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三星1000层NAND目标,靠它实现?

作者: 时间:2024-05-14 来源:全球半导体观察 收藏

电子计划实现“PB级”存储器目标。高层曾预期,V-在2030年叠加千层以上。最新消息指出,考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202405/458732.htm

目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。

最新消息是,KAIST的研究人员探索了一种新的解决方案——利用铪铁电体的铁电特性来开发更小、更高效的电容器和存储设备,有助于三星实现千层NAND技术,使PB级固态硬盘(SSD)目标不远。

尽管三星并没有直接参与研发,但市场消息称与其有直接关系,虽然还不能确定Hafnia Ferroelectrics是否会导致PB级存储器设备诞生,但可能发挥主导作用,最终达到里程碑。



关键词: 三星 1000层 NAND

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