2026 年 4 月 20 日，日本东北部海域发生7.7 级地震。该区域聚集全球关键内存产能、半导体材料与设备供应商，地震再度引发市场对半导体供应链中断风险的担忧。据集微网消息，铠侠已暂停岩手县 NAND 闪存工厂生产，初步检查预计耗时1–3 天。以下为日本主要半导体企业受地震影响的概况。 一、铠侠岩手工厂成关注焦点日本雅虎报道，地震于周一下午 4:53 发生，震中位于三陆海域。青森县阶上町观测到日本气象厅震度5 + 强，为本次受灾最严重地区。受影响区域覆盖岩手、青森、宫城、福岛县，聚集铠侠、东
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铠侠
东京电子
光刻胶
半导体
供应链
比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）环节，将氧浓度提升至大气水平以上，可显著提高金属氧化物光刻胶（MOR）的感光速度。感光速度加快意味着光刻胶能以更低的 EUV 曝光剂量达到目标图形尺寸，这将直接提升 EUV 光刻机的产能，并降低曝光工序成本。此前，行业并未将曝光后烘烤腔室的气体成分作为 EUV 光刻的重要优化方向，因此该研究成果具有重要意义，但其产业化前景仍有待观察。imec 的科研人员发现，在 EUV 曝光后烘烤环节，将氧浓度从空气环境中的 21% 提升至
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IMEC
曝光后烘烤
EUV
先进芯片产能
光刻胶
近日，上海市政府印发《上海市支持先进制造业转型升级三年行动计划（2026-2028 年）》，其中多次重点提及集成电路（IC）产业。根据该规划，到 2028 年，上海力争新增年总产值超 10 亿元的制造业企业 100 家，累计总量突破 600 家；产业链新增规模以上工业企业 500 家，同时规模以上制造业企业研发经费占营业收入比重显著提高。展望未来，上海将强化主导产业的战略引领作用。该市将支持集成电路企业聚焦半导体设备、先进工艺、光刻胶材料及 3D 封装等领域，力争实现全产业链突破，培育一批具有全球竞争力的
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上海
集成电路
关键设备
光刻胶
最新消息表明日本似乎从本月中旬起全面停止向中国出口光刻胶，报道指出此次措施的执行范围已具体涉及佳能、尼康、三菱化学等知名企业。尽管日本政府与企业并未正式官宣，但该消息已在业界流传，《亚洲时报》称此次中断是“中国担忧的最坏情况”。光刻胶是一种对光反应后化学性质发生变化的「感光物质」，特别具有将光线聚集到一处的特性，因此在半导体工艺的初期阶段光刻工艺中被广泛用作核心材料。涂覆在晶圆上后，能将射向晶圆的光线集中到一点，从而帮助绘制精细的电路图案。公开资料显示，目前全球市场70%的份额由日本企业占据，如日本合成橡
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光刻胶
随着中国加倍强调技术独立，华为及其合作伙伴生态系统在这一努力中发挥了关键作用。据日经报道，2019年美国制裁华为后，成立了包括全资子公司哈勃在内的投资部门，支持60多家半导体公司。这些与华为有关联的芯片公司正加快收购和扩产，努力构建自给自足的国内供应链。报告指出，虽然华为未直接参与其支持企业的投资，但这些举措正在加强其供应链，符合中国国家战略。以下是华为相关公司的一些重要举措。华为支持的HHCK着手整合中国包装材料市场据日经报道，华为持有2%股份的江苏HHCK先进材料，一家芯片封装材料制造商，已完成以16
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华为
芯片
材料
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光刻胶
在芯片制造过程中，光刻承担着将集成电路图案转印至晶圆表面的任务，其中通过光刻胶溶解在显影液中形成纳米尺度的电路图形。然而，光刻领域长期存在一个难以窥探的“黑匣子”：即光刻胶在显影液中的微观行为，该行为直接影响光刻图案的精确度与缺陷率。人们对光刻胶聚合物的溶解机制、扩散行为、相互作用及其缺陷形成机理等基本问题仍知之甚少。这也导致工业界的工艺优化长期依赖于反复“试错”，成为制约7nm及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授、高毅勤教授、郑黎明博士与清华大学王宏伟教授、香
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光刻胶
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光刻
芯片
先进制程
据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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三星
光刻胶
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据中国光谷官微消息，近日，武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。据悉，该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。据了
