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hbm.nand 文章 进入hbm.nand技术社区

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
  • 关键字： V-NAND  闪存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现

  • 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据，会覆盖上次存储的数据，无法进行数据的连续存储。针对该问题，本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间，记录最新分区信息，将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图，并进行了验证。
  • 关键字： 202308  NAND Flash  FPGA  分区  起始地址  

因业务低迷，消息称三星计划暂停部分工厂 NAND 闪存生产

  • IT之家 8 月 16 日消息，据韩国电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。业内人士透露，三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产，该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND，其中的设备将停产至少一个月。外媒表示，鉴于市场持续低迷，业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右，而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财报中也正式
  • 关键字： 三星电子  V-NAND  

HBM：高带宽内存吸引各大科技巨头抢购的“魔力”到底是什么？

  • 由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增，同时，SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器（HBM）DRAM方面处于市场领先地位，其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲，对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3，包括AMD、微软和亚马逊等等。
  • 关键字： HBM  高带宽  内存  海力士  三星  美光  

基于NAND门的行李安全警报

  • 在乘坐火车和公共汽车的旅途中，我们会携带许多重要的物品，而且总是担心有人会偷走我们的行李。因此，为了保护我们的行李，我们通常会用老办法，借助链条和锁来锁住行李。但锁了这么多把锁之后，我们还是会担心有人会割断锁链，拿走我们的贵重物品。为了克服这些恐惧，这里有一个基于 NAND 门的简易电路。在这个电路中，当有人试图提起你的行李时，它就会发出警报，这在你乘坐公共汽车或火车时非常有用，即使在夜间也是如此，因为它还能在继电器上产生声光指示。这种电路的另一个用途是，您可以在家中使用这种电路，以便在这种报警电路的帮助
  • 关键字： NAND  逻辑门  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字： NAND  3D NAND  

大模型市场，不止带火HBM

  • 近日，HBM 成为芯片行业的火热话题。据 TrendForce 预测，2023 年高带宽内存（HBM）比特量预计将达到 2.9 亿 GB，同比增长约 60%，2024 年预计将进一步增长 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 内存概念，在 2013 年被 SK 海力士通过 TSV 技术得以实现，问世 10 年后 HBM 似乎真的来到了大规模商业化的时代。HBM 的概念的起飞与 AIGC 的火爆有直接关系。AI 服务器对带宽提出了更高的要求，与 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的带宽和更
  • 关键字： HBM  ChatGPT  AI  

三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

  • 今年 Q3，存储产品价格有望迎来拐点。
  • 关键字： DRAM  NAND  

AI及HPC需求带动对HBM需求容量将年增近60%

  • 为解决高速运算下，存储器传输速率受限于DDR SDRAM带宽而无法同步成长的问题，高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）应运而生，其革命性传输效率是让核心运算元件充分发挥效能的关键。据TrendForce集邦咨询研究显示，目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流，预估2023年全球HBM需求量将年增近六成，来到2.9亿GB ，2024年将再成长三成。TrendForce集邦咨询预估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC产品5款、Midjourney的
  • 关键字： AI  HPC  HBM  TrendForce  

三星将于今年下半年开始批量生产HBM芯片

  • AI服务器需求，带动HBM提升，继HanmiSemiconductor之后，又有一存储大厂在加速HBM布局。据韩媒《TheKoreaTimes》6月27日报道，三星电子将于今年下半年开始批量生产高带宽内存（HBM）芯片，以满足持续增长的人工智能（AI）市场。根据报道，三星将量产16GB、24GB的HBM3存储芯片，这些产品数据处理速度可达到6.4Gbps，有助于提高服务器的学习计算速度。三星执行副总裁Kim Jae-joon在4月份的电话会议上表示，该公司计划在今年下半年推出下一代HBM3P产品，以满
  • 关键字： 三星  HBM  

AI大势！GPU订单排到明年、HBM与先进封装需求大涨

  • 2023年ChatGPT引发的AI热潮仍在继续，近期媒体报道，今年拥有云端相关业务的企业，大多都向英伟达采购了大量GPU，目前该公司订单已排至2024年。同时，由于英伟达大量急单涌入，晶圆代工企业台积电也从中受益。据悉，英伟达正向台积电紧急追单，这也令台积电5纳米制程产能利用率推高至接近满载。台积电正以超级急件（superhotrun）生产英伟达H100、A100等产品，而且订单排至年底。业界认为，随着ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速发展，未来市场对GPU的需求将不断上升，并将带动HBM以及
  • 关键字： AI  GPU  HBM  先进封装  

英特尔至强CPU Max系列：整合高带宽内存（HBM）和至强处理器内核

  • 治疗癌症、减缓全球变暖、保护生态健康——当今世界充满了各种挑战。因此，通过科技紧跟时代发展步伐，并充分利用不断增长的数据至关重要。这不仅涉及数据的处理速度，也涉及能够处理的海量数据，以及数据在内存和处理器之间的传输速度。 英特尔设计工程部首席工程师、英特尔®至强® CPU Max系列（代号Sapphire Rapids HBM）首席架构师Ugonna Echeruo如此描述这一挑战：究其根本，一颗CPU是从内存获取信息、对其进行处理并更新。CPU最终可以处理的信息量受限于数据传输“管道”的宽窄。
  • 关键字： 英特尔  至强CPU  高带宽内存  HBM  至强处理器内核  

6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬

  • 据TrendForce集邦咨询调查，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高wafer报价，对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此，TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹，结束自2022年5月以来的猛烈跌势，预期今年第三季起将转为上涨，涨幅约0~5%，第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化，现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至，尽管今
  • 关键字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星？

  • 近日，据日本共同社消息，日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前，作为全球知名的存储器厂商，铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴，目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称，铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等，未来双方将进行经营合并，拟由铠侠掌握主导权，关于出资比率等将继续探讨。报道称，由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷，铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示，铠侠
  • 关键字： 铠侠  西数  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌，内存现货价格未见回暖

  • 业界对 DDR5 DRAM 的市场预期不太乐观。
  • 关键字： NAND Flash  NAND  DDR5  
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