随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，NAND 闪存市场也感受到了这一趋势的影响。目前，NAND 闪存市场的竞争正在加剧，存储巨头三星和 SK 海力士正加紧努力，以提升 NAND 产品的性能和容量。两大巨头轮番出手三星投产第九代 V-NAND 闪存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，这将有助于巩固其在 NAND 闪存市场的卓越地位。那么 V-NAND 闪存是什么呢？众所周知，平面 NAND 闪存不仅有 SLC、MLC 和 TLC 类型之分，
关键字：
三星 第九代 V-NAND
据日经新闻报道，鉴于市场正在复苏，日本存储芯片厂商铠侠已结束持续20个月的减产行动，且贷方同意提供新的信贷额度。报道称，铠侠于6月份将位于三重县四日市和岩手县北上市的两座NAND工厂的生产线开工率提高至100%。而随着业务好转，债权银行已同意为6月份到期的5,400亿日元（34.3亿美元）贷款进行再融资。他们还将设立总额为2,100亿日元的新信贷额度。2022年10月，为应对需求低迷的市场环境，铠侠发布声明称，将调整四日市和北上市NAND Flash晶圆厂的生产，将晶圆生产量减少约30%，并表示会继续根据
关键字：
铠侠 NAND
IT之家 6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写）-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道
关键字：
HBM 内存 三星
IT之家 6 月 14 日消息，韩媒 Sedaily 转述市场分析机构 Omdia 的话称，2027 年 QLC 市场规模将占到整体 NAND 闪存的 46.4%，仅略低于 TLC 的 51%。作为对比，Omdia 认为 2023 年 QLC 闪存市场份额占比仅有 12.9%，今年这一比例将大幅增至 20.7%。换句话说，未来三年 QLC 在 NAND 市场整体中的占比将在今年的基础上继续提升 1.24 倍，达 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市场渗透主要
关键字：
QLC NAND 闪存
据外媒报道，三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）”作为下一代NAND闪存材料，希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND，并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测，到2030年左右，其3D NAND的堆叠层数将超过1000层。三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroel
关键字：
三星 NAND 存储
有报导称，三星的高频宽存储器（HBM）产品因过热和功耗过大等问题，未能通过Nvidia品质测试，三星对此否认。韩媒BusinessKorea报导称，三星表示正与多间全球合作伙伴顺利开展HBM供应测试，强调将继续合作，确保品质和可靠性。三星声明表示，“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应，努力提高所有产品品质和可靠性，也严格测试HBM产品的品质和性能，以便为客户提供最佳解决方案。”三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E设备。外媒Tom′s Har
关键字：
三星 内存 HBM
5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
H
关键字：
三星 HBM 内存芯片 英伟达
5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
关键字：
三星 存储 HBM 英伟达
IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投资者会议活动上表示，美光 2025 年 HBM 内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称，其已与下游客户基本敲定了明年 HBM 订单的规模和价格。美光预计 HBM 内存将在其截至 2024 年 9 月的本财年中创造数亿美元量级的营收，而在 25 财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。美光预测，未来数年其 HBM 内存位元产能的复合年增长率将达到 50%。为了应对 HBM 领域的强劲需求，美光调升了本财年资本支出的预计规模，从 75~80 亿美
关键字：
美光 HBM 内存
三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘，皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究，DRAM原厂提高先进制程投片，产能提升将集中今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片，至年底将占DRAM总投片比重约40％。由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商，与美光均采1be
关键字：
HBM DRAM TrendForce
近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
关键字：
三星 SK海力士 内存 DRAM HBM
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的研究
关键字：
三星 NAND Flash
近期，媒体报道三星电子在最新财报电话会议中表示，未来存储业务的重心不再放在消费级PC和移动设备上，而将放在HBM、DDR5服务器内存以及企业级SSD等企业领域。三星存储业务副总裁 Kim Jae-june在电话会议上透露，公司计划到今年年底，HBM芯片的供应量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片产量再翻一番。AI热潮推动下，HBM需求持续高涨，部分原厂表态，HBM产品在今年已经售罄，有的甚至表态明年的HBM也已经售罄。这一背景下，三星调整业务方向，专攻HBM等高附加值产品也就顺理成章。另据媒体报道，三
关键字：
存储 HBM 先进封装
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000
TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的
关键字：
三星 1000层 NAND
2022年末，ChatGPT的面世无疑成为了引领AI浪潮的标志性事件，宣告着新一轮科技革命的到来。从ChatGPT掀起的一片浪花，到无数大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高过一浪。 在这波浪潮中，伴随着人才、数据、算力的不断升级，AI产业正展现出巨大的潜力和应用前景，并在多个领域展现出重要作用。AI的快速发展对算力的需求呈现井喷的态势，全球算力规模超高速增长。在这场浪潮中，最大的受益者无疑是英伟达，其凭借在GPU领域的优势脱颖而出，然
关键字：
三星 海力士 美光 HBM
hbm.nand介绍
您好，目前还没有人创建词条hbm.nand!
欢迎您创建该词条，阐述对hbm.nand的理解，并与今后在此搜索hbm.nand的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473