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10 月 15 日消息，据武汉东湖新技术开发区管理委员会（中国光谷）今日消息，光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的 T150 A 光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。中国光谷官方介绍称：“该产品对标国际头部企业主流 KrF 光刻胶系列。相较于被业内称之为‘妖胶’的国外同系列产品 UV1610，T150 A 在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到 120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚
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复旦大学报道功能性半导体光刻胶。
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光刻胶
4月25日，沈阳芯源微电子设备股份有限公司（以下简称“芯源微”）广州子公司——广州芯知科技有限公司半导体设备光刻胶泵及高纯供液系统研发及产业化项目开工仪式在广州举行。据官网介绍，芯源微成立于2002年，是由中科院沈阳自动化研究所发起创建的国家高新技术企业，专业从事半导体生产设备的研发、生产、销售与服务，致力于提供半导体装备与工艺整体解决方案。芯源微所开发的涂胶机、显影机、喷胶机、去胶机、湿法刻蚀机、单片清洗机等产品，已形成完整的技术体系和丰富的产品系列，产品适应不同工艺等级的客户要求，广泛应用于半导体生产
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光刻胶
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近日，华中科技大学与湖北九峰山实验室的研究团队在光刻胶技术领域取得重大进展，成功突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。在半导体制造环节，光刻胶是不可或缺的材料，其质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。为此，华中科技大学与九峰山实验室联合研究团队通过巧妙的化
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4月2日消息，据湖北九峰山实验室官微消息，九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队，支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。据介绍，该研究通过巧妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space图案宽度值正态分布标准差（SD）极小（约为0.05）、性能优于大多数商用光刻胶。且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量
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光刻胶
日本芯片材料厂商Resonac的首席执行官Hidehito Takahashi正在为日本分散的芯片材料行业的另一轮整合做准备，并表示公司可能会出手收购JSR的关键股份。source：ResonacHidehito
Takahashi表示，JIC（日本投资公司）斥60亿美元收购全球最大光刻胶制造商JSR，这将促进日本供应链急需的变革。他说，Resonac是由Showa
Denko （昭和电工）和Hitachi Chemical （日立化成）合并而成的化学品集团，正在考虑如何在JSR的未来中发挥积极作
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光刻胶
JSR捷时雅株式会社自1979年4月开始销售光刻胶，至今向半导体行业供应光刻材料、CMP材料和封装材料等已有四十余载。日本JSR、东京日化、信越化工几近掌握着全球EUV光刻胶的市场份额。此次JSR如若成功被收购，或将对全球光刻胶市场带来重要影响。看重JSR这块香饽饽，JIC准备收购6月24日，日经新闻报道，日本政府支持的日本投资公司（JIC）正商谈以1万亿日元收购JSR。日本投资公司计划最早今年提出初步收购意向。如果进展顺利，JSR可能会在2024年被东京证交所摘牌。官方资料显示，JSR成立于1957年，
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JSR
光刻胶
