本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
关键字：
3D NAND DRAM 5nm SoC
IT之家 2 月 7 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，在内存半导体行业持续低迷的情况下，全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示，2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元（当前约 156.17 亿元人民币）。据IT之家了解，这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元（当前约 183.33 亿元人民币）下降了 14.8%，与 2022 年 8 月公布
关键字：
NAND 内存 西部数据
消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
关键字：
NAND Flash
在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
关键字：
NAND FLASH FPGA 坏块 坏块检测 202212
12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。据官方介绍，美光2550是全球首款采用200+层NAND技术的客户端SSD，该产品基于PCIe
4.0架构，采用美光232层NAND技术，加强了散热架构和低功耗设计。美光2550
SSD可在包括游戏、消费和商用客户端等主流PC平台上提升应用程序的运行速度和响应灵敏度。与竞品相比，2550 SSD文件传输速度快112%，办公应用运行速度快67%，主流游戏加载速度快57%，内容创
关键字：
美光 232层 NAND SSD
高带宽存储器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品，适用于超级计算机、AI加速器等对性能要求较高的计算系统。随着计算技术的发展，机器学习的应用日渐广泛，而机器学习的基础是自20世纪80年代以来一直作为研究热点的神经网络模型。作为速度最快的DRAM产品，HBM在克服计算技术的局限性方面发挥着关键的作用。HBM的高带宽离不开各种基础技术和先进设计工艺的支持。由于HBM是在3D结构中将一个逻辑die与4-16个DRAM die堆叠在一起，因此开发过
关键字：
速度 HBM SK海力士
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
关键字：
三星 SK海力士 DRAM NAND
作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi
Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
关键字：
三星 V-NAND 存储密度
IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，
关键字：
V-NAND 闪存 三星
NAND 闪存用于各种消费和工业产品，从笔记本电脑和手机到工业机器人、医疗设备和嵌入式物联网设备，如传感器和控制器。 在我们日益互联的世界中，这些应用程序中的所有脆弱点都需要足够和强大的安全措施，包括数据存储系统。 因此，在选择或设计 NAND 闪存存储系统时，必须确保存储器的安全性满足应用程序的要求。执行现代安全技术需要足够的处理能力。 作为存储系统的“大脑”，NAND闪存控制器必须足够强大以支持整个存储系统所需的安全级别。 本文概述了 NAND 闪存的安全性，涵盖了最常见的硬件和软件技术，有助于告知读
关键字：
存储系统 数字安全 海派世通 NAND
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
关键字：
SK海力士 DRAM NAND
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
关键字：
SK海力士 DRAM NAND
如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存产品，这是美光研发工程师每天都要应对的挑战。随着各国对数字化转型和云迁移的重视，世界对存储容量和性能的要求越来越大。美光正在迎接这一创新变局。这些变化体现在异构计算、边缘计算、数据中心、金融系统实时大数据更新，以及移动设备、消费电子、汽车信息娱乐系统带来智能化沉浸式体验。美光232层NAND技术为这些高性能存储应用环境提供了可能。优秀的架构，高效优化存储颗粒的使用空间和密度 美光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构，通过增加NAN
关键字：
美光 232层 NAND 存储技术
根据集邦科技研究显示，目前NAND Flash正处于供过于求，下半年起买方着重去化库存而大幅减少采购量，卖方开出破盘价以巩固订单，使第三季NAND晶圆（wafer）价格跌幅达30～35％，但各类NAND Flash终端产品仍疲弱，原厂库存因此急速上升，预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15～20％。集邦表示，因为需求低迷导致NAND Flash下半年价格大跌，多数原厂的NAND Flash产品销售也将自今年底前正式步入亏损，意即部分供货商在运营陷入亏损的压力下，对于采取减产以降低亏
关键字：
集邦 NAND Flash
市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
关键字：
集邦 DRAM NAND
hbm.nand介绍
您好，目前还没有人创建词条hbm.nand!
欢迎您创建该词条，阐述对hbm.nand的理解，并与今后在此搜索hbm.nand的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473