- IT之家 8 月 20 日消息，据韩媒 MK 报道，SK 海力士负责 HBM 内存业务的副总裁 Ryu Seong-soo 当地时间昨日在 SK 集团 2024 年度利川论坛上表示，M7 科技巨头都表达了希望 SK 海力士为其开发定制 HBM 产品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作，与 M7 企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需
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海力士 HBM 内存
- IT之家 8 月 13 日消息，据 IDC 北京时间本月 7 日报告，三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半导体 IDM（IT之家注：整合组件制造）企业营收榜单第 1、3、4 位，第二位则是英特尔。▲ 图源 IDC报告表示，数据中心对 AI 训练与推理的需求飙升，其中对 HBM 内存的需求提升尤为明显。HBM 自身的高价和对通用 DRAM 产能的压缩也推动 DRAM 平均价格上升，使总体内存市场营收大幅成长。此外终端设备市场回稳，AI PC、智能手机逐步发售，同样提升
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内存 存储 HBM
- IT之家 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV
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海力士 HBM 存储
- 行业人士消息，美光总裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月访问中国台湾，将带来更进一步合作，例如在人工智能（AI）应用扮演重要角色的高带宽存储器（HBM）。据悉，美光将加码在中国台湾投资，除制造HBM先进制程外，不排除有机会在中国台湾创建第二个研发中心。据悉，中国台湾经济部门于2021年5月申请领航企业研发深耕计划（大A+），提出DRAM先进技术暨高带宽存储器研发领航计划，在中国台湾设立第一个研发中心，获补助47亿元新台币，将研发先进制程落脚在中国台湾生产。2021年，美光在中国台湾申请
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美光 HBM
- IT之家 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式
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NAND 闪存 三星电子
- Lam Research 推出低温蚀刻新技术，为 1000 层 3D NAND 铺平道路。
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NAND Flash
- 人工智能（AI）市场持续火热，新兴应用对存储芯片DRAM和NAND需求飙升的同时，也提出了新的要求。近日恰逢全球存储会议FMS 2024（the Future of Memory and
Storage）举行，诸多存储领域议题与前沿技术悉数亮相。其中TrendForce集邦咨询四位资深分析师针对HBM、NAND、服务器等议题展开了深度讨论，廓清存储行业未来发展方向。此外，大会现场，NVM Express组织在会中发布了 NVMe 2.1
规范，进一步统一存储架构、简化开发流程。另外包括Kioxia
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- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 为（我们的）客户实现 1000 层 3D NAND 铺平了道路。泛林低温蚀刻已被用于 500 万片晶圆的生产，而我们的最新技术是 3D NAND 生产领域的一项突破。它能以埃米级精度创建高深宽比（IT之家注：High Aspect R
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NAND 闪存 泛林集团
- IT之家 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。IT之家注：从代际发布间隔
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- 内存市场迎来新一轮 DRAM 技术「革命」。
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- IT之家 7 月 29 日消息，综合外媒《韩国经济日报》（Hankyung）与 Blocks & Files 报道，SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 规格，61.44TB由于内外部因素的共同影响，Sol
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- 人工智能AI浪潮下，以HBM为代表的新型DRAM存储器迎来了新一轮的发展契机，而与此同时，在服务器需求推动下，存储产业的另一大“新宠”MRDIMM/MCRDIMM也开始登上“历史舞台”。当前，AI及大数据的快速发展带动服务器CPU内核数量同步增加，为满足多核CPU中各内核的数据吞吐要求，需要大幅提高内存系统的带宽，在此情况下，服务器高带宽内存模组MRDIMM/MCRDIMM应运而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM标准细节当地时间7月22日，JEDEC宣布即将推出DDR5多路复用双列直插式内存模组
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存储产业 HBM MRDIMM MCRDIMM
- HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时保持基本特性，例如更高的带宽、更低功耗和更大的每个芯片和/或堆栈容量 —— 这些对于需要高效处理大数据集和复杂计算的应用至关重要，包括生成人工智能（AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。
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HBM AI 内存
- IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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长江存储 NAND 美光 内存
- 在芯片制造领域，先进制程的影响力和统治力越来越大，已经从之前的逻辑芯片晶圆代工领域，拓展到最先进的存储芯片制造，这在台积电和三星身上有凸出的体现。当下的 3nm 制程晶圆代工，台积电的市场统治力很明显，三星处于弱势地位。未来的 2nm 制程，三星必须加紧赶上，否则会越来越困难。在高带宽内存（HBM）芯片制造方面，原本都由存储芯片 IDM 大厂自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技术难度和制造难度提高了不少，需要更先进的制程工艺参与进来。2nm 制程针锋相对据报道，台积电将于 7 月中旬开始试生产 2n
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