据报道，三星首次引入韩国本土公司东进世美肯（Dongjin Semichem）研发的EUV光刻胶（EUV PR）进入其量产线，这也是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试。在2019年经历与日本的光刻胶等关键原料的供应风波之后，三星就在尝试将关键原料的供应本土化，经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产。在日本限制出口、三星尝试重构EUV光刻胶的供应链之后，东进世美肯就已开始研发EUV光刻胶，并在去年通过了三星的可靠性测试，随后不到一年就被应用于三星的大规模生产线。不过，EUV光刻胶可用于3-50道程序，目前
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光刻胶
12 月 4 日消息，据 ETNews 消息，三星电子首次引入东进世美肯半导体的光刻胶进入其量产线，这也是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试。不过考虑到三星与海外光刻胶供应商的关系，目前具体产量尚不清楚，且三星是否会额外引进其他品种的光刻胶也并没有得到回应。报道称，三星电子已将韩国公司开发的用于高科技工艺的极紫外光刻胶（PR）引入其大规模生产线。2019 年 7 月，日本方面宣布限制向韩国出口包括含氟聚酰亚胺、光刻胶以及高纯度氟化氢在内的三项重要半导体及 OLED 面板原材料，经过三年的努力，韩国实现了光刻
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光刻胶
3月3日消息，日媒报道，当地时间3月1日14时，位于日本宫崎县延冈市水尻町的旭化成集团“Kayak Japan”东海工厂突然发生爆炸和火灾。目前已确认，事故造成至少一人受伤、一人失踪。据旭化成延冈分公司透露，该工厂主要制造炸隧道、矿山等工程、国防用的火药材料，爆炸发生实验设施内，具体愿意还在调查中。旭化成（Asahi
Kasei）成立于1922年，总部位于日本东京，是日本排名前三位的综合性化工企业集团，集团下设化学、建筑、电子、医疗四大业务板块，年销售额约合1200亿元人民币。目前旭化成是世界最大
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什么是光刻胶？为什么它在半导体领域如此之重要？光刻胶又叫光致抗蚀剂，制造一块芯片往往要对硅片进行数十次光刻，除了用到光刻机，还要添加光刻胶作为抗腐蚀涂层。这是一种高频刚需的材料，光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。说到材料就进入了今天的主题，我们不得不接受一个残酷的现实，中国大陆不仅造不出光刻机、光刻胶领域也被卡脖子了。今年五月份，日本对中国光刻胶提出了断供，直接导致国内多家晶圆厂将会面临大缺货的处境，按照工艺的先进程度，光刻胶依次分为G线、I线、
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光刻胶
最近，关于日本光刻胶或断供部分国内芯片企业的消息，不时地传出。原因在于日本的光刻胶产能没有提升，且全球第五大光刻胶生产企业信越化学（日本企业）KrF光刻胶福岛工厂关闭，产能受限，但全球芯片的产能在不断的提升，于是光刻胶也开始供不应求了。 相应的，这些光刻胶厂商肯定优先供应大客户，中国的这些小客户自然优先级排在后面，所以也就有可能面临断供的风险。 很多人表示，断供能够逼着我们的光刻胶前进，话是这样没错，但说实话，目前国内光刻胶技术与日本或者说国际领先水平差太远，一旦断供，国产顶不上，影响还是很大的。
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2019年5月份时，美国将华为列入到所谓的实体名单，之后在2020年，又对华为进行了两次无理的打压，使得华为在芯片方面难以得到供应，甚至连芯片代工也无法实现。正是因此，华为在2020年11月份，将荣耀整体出售，而华为的手机业务也受到很大的影响，因为芯片供应短缺，使得华为的手机市场份额，已经不再世界前五。不过我们看到，华为已经找到了新的赛道，那就是智能电动汽车领域，华为给自己的定位，是成为该领域的增量部件提供商，这与手机业务的市场策略很不一样。在智能手机上，华为的角色是一家整机厂商，其定位是产业链的下游；而
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光刻机
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虽然将会有更多用于EUV光刻的光刻胶制造商。但是目前这个市场是日本公司垄断的。目前只有两家芯片制造商掌握了使用EUV极紫外线辐射光刻的半导体光刻技术，但是毫无疑问，这就是光刻技术的未来。与任何未来一样，它为一些光刻材料市场开拓者提供了在新市场中建立自己的机会。尤其是目前由两家日本公司生产使用EUV光刻机所使用的技术处理材料，而其中一家是著名的Fujifilm富士胶片公司。富士胶片控股公司和住友化学将在2021年开始为下一代芯片提供光刻材料，这可能有助于减小智能手机和其他设备的芯片尺寸，并使它们更加节能。这
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光刻胶
光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移媒介。作用原理是利用紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X
射线等光源的照射或辐射,使其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。光刻胶主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。光刻胶又称光致抗蚀剂，由主要成分和溶剂构成，当前光刻胶主要使用的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），占光刻胶含量约为80%-90%。主要成分包括树脂、单体、光引发剂及添
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光刻胶
无法制造纯国产的高端芯片，是国人心中隐隐的痛！目前来说，阻碍国产高端芯片的最大瓶颈就是极紫外光刻机。但是，即使有了极紫外光刻机，也需要光刻胶和掩膜版来进行配套才行。一、光刻机不是直接刻蚀芯片正如上一个关于光刻机的视频所说，芯片生产用的光刻机，只是起到曝光的作用，并不进行刻蚀。要想用光刻机进行直接刻蚀，必然面临以下几个难题。首先，要把激光功率做到足够大，需要把硅或一些金属氧化物直接气化剥离。目前来说，波长越短的激光光源制造越困难，实现大功率越难，现有的紫外、极紫外光源难以产生足够强的激光。尤其是极紫外光源，
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光刻胶
掩膜版
作为半导体卡脖子的技术之一,很多人只知道光刻机,却不知道光刻胶的重要性,这个市场也是被日本及美国公司垄断,TOP5厂商占了全球85%的份额。国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中,能做到G 线(436nm)、I 线 (365nm)水平,目前主要在用的ArF光刻胶还是靠进口,EUV光刻胶目前还没有公司能生产,基本上都控制在日本公司手中。不过EUV光刻胶也不是急需的,因为国内目前还没有EUV工艺量产,193nm的ArF光刻胶更加重要,目前国内有多家公司正在攻关中,这种光刻胶可以用于28nm
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日本
光刻胶
近年来,虽然中国在芯片设计领域有了突飞猛进的发展,涌现出了一批以华为海思为代表的优秀的芯片设计企业,但是在芯片制造领域,中国与国外仍有着不小的差距。不仅在半导体制程工艺上落后国外最先进工艺近三代,特别是在芯片制造所需的关键原材料方面,与美日欧等国差距更是巨大。即便强大如韩国三星这样的巨头,在去年7月,日本宣布限制光刻胶、氟化聚酰亚胺和高纯度氟化氢等关键原材料对韩国的出口之后,也是被死死的“卡住了脖子”,急得如热锅上的蚂蚁,却又无可奈何。最后还是日本政府解除了部分限制之后,才得以化解了危机。而在美国制裁中兴
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光刻胶
2019年7月初，日韩突然陷入制裁争端，日本宣布限制对韩出口三种关键的半导体材料，分别是电视和手机OLED面板上使用的氟聚酰亚胺(Fluorine Polyimide)、半导体制造中的核心材料光刻胶(Photoresist)和高纯度氟化氢(Eatching Gas)。日本方面敢这么做当然是有底气的，基本垄断着全球的氟聚酰亚胺、氟化氢材料市场，分别占全球份额的90％、70％之多，韩国企业更是严重依赖日本供应，禁售直接带来了毁灭性的打击。据外媒最新报道，日本经济产业省已经部分解除了对韩国出口光刻胶的限制。今后
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台积电爆发光刻胶规格不符事件导致大量报废晶圆，牵动公司内部两部门的人事异动，包括这次事件爆发地的 14 厂厂长已换将。
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台积电
新式半导体光刻技术中，极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一，不过其实现难度也相当高，从上世纪八十年代 ...
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根据SEMI于SEMICON West上最新的数据报道，由于IC出货量的持续增加，导致半导体材料用量己经回到近08年水平，但是预期2011年的增速减缓。
2010年总的半导体前道材料(fab Materials)将由09年的178.5亿美元(与08年相比下降26，2%)提高到217.1亿美元，但仍未超过2008年241.9亿美元水平 。这是由SEMI分析师Dan Tracy在7月12日下午的年会上公布的数据。
在2010年中增长最快是硅片(32%up，达94.1亿美元)，紧接着是光刻胶(2
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半导体材料
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光刻胶介绍
光刻胶-正文 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理， [
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