近日，上海市政府印发《上海市支持先进制造业转型升级三年行动计划（2026-2028 年）》，其中多次重点提及集成电路（IC）产业。根据该规划，到 2028 年，上海力争新增年总产值超 10 亿元的制造业企业 100 家，累计总量突破 600 家；产业链新增规模以上工业企业 500 家，同时规模以上制造业企业研发经费占营业收入比重显著提高。展望未来，上海将强化主导产业的战略引领作用。该市将支持集成电路企业聚焦半导体设备、先进工艺、光刻胶材料及 3D 封装等领域，力争实现全产业链突破，培育一批具有全球竞争力的
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最新消息表明日本似乎从本月中旬起全面停止向中国出口光刻胶，报道指出此次措施的执行范围已具体涉及佳能、尼康、三菱化学等知名企业。尽管日本政府与企业并未正式官宣，但该消息已在业界流传，《亚洲时报》称此次中断是“中国担忧的最坏情况”。光刻胶是一种对光反应后化学性质发生变化的「感光物质」，特别具有将光线聚集到一处的特性，因此在半导体工艺的初期阶段光刻工艺中被广泛用作核心材料。涂覆在晶圆上后，能将射向晶圆的光线集中到一点，从而帮助绘制精细的电路图案。公开资料显示，目前全球市场70%的份额由日本企业占据，如日本合成橡
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随着中国加倍强调技术独立，华为及其合作伙伴生态系统在这一努力中发挥了关键作用。据日经报道，2019年美国制裁华为后，成立了包括全资子公司哈勃在内的投资部门，支持60多家半导体公司。这些与华为有关联的芯片公司正加快收购和扩产，努力构建自给自足的国内供应链。报告指出，虽然华为未直接参与其支持企业的投资，但这些举措正在加强其供应链，符合中国国家战略。以下是华为相关公司的一些重要举措。华为支持的HHCK着手整合中国包装材料市场据日经报道，华为持有2%股份的江苏HHCK先进材料，一家芯片封装材料制造商，已完成以16
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在芯片制造过程中，光刻承担着将集成电路图案转印至晶圆表面的任务，其中通过光刻胶溶解在显影液中形成纳米尺度的电路图形。然而，光刻领域长期存在一个难以窥探的“黑匣子”：即光刻胶在显影液中的微观行为，该行为直接影响光刻图案的精确度与缺陷率。人们对光刻胶聚合物的溶解机制、扩散行为、相互作用及其缺陷形成机理等基本问题仍知之甚少。这也导致工业界的工艺优化长期依赖于反复“试错”，成为制约7nm及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授、高毅勤教授、郑黎明博士与清华大学王宏伟教授、香
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据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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据中国光谷官微消息，近日，武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。据悉，该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。据了
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10 月 15 日消息，据武汉东湖新技术开发区管理委员会（中国光谷）今日消息，光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的 T150 A 光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。中国光谷官方介绍称：“该产品对标国际头部企业主流 KrF 光刻胶系列。相较于被业内称之为‘妖胶’的国外同系列产品 UV1610，T150 A 在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到 120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚
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复旦大学报道功能性半导体光刻胶。
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4月25日，沈阳芯源微电子设备股份有限公司（以下简称“芯源微”）广州子公司——广州芯知科技有限公司半导体设备光刻胶泵及高纯供液系统研发及产业化项目开工仪式在广州举行。据官网介绍，芯源微成立于2002年，是由中科院沈阳自动化研究所发起创建的国家高新技术企业，专业从事半导体生产设备的研发、生产、销售与服务，致力于提供半导体装备与工艺整体解决方案。芯源微所开发的涂胶机、显影机、喷胶机、去胶机、湿法刻蚀机、单片清洗机等产品，已形成完整的技术体系和丰富的产品系列，产品适应不同工艺等级的客户要求，广泛应用于半导体生产
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近日，华中科技大学与湖北九峰山实验室的研究团队在光刻胶技术领域取得重大进展，成功突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。在半导体制造环节，光刻胶是不可或缺的材料，其质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。为此，华中科技大学与九峰山实验室联合研究团队通过巧妙的化
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4月2日消息，据湖北九峰山实验室官微消息，九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队，支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。据介绍，该研究通过巧妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space图案宽度值正态分布标准差（SD）极小（约为0.05）、性能优于大多数商用光刻胶。且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量
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日本芯片材料厂商Resonac的首席执行官Hidehito Takahashi正在为日本分散的芯片材料行业的另一轮整合做准备，并表示公司可能会出手收购JSR的关键股份。source：ResonacHidehito
Takahashi表示，JIC（日本投资公司）斥60亿美元收购全球最大光刻胶制造商JSR，这将促进日本供应链急需的变革。他说，Resonac是由Showa
Denko （昭和电工）和Hitachi Chemical （日立化成）合并而成的化学品集团，正在考虑如何在JSR的未来中发挥积极作
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JSR捷时雅株式会社自1979年4月开始销售光刻胶，至今向半导体行业供应光刻材料、CMP材料和封装材料等已有四十余载。日本JSR、东京日化、信越化工几近掌握着全球EUV光刻胶的市场份额。此次JSR如若成功被收购，或将对全球光刻胶市场带来重要影响。看重JSR这块香饽饽，JIC准备收购6月24日，日经新闻报道，日本政府支持的日本投资公司（JIC）正商谈以1万亿日元收购JSR。日本投资公司计划最早今年提出初步收购意向。如果进展顺利，JSR可能会在2024年被东京证交所摘牌。官方资料显示，JSR成立于1957年，
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据报道，三星首次引入韩国本土公司东进世美肯（Dongjin Semichem）研发的EUV光刻胶（EUV PR）进入其量产线，这也是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试。在2019年经历与日本的光刻胶等关键原料的供应风波之后，三星就在尝试将关键原料的供应本土化，经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产。在日本限制出口、三星尝试重构EUV光刻胶的供应链之后，东进世美肯就已开始研发EUV光刻胶，并在去年通过了三星的可靠性测试，随后不到一年就被应用于三星的大规模生产线。不过，EUV光刻胶可用于3-50道程序，目前
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12 月 4 日消息，据 ETNews 消息，三星电子首次引入东进世美肯半导体的光刻胶进入其量产线，这也是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试。不过考虑到三星与海外光刻胶供应商的关系，目前具体产量尚不清楚，且三星是否会额外引进其他品种的光刻胶也并没有得到回应。报道称，三星电子已将韩国公司开发的用于高科技工艺的极紫外光刻胶（PR）引入其大规模生产线。2019 年 7 月，日本方面宣布限制向韩国出口包括含氟聚酰亚胺、光刻胶以及高纯度氟化氢在内的三项重要半导体及 OLED 面板原材料，经过三年的努力，韩国实现了光刻
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光刻胶介绍
光刻胶-正文 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理， [
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