、HBM和下一代内存供应放在同一条产业链上。随着AI模型训练和推理需求扩大，算力系统不再只取决于
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NVIDIA
SKGroup
SKhynix
HBM
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VeraRubin
数据中心
内存
FMS 2026将于8月4日至6日在美国加州圣克拉拉举行。本届会议将聚焦AI、数据中心、高速存储、存储接口以及工程应用等方向，吸引存储芯片、控制器、存储系统及应用生态企业参与。过去一年，AI存储讨论大量集中在HBM。随着企业AI、RAG、边缘推理和端侧AI应用不断发展，存储需求正在从高带宽内存扩展到数据中心SSD、CXL内存扩展、NVMe存储以及边缘存储等多个层级。江波龙已宣布将以“端侧AI 存储聚变”为主题参加FMS 2026，并展示面向AI BOX、AI PC、AI Mobile三类端侧AI场景的存储
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AI
Samsung Electronics与Broadcom宣布扩大AI半导体供应链合作，双方签署战略合作协议，覆盖先进存储、晶圆代工和先进封装等领域。根据Samsung官方信息，双方预计到2030年前相关合作规模将超过2000亿美元，支持下一代AI基础设施发展。这项合作反映出AI芯片供应链正在发生变化。对于AI ASIC和定制芯片客户而言，芯片设计只是产品开发的一环，能否获得稳定的HBM存储、先进制程制造和封装资源，同样决定产品规模化量产能力。Broadcom长期为大型云厂商和AI客户提供定制芯片解决方案，
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晶圆代工
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Gartner研究总监张吟铃表示：“中国半导体行业发展迅速，目前市场上已有数十家AI加速卡厂商，其中至少10家已实现AI加速卡的量产。然而，由于制造能力限制和美国出口管制，中国的AI加速卡在技术上仍落后于全球领先企业。在采用中国AI加速卡时，企业不仅要考虑硬件兼容性，还要考虑模型适配以及管理异构系统的复杂性。”中国半导体行业的快速发展使其与国外的技术差距缩小过去十年来，在降低对外国技术依赖的政府战略支持下，中国半导体行业取得了显著进步。近年来，美国对AI加速卡的出口限制，进一步加速了中国AI加速卡解决方案
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Gartner
AI加速卡
半导体
HBM
ASML 上调 2026 年销售预期并规划扩大产能，显示 AI 芯片扩张压力正在从晶圆厂传导到上游设备环节。先进逻辑、DRAM、HBM 和先进封装的扩产，都离不开光刻、量测和工艺设备的交付节奏。在 AI 芯片需求持续增长的背景下，ASML 公布第二季度业绩后上调全年销售预期。据公开报道，ASML 第二季度收入达到 93.3 亿欧元，并将 2026 年净销售额预期上调至 430 亿—450 亿欧元。公司同时计划在未来两年继续扩大产能，以缓解先进芯片制造环节的设备约束。ASML 通常被视为先进制程的关键设备供
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ASML
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汽车究竟需要多大容量存储器？全球存储器紧缺、价格暴涨问题愈发严峻，苹果甚至因此上调部分 Mac 电脑售价。而在智能手机、个人电脑、AI 数据中心之外，汽车行业正悄然成长为存储器核心消耗大户。那么一台现代化汽车实际需要配置多大容量存储？美光此前曾预测，四级自动驾驶车辆存储总容量将突破 300GB。而纵观当下最顶尖车型配置不难发现，300GB 的预估并不算夸张，甚至偏保守。据 TechNews 报道，特斯拉 HW4.0 自动驾驶平台搭载 32GB GDDR6/LPDDR 内存，今年全新 AI 4 + 平台直接
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TrendForce最新存储器价格调查，由于高层数3D NAND等高附加价值产品排挤成熟制程产能，MLC NAND供给极度短缺，迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用SLC NAND，将导致原已吃紧的SLC NAND供应情况更加紧绷。此外，预期下半年整体SLC NAND价格，将较上半年再成长120%~170%。同时，AI边缘运算、数据中心、汽车电子等对SLC NAND的需求持续提升，供需缺口急遽扩大，预估将激励2026下半年SLC NAND合约价格较上半年调涨120%~170%，不排除有上修机会。Tren
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内存
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hbm.nand介绍
您好，目前还没有人创建词条hbm.nand!
欢迎您创建该词条，阐述对hbm.nand的理解，并与今后在此搜索hbm.nand的朋友们分享。